放射性同位素自顯影技術(shù)被用于研究細(xì)胞有絲分裂過(guò)程中DNA和RNA的變化。下圖表示洋蔥根尖細(xì)胞處于有絲分裂各階段細(xì)胞中DNA和mRNA的含量變化。試據(jù)圖回答有關(guān)問(wèn)題。
(1)在放射性同位素標(biāo)記研究中,為區(qū)別DNA和RNA,選擇標(biāo)記的合成原料依次是 ______ 、 ,研究中應(yīng)選擇的測(cè)量材料是洋蔥
根尖的 部位,其裝片制作的過(guò)程是 。
(2)在細(xì)胞分裂的過(guò)程中,姐妹染色單體消失于圖甲的 時(shí)期中,染色體復(fù)制發(fā)生在 期,圖示c時(shí)期細(xì)胞核DNA、染色體與染色單體數(shù)目之比為 。
(3)試解釋處于分裂期的細(xì)胞中mRNA含量較低的最可能原因:____________
(4)使用顯微鏡觀察有絲分裂裝片時(shí),欲把乙圖中的1細(xì)胞移到視野中央,具體操作是
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科目:高中生物 來(lái)源: 題型:
32.(9分)放射性同位素自顯影技術(shù)被用于研究細(xì)胞有絲分裂過(guò)程中DNA和RNA的變化。右下圖表示洋蔥根尖處于有絲分裂細(xì)胞各階段細(xì)胞中DNA和信使RNA的含量變化;卮鹩嘘P(guān)問(wèn)題:
(1)在放射性同位素標(biāo)記研究中,為區(qū)別DNA和RNA,最好選擇標(biāo)記的物質(zhì)依次是 和 ,研究中選擇的測(cè)量材料是根尖 部位,你的依據(jù)是 。
(2)圖示c時(shí)期細(xì)胞核DNA、染色體與染色單體數(shù)目比例為 ,這種比例將維持到細(xì)胞分裂的 期才可能開始變化。
(3)依據(jù)圖示,細(xì)胞中核糖體功能旺盛的分裂時(shí)期可能是 (2分)(填圖中字母)。
(4)圖中細(xì)胞核DNA減半的原因是 。
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科目:高中生物 來(lái)源:2011-2012學(xué)年沈陽(yáng)鐵路實(shí)驗(yàn)中學(xué)高二上學(xué)期期末考試生物試卷 題型:綜合題
(11分)放射性同位素自顯影技術(shù)被用于研究細(xì)胞有絲分裂過(guò)程中DNA和RNA的變化。下圖表示洋蔥根尖細(xì)胞處于有絲分裂各階段細(xì)胞中DNA和mRNA的含量變化。試據(jù)圖回答有關(guān)問(wèn)題。
(1)在放射性同位素標(biāo)記研究中,為區(qū)別DNA和RNA,選擇標(biāo)記的合成原料依次是 ,研究中應(yīng)選擇的測(cè)量材料是洋蔥根尖的
部位,你的依據(jù)是 。
(2)在細(xì)胞分裂的a時(shí)期細(xì)胞中的mRNA主要用于指導(dǎo)合成 。試解釋處于分裂期的細(xì)胞中mRNA含量較低的最可能原因: 。
(3)圖示c時(shí)期細(xì)胞核DNA、染色體與染色單體數(shù)目之比為 ,這種比例將維持到細(xì)胞分裂的 才可能開始變化。
(4)依據(jù)圖示,細(xì)胞中核糖體活動(dòng)旺盛的時(shí)期可能是 。
(5)圖中細(xì)胞核DNA減半的原因是 。
(6)使用顯微鏡觀察有絲分裂裝片時(shí),欲把乙圖中的1細(xì)胞移到視野中央,具體操作是 。
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科目:高中生物 來(lái)源:2013屆沈陽(yáng)鐵路實(shí)驗(yàn)中學(xué)高二上學(xué)期期末考試生物試卷 題型:綜合題
(11分)放射性同位素自顯影技術(shù)被用于研究細(xì)胞有絲分裂過(guò)程中DNA和RNA的變化。下圖表示洋蔥根尖細(xì)胞處于有絲分裂各階段細(xì)胞中DNA和mRNA的含量變化。試據(jù)圖回答有關(guān)問(wèn)題。
(1)在放射性同位素標(biāo)記研究中,為區(qū)別DNA和RNA,選擇標(biāo)記的合成原料依次是 ,研究中應(yīng)選擇的測(cè)量材料是洋蔥根尖的
部位,你的依據(jù)是 。
(2)在細(xì)胞分裂的a時(shí)期細(xì)胞中的mRNA主要用于指導(dǎo)合成 。試解釋處于分裂期的細(xì)胞中mRNA含量較低的最可能原因: 。
(3)圖示c時(shí)期細(xì)胞核DNA、染色體與染色單體數(shù)目之比為 ,這種比例將維持到細(xì)胞分裂的 才可能開始變化。
(4)依據(jù)圖示,細(xì)胞中核糖體活動(dòng)旺盛的時(shí)期可能是 。
(5)圖中細(xì)胞核DNA減半的原因是 。
(6)使用顯微鏡觀察有絲分裂裝片時(shí),欲把乙圖中的1細(xì)胞移到視野中央,具體操作是 。
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科目:高中生物 來(lái)源:2010-2011學(xué)年湖南省高三上學(xué)期第三次月考生物卷 題型:綜合題
放射性同位素自顯影技術(shù)被用于研究細(xì)胞有絲分裂過(guò)程中DNA和RNA的變化。下圖表示洋蔥根尖細(xì)胞處于有絲分裂各階段細(xì)胞中DNA和mRNA的含量變化。試據(jù)圖回答有關(guān)問(wèn)題。(9分)
(1)在放射性同位素標(biāo)記研究中,為區(qū)別DNA和RNA,選擇標(biāo)記的合成原料依次是 ______ 、 ,研究中應(yīng)選擇的測(cè)量材料是洋蔥
根尖的 部位,其裝片制作的過(guò)程是 。
(2)在細(xì)胞分裂的過(guò)程中,姐妹染色單體消失于圖甲的 時(shí)期中,染色體復(fù)制發(fā)生在 期,圖示c時(shí)期細(xì)胞核DNA、染色體與染色單體數(shù)目之比為 。
(3)試解釋處于分裂期的細(xì)胞中mRNA含量較低的最可能原因:____________
(4)使用顯微鏡觀察有絲分裂裝片時(shí),欲把乙圖中的1細(xì)胞移到視野中央,具體操作是
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科目:高中生物 來(lái)源:2010-2011學(xué)年江西省高三上學(xué)期第四次月考生物試卷 題型:綜合題
放射性同位素自顯影技術(shù)被用于研究細(xì)胞有絲分裂過(guò)程中DNA和RNA的變化。下圖表示洋蔥根尖細(xì)胞處于有絲分裂各階段細(xì)胞中DNA和mRNA的含量變化。試據(jù)圖回答有關(guān)問(wèn)題。
(1)在放射性同位素標(biāo)記研究中,為區(qū)別DNA和RNA,選擇標(biāo)記的合成原料依次是 ,研究中應(yīng)選擇的測(cè)量材料是洋蔥根尖的 部位,你的依據(jù)是 。(2)在細(xì)胞分裂的a時(shí)期細(xì)胞中的mRNA主要用于指導(dǎo)合成 。試解釋處于分裂期的細(xì)胞中mRNA含量較低的最可能原因:
。(3)圖示c時(shí)期細(xì)胞核DNA、染色體與染色單體數(shù)目之比為 ,這種比例將維持到細(xì)胞分裂的 才可能開始變化。(4)依據(jù)圖示,細(xì)胞中核糖體活動(dòng)旺盛的時(shí)期可能是 。(5)圖中細(xì)胞核DNA減半的原因是 。(6)使用顯微鏡觀察有絲分裂裝片時(shí),欲把乙圖中的1細(xì)胞移到視野中央,具體操作是 。
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