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有關(guān)晶體的下列說法中不正確的是( )
A.在NaCl晶體中,距Na+最近的Cl-形成正八面體
B.在NaCl晶體中,每個晶胞平均占有4個Na+
C.在CsCl晶體中,每個晶胞平均占有8個Cs+
D.銅晶體為面心立方堆積,銅原子的配位數(shù)(距離一個銅原子最近的其它銅原子的個數(shù))為12
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下列物質(zhì)的性質(zhì)與氫鍵無關(guān)的是 ( )
A.冰的密度比液態(tài)水的密度小 B.NH3易液化
C.NH3 分子比PH3 分子穩(wěn)定 D.在相同條件下,H2O的沸點比H2S的沸點高
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下列對一些實驗事實的理論解釋正確的是 ( )。
選項 | 實驗事實 | 理論解釋 |
A | 氮原子的第一電離能大于氧原子 | 氮原子2p能級半充滿 |
B | CO2為直線形分子 | CO2分子為非極性分子 |
C | 金剛石的熔點低于石墨 | 石墨熔融時除了破壞共價鍵,還需破壞范德華力 |
D | HF的沸點高于HCl | H-F的鍵能大于H-Cl |
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關(guān)于晶體的下列說法正確的是( )
①在晶體中只要有陰離子就一定有陽離子,只要有陽離子就一定有陰離子;②分子晶體的熔點一定比金屬晶體的低;③晶體中分子間作用力越大,分子越穩(wěn)定;④離子晶體中,一定存在離子鍵;⑤分子晶體中,一定存在共價鍵;⑥ 原子晶體中,一定存在共價鍵;⑦熔融時化學(xué)鍵沒有破壞的晶體一定是分子晶體
A.② ④ ⑥ B.④⑤ ⑦ C.④ ⑥ ⑦ D.③ ④ ⑦
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關(guān)于幾種分子中的化學(xué)鍵描述不正確的是( )
A.苯每個碳原子的未參加雜化的2p軌道形成大π鍵
B. CH4中的4個C—H鍵都是H的1s軌道與C的2p軌道形成的s—p σ鍵。
C.C2H4中,每個碳原子的sp2雜化軌道形成σ鍵、未雜化的2p軌道形成π鍵
D.H2分子中存在s—s σ鍵
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已知X、Y和Z為第三周期元素,其原子的第一至第四電離能如下表:
電離能/kJ·mol—1 | I1 | I2 | I3 | I4 |
X | 578 | 1817 | 2745 | 11578 |
Y | 738 | 1451 | 7733 | 10540 |
Z | 496 | 4562 | 6912 | 9543 |
則X、Y、Z的電負(fù)性從大到小的順序為( )
A. Z > Y > X B.X > Z > Y C. X > Y > Z D. Y > Z > X
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通常把原子總數(shù)和價電子總數(shù)相同的分子或離子稱為等電子體。人們發(fā)現(xiàn)等電子體的空間結(jié)構(gòu)相同,則下列有關(guān)說法中正確的是 ( )
A.CH4和NH是等電子體,鍵角均為60°
B.B3N3H6和苯是等電子體,1molB3N3H6和苯均有6mol非極性鍵
C.NH3和PCl3是等電子體,均為三角錐形結(jié)構(gòu)-ks5u
D.BF3和CO是等電子體,均為平面正三角形結(jié)構(gòu)
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拆開1 mol化學(xué)鍵所吸收的能量是該化學(xué)鍵的鍵能,它的大小可以衡量化學(xué)鍵的強弱。
化學(xué)鍵 | Si—O | Si—Cl | H—H | H—Cl | Si—Si | Si—C |
鍵能/kJ·mol—1 | 460 | 360 | 436 | 431 | 176 | 347 |
下列說法中錯誤的是( )
A.SiCl4的熔點比SiC低 B.拆開1 mol晶體硅中的化學(xué)鍵所吸收的能量為176kJ
C.HCl的熔點比H2高 D.拆開1 mol晶體SiC中的化學(xué)鍵所吸收的能量為1388kJ
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下列物質(zhì)的熔點或液化溫度由高到低順序的是 。ā )
A、金剛石>晶體硅>碳化硅 B、CF4>CCl4>CBr4
C、NH3>N2>H2 D、純鎂>鎂鋁合金>純鋁
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