(2013天津市濱海新區(qū)五校聯(lián)考)如圖所示裝置中,區(qū)域Ⅰ中有豎直向上的勻強電場,電場強度為E, 區(qū)域Ⅱ內(nèi)有 垂直紙面向外的水平勻強磁場,磁感應(yīng)強度為B。區(qū)域Ⅲ中有垂直紙面向里的水平勻強磁場,磁感應(yīng)強度為2B。一質(zhì)量為m、帶電量為q的帶負電粒子(不計重力)從左邊界O點正上方的M點以速度v0水平射入電場,經(jīng)水平分界線OP上的A點與OP成60°角射入Ⅱ區(qū)域的磁場,并垂直豎直邊界CD進入Ⅲ區(qū)域的勻強磁場中。
求:(1)粒子在Ⅱ區(qū)域勻強磁場中運動的軌道半徑。
(2)O、M間的距離。
(3)粒子從M點出發(fā)到第二次通過CD邊界所經(jīng)歷的時間。
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