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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
A、增大交變電壓U,則正離子在加速器中運(yùn)行時(shí)間將變短 | ||||||||
B、增大交變電壓U,則正離子在加速器中運(yùn)行時(shí)間將不變 | ||||||||
C、正離子第n次穿過(guò)窄縫前后的速率之比為
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D、回旋加速器所加交變電壓的頻率為
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
回旋加速器的核心部分是兩個(gè)半徑為R的D型金屬扁盒,如圖,盒正中央開(kāi)有一條窄縫,在兩個(gè)D型盒之間加交變電壓,于是在縫隙中形成交變電場(chǎng),由于屏蔽作用,在D型盒內(nèi)部電場(chǎng)很弱,D型盒裝在真空容器中,整個(gè)裝置放在巨大電磁鐵的兩極之間,磁場(chǎng)方向垂直于D型盒的底面,只要在縫隙中的交變電場(chǎng)的頻率不變,便可保證粒子每次通過(guò)縫隙時(shí)總被加速,粒子的軌道半徑不斷增大,并逐漸靠近D型盒邊緣,加速到最大能量E后,再用特殊的裝置將它引出。在D型盒上半面中心出口A處有一正離子源,正離子所帶電荷量為q、質(zhì)量為m,加速時(shí)電極間電壓大小恒為U。(加速時(shí)的加速時(shí)間很短,可忽略;正離子從離子源出發(fā)時(shí)初速為零)。則下列說(shuō)法正確的是
A.增大交變電壓U,則正離子在加速器中運(yùn)行時(shí)間將變短
B.增大交變電壓U,則正離子在加速器中運(yùn)行時(shí)間將不變
C.正離子第n次穿過(guò)窄縫前后的速率之比為
D.回旋加速器所加交變電壓的頻率為
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
場(chǎng)強(qiáng)為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)與磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)正交,復(fù)合場(chǎng)的水
平寬度為d,豎直方向足夠長(zhǎng),如圖所示.現(xiàn)有一束帶電荷量為q、
質(zhì)量為m的α粒子以各不相同的初速度v0沿電場(chǎng)方向射入場(chǎng)區(qū),則那
些能飛出場(chǎng)區(qū)的α粒子的動(dòng)能增量ΔEk可能為 ( )
A.dq(E+B) B.
C.qEd D.0 圖8
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科目:高中物理 來(lái)源:2011-2012學(xué)年江蘇省高三高考一輪復(fù)習(xí)第八章第3單元物理試卷(解析版) 題型:選擇題
場(chǎng)強(qiáng)為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)與磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)正交,復(fù)合場(chǎng)的水平寬度為d,豎直方向足夠長(zhǎng),如圖8所示.現(xiàn)有一束帶電荷量為q、質(zhì)量為m的α粒子以各不相同的初速度v0沿電場(chǎng)方向射入場(chǎng)區(qū),則那些能飛出場(chǎng)區(qū)的α粒子的動(dòng)能增量ΔEk可能為 ( )
A.dq(E+B) B.
C.qEd D.0
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科目:高中物理 來(lái)源:2011-2012學(xué)年湖北省武漢市武昌區(qū)高三5月調(diào)研考試?yán)砜凭C合物理試卷(解析版) 題型:選擇題
回旋加速器的核心部分是兩個(gè)半徑為R的D型金屬扁盒,如圖,盒正中央開(kāi)有一條窄縫,在兩個(gè)D型盒之間加交變電壓,于是在縫隙中形成交變電場(chǎng),由于屏蔽作用,在D型盒內(nèi)部電場(chǎng)很弱,D型盒裝在真空容器中,整個(gè)裝置放在巨大電磁鐵的兩極之間,磁場(chǎng)方向垂直于D型盒的底面,只要在縫隙中的交變電場(chǎng)的頻率不變,便可保證粒子每次通過(guò)縫隙時(shí)總被加速,粒子的軌道半徑不斷增大,并逐漸靠近D型盒邊緣,加速到最大能量E后,再用特殊的裝置將它引出。在D型盒上半面中心出口A處有一正離子源,正離子所帶電荷量為q、質(zhì)量為m,加速時(shí)電極間電壓大小恒為U。(加速時(shí)的加速時(shí)間很短,可忽略;正離子從離子源出發(fā)時(shí)初速為零)。則下列說(shuō)法正確的是
A.增大交變電壓U,則正離子在加速器中運(yùn)行時(shí)間將變短
B.增大交變電壓U,則正離子在加速器中運(yùn)行時(shí)間將不變
C.正離子第n次穿過(guò)窄縫前后的速率之比為
D.回旋加速器所加交變電壓的頻率為
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