如圖所示,一個(gè)速度為v0的正離子恰能沿直線飛出離子速度選擇器,選擇器中磁感強(qiáng)度為B,電場(chǎng)強(qiáng)度為E,若B.E.v0均增加為原來(lái)的3倍,則( 。
A.仍沿直線前進(jìn),飛出選擇器
B.往上極板偏轉(zhuǎn)
C.往下極板偏轉(zhuǎn)
D.向紙外偏出
精英家教網(wǎng)
正離子恰能沿直線飛出離子速度選擇器,此時(shí)應(yīng)該有:qvB=qE即vB=E.若B.E.v0均增加為原來(lái)的3倍,則受到的洛侖茲力大于電場(chǎng)力,正離子要向上偏轉(zhuǎn),B正確.
故選B
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

如圖所示,一個(gè)速度為v0的正離子恰能沿直線飛出離子速度選擇器,選擇器中磁感強(qiáng)度為B,電場(chǎng)強(qiáng)度為E,若B.E.v0均增加為原來(lái)的3倍,則( 。

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

精英家教網(wǎng)如圖所示,一個(gè)質(zhì)量為m的金屬桿ab,以一定的初速度v0從一光滑平行金屬軌道的底端向上滑行,軌道平面與水平面成θ角,兩導(dǎo)軌上端用一電阻R相連,磁場(chǎng)方向垂直軌道平面向上,軌道與金屬桿ab的電阻不計(jì)并接觸良好.金屬桿向上滑行到某一高度后又返回到底端,在此過(guò)程中( 。
A、上滑過(guò)程通過(guò)電阻R的電量比下滑過(guò)程多B、上滑過(guò)程金屬桿受到的合外力的沖量比下滑過(guò)程的小C、上滑過(guò)程和下滑過(guò)程金屬桿的加速度大小相等D、上滑過(guò)程與下滑過(guò)程安培力對(duì)金屬桿的沖量大小相等

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科目:高中物理 來(lái)源:2010-2011學(xué)年北京市宣武區(qū)龍門(mén)育才學(xué)校高一(上)第三次月考物理試卷(解析版) 題型:選擇題

如圖所示,一個(gè)速度為v的正離子恰能沿直線飛出離子速度選擇器,選擇器中磁感強(qiáng)度為B,電場(chǎng)強(qiáng)度為E,若B.E.v均增加為原來(lái)的3倍,則( )

A.仍沿直線前進(jìn),飛出選擇器
B.往上極板偏轉(zhuǎn)
C.往下極板偏轉(zhuǎn)
D.向紙外偏出

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科目:高中物理 來(lái)源:0103 模擬題 題型:不定項(xiàng)選擇

如圖所示,一個(gè)速度為v0的正離子恰能沿直線飛出離子速度選擇器,選擇器中磁感強(qiáng)度為B,電場(chǎng)強(qiáng)度為E,若B、E、v0均增加為原來(lái)的3倍,則
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A.仍沿直線前進(jìn),飛出選擇器
B.往上極板偏轉(zhuǎn)
C.往下極板偏轉(zhuǎn)        
D.向紙外偏出

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