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硅晶體結(jié)構(gòu)類似于金剛石,低溫下單質(zhì)硅不活潑,與空氣、H2O、酸均無作用,但可與強(qiáng)堿和強(qiáng)氧化劑在適當(dāng)溫度下作用,如硅能與鹵素在加熱或高溫下生成四鹵化硅;高價(jià)態(tài)硅的化合物可在高溫下被碳、鎂、氫等還原劑還原成單質(zhì)硅;工業(yè)上也可用硅與焦炭在高溫下制金剛砂(SiC)。某高純硅煉制廠利用食鹽、石英、水、焦炭為原料制取用作半導(dǎo)體材料的高純硅。根據(jù)上述材料回答:
(1)假設(shè)根據(jù)每步反應(yīng)建立一個(gè)生產(chǎn)車間,該高純硅廠家需要幾個(gè)車間
A.3個(gè) B.4個(gè) C.5個(gè) D.6個(gè)
(2)生產(chǎn)原理中沒有涉及到的反應(yīng)是
A.置換反應(yīng) B.復(fù)分解反應(yīng)
C.化合反應(yīng) D.電解反應(yīng)
(3)該廠家不采用石英與焦炭直接制高純硅的主要原因是
A.產(chǎn)量太低 B.產(chǎn)品中含SiC
C.產(chǎn)品中含有過量的硅石和焦炭 D.耗能太大
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有一粗硅,含鐵和硅兩種雜質(zhì),取等質(zhì)量的樣品分別投入足量的稀鹽酸和足量的稀氫氧化鈉溶液中,放出等量的氫氣,則該粗硅中鐵和硅的關(guān)系正確的是
A.物質(zhì)的量之比為1:1 B.物質(zhì)的量比為2:1
C.質(zhì)量比為4:1 D.質(zhì)量比為2:1
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下列條件下,一定能大量共存的離子組是
A.無色透明的水溶液中:K+、Mg2+、I-、MnO4-
B.pH=1的NaNO3水溶液中:NH4+、SO42-、Cl-、Fe2+
C.c(HCO3-)=0.1mol·L-1的溶液中:Na+、K+、CO32-、Br-
D.由水電離產(chǎn)生的c(OH-)=l×10-13mol·L-1的溶液中:OH-、AlO2-、Cl-、NO3-、Na+
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X元素的簡單陽離子和Y元素的簡單陰離子具有與氬原子相同的電子層結(jié)構(gòu)。下列敘述正確的是( )
A.X的原子序數(shù)比Y的小 B.X原子的電子層數(shù)比Y的少
C.X的原子半徑比Y的小 D.X元素的最高正價(jià)比Y的小
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X元素的簡單陽離子和Y元素的簡單陰離子具有氬原子相同的電子層結(jié)構(gòu)。下列敘述正確的是( )
A.X的原子序數(shù)比Y的小 B.X原子的電子層數(shù)比Y少
C.X的原子半徑比Y的小 D.X元素的最高正價(jià)比Y的小
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下列說法正確的是( )
A.所有的原子核內(nèi)質(zhì)子數(shù)都比中子數(shù)多
B.氫離子(H+)實(shí)質(zhì)上是一個(gè)裸露的質(zhì)子
C.核外電子排布相同的粒子,其化學(xué)性質(zhì)也相同
D.非金屬元素原子的最外層電子數(shù)都大于4
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X元素的陽離子和Y元素的陰離子具有相同的核外電子層結(jié)構(gòu),下列敘述正確的是( )
A.原子序數(shù)X<Y B.原子半徑X<Y
C.離子半徑X>Y D.原子最外層電子數(shù)X≤Y
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按下面的實(shí)驗(yàn)過程填空:?
寫出上述反應(yīng)的化學(xué)方程式:?
(1)_________________________________________________________
(2)_________________________________________________________
(3)_________________________________________________________
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臭氧與KI溶液反應(yīng),生成一種可使帶余燼的木條復(fù)燃的氣體,向反應(yīng)后溶液中加入酚酞試液變紅,加入淀粉溶液后變藍(lán)?諝庵谐粞鹾砍^10-5%(體積分?jǐn)?shù))時(shí),會(huì)對人體造成傷害。為測定某房間內(nèi)空氣中臭氧的含量,將0 ℃、1.01×105 Pa下的33.6 m3的空氣通入KI溶液,使之完全反應(yīng),在所得溶液中加入0.01 mol·L-1 Na2S2O3溶液60 mL恰好完全反應(yīng):2Na2S2O3+I2====Na2S4O6+2NaI
(1)完成O3與KI反應(yīng)的化學(xué)方程式。
(2)計(jì)算空氣中臭氧的體積分?jǐn)?shù)。
(3)該房間內(nèi)空氣中的臭氧是否對人體有害?
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