如圖1所示，電阻是熱敏電阻，電阻Ｒ是標(biāo)準(zhǔn)電阻（阻值不隨溫度變化），現(xiàn)將它們串聯(lián)在一起，在兩端加上恒定的電壓Ｕ，在室溫下，兩電阻的阻值相等，當(dāng)環(huán)境溫度改變時(shí)，有（　　　�。�

Ａ.溫度升高時(shí)，上電流變小

Ｂ.溫度降低時(shí)，上電流變小

Ｃ.溫度降低時(shí)，上消耗的電功率變小，溫度升高時(shí)，上消耗的電功率變大

Ｄ不論溫度升高還是降低，上消耗的電功率都變小

 

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

精英家教網(wǎng)如圖1所示，abcd是位于豎直平面內(nèi)的正方形閉合金屬線框，其質(zhì)量為m，電阻為R．在金屬線框的下方有一勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域，PQ和P?Q?是該勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域的水平邊界，并與線框的bc邊平行，磁場(chǎng)方向與線框平面垂直．現(xiàn)金屬線框由距PQ某一高度處從靜止開始下落，經(jīng)時(shí)間t0后剛好到達(dá)PQ邊緣，速度為v0，假設(shè)線框所受的空氣阻力恒定．圖2是金屬線框由靜止開始下落到完全穿過勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域過程中的速度-時(shí)間圖象．
試求：（1）金屬線框的邊長；
（2）金屬線框由靜止開始下落到完全穿過勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域的總位移；
（3）金屬線框在進(jìn)入勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域過程中流過其橫截面的電荷量；
（4）金屬線框在整個(gè)下落過程中所產(chǎn)生的焦耳熱．

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科目：高中物理 來源： 題型：

（選修模塊3-3）
（1）如圖1所示，用一絕熱的活塞將一定質(zhì)量的理想氣體密封在絕熱的氣缸內(nèi)（活塞與氣缸壁之間無摩擦），現(xiàn)通過氣缸內(nèi)一電阻絲對(duì)氣體加熱，則圖2圖象中能正確反映氣體的壓強(qiáng)p、體積V和溫度T之間關(guān)系的是
 
．
（2）一定質(zhì)量的理想氣體從狀態(tài)A開始做等溫膨脹變化到狀態(tài)B．此過程中氣體對(duì)外做功為W，則該過程中氣體分子的平均動(dòng)能
 
（選填“增大”、“減小”或“不變”），氣體
 
（選填“吸收”或“放出”）熱量為
 
．
（3）某小區(qū)為居民專門設(shè)計(jì)了雨水回收系統(tǒng)，一年可回收雨水量1萬噸左右，相當(dāng)于100戶居民一年的用水量．請(qǐng)你根據(jù)上述數(shù)據(jù)估算一戶居民一天的平均用水中所含有的水分子數(shù)約為多少？設(shè)水分子的摩爾質(zhì)量為M=1.8×l0-2kg/mol，阿伏加德羅常數(shù)取NA=6.0×l023mol-1．（保留一位有效數(shù)字）精英家教網(wǎng)

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科目：高中物理 來源：2013-2014學(xué)年四川省高三“二診”物理模擬試卷（三）（解析版） 題型：計(jì)算題

如圖1所示，abcd是位于豎直平面內(nèi)的正方形閉合金屬線框，其質(zhì)量為m，電阻為R。在金屬線框的下方有一勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域，PQ和P´Q´是該勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域的水平邊界，并與線框的bc邊平行，磁場(chǎng)方向與線框平面垂直�，F(xiàn)金屬線框由距PQ某一高度處從靜止開始下落，經(jīng)時(shí)間后剛好到達(dá)PQ邊緣，速度為，假設(shè)線框所受的空氣阻力恒定。圖2是金屬線框由靜止開始下落到完全穿過勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域過程中的速度—時(shí)間圖象。

試求：

（1）金屬線框由靜止開始下落到完全穿過勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域的總位移；

（2）金屬線框在進(jìn)入勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域過程中流過其橫截面的電荷量；

（3）金屬線框在整個(gè)下落過程中所產(chǎn)生的焦耳熱。

 

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：問答題

如圖1所示，abcd是位于豎直平面內(nèi)的正方形閉合金屬線框，其質(zhì)量為m，電阻為R．在金屬線框的下方有一勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域，PQ和P?Q?是該勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域的水平邊界，并與線框的bc邊平行，磁場(chǎng)方向與線框平面垂直．現(xiàn)金屬線框由距PQ某一高度處從靜止開始下落，經(jīng)時(shí)間t0后剛好到達(dá)PQ邊緣，速度為v0，假設(shè)線框所受的空氣阻力恒定．圖2是金屬線框由靜止開始下落到完全穿過勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域過程中的速度-時(shí)間圖象．
試求：（1）金屬線框的邊長；
（2）金屬線框由靜止開始下落到完全穿過勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域的總位移；
（3）金屬線框在進(jìn)入勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域過程中流過其橫截面的電荷量；
（4）金屬線框在整個(gè)下落過程中所產(chǎn)生的焦耳熱．
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科目：高中物理 來源：2012年上海市四區(qū)高考物理二模試卷（楊浦、寶山區(qū)、靜安、青浦）（解析版） 題型：解答題

如圖1所示，abcd是位于豎直平面內(nèi)的正方形閉合金屬線框，其質(zhì)量為m，電阻為R．在金屬線框的下方有一勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域，PQ和P´Q´是該勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域的水平邊界，并與線框的bc邊平行，磁場(chǎng)方向與線框平面垂直．現(xiàn)金屬線框由距PQ某一高度處從靜止開始下落，經(jīng)時(shí)間t后剛好到達(dá)PQ邊緣，速度為v，假設(shè)線框所受的空氣阻力恒定．圖2是金屬線框由靜止開始下落到完全穿過勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域過程中的速度-時(shí)間圖象．
試求：（1）金屬線框的邊長；
（2）金屬線框由靜止開始下落到完全穿過勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域的總位移；
（3）金屬線框在進(jìn)入勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域過程中流過其橫截面的電荷量；
（4）金屬線框在整個(gè)下落過程中所產(chǎn)生的焦耳熱．

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