下列有關(guān)說(shuō)法正確的是

     A. 物質(zhì)熔沸點(diǎn)的高低順序是：晶體硅＞氯化鈉＞冰＞氖氣

     B. 微粒半徑由大到小順序是：H^＋＞Li^＋＞H^－

      C．金剛石的硬度、熔點(diǎn)、沸點(diǎn)都低于晶體硅

     D. CO₂、HCl、CF₄、PCl₃四種物質(zhì)分子中的所有原子都滿足最外層為8電子的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)

下列各組物質(zhì)各自形成的晶體都屬于分子晶體的化合物的是

     A.                      B.  

     C.                     D.  

x 、y為兩種元素的原子，x的陰離子與y的陽(yáng)離子具有相同的電子層結(jié)構(gòu)，由此可知

    A．x的原子半徑大于y的原子半徑 

    B．x的電負(fù)性大于y的電負(fù)性

    C．x 的氧化性小于y的氧化性     

    D．x的第一電離能小于y 的第一電離能

共價(jià)鍵、離子鍵和范德華力都是微觀粒子之間的不同作用力，下列物質(zhì)：

     ①Na₂O₂；②SiO₂；③石墨；④金剛石；⑤CaCl₂；⑥干冰,其中含有兩種結(jié)合力的組合是

     A．①③⑤⑥       B．①③⑥         C．②④⑥             D．①②③⑥

下列各項(xiàng)的敘述中都包含兩個(gè)數(shù)值，前一數(shù)值大于后一數(shù)值的是   

     A. 冰中的分子間作用力和單質(zhì)碘中的分子間作用力

     B. NaCl晶體中與一個(gè)Cl^-緊鄰的Na⁺數(shù)和CsCl晶體中與一個(gè)Cl^-緊鄰的Cs⁺數(shù)

     C. 晶體硅中Si―Si鍵的鍵能和金剛石中C―C鍵的鍵能

     D. 甲烷分子中C―H鍵的極性和氨分子中N―H鍵的極性

下列分子中的σ鍵是由兩個(gè)原子的s軌道以“頭碰頭”方式重疊構(gòu)建而成的是                    

     A．H₂              B.CCl₄             C.Cl₂            D.F₂

對(duì)于H₃O⁺的下列說(shuō)法中不正確的是

     A．離子中存在共價(jià)鍵                B．離子中存在孤電子對(duì)

     C．離子中存在配位鍵                D．離子中存在非極性鍵

下列分子或離子中，含有孤電子對(duì)的是                                

     A．H₂O             B．CH₄             C．SiH₄            D．NH₄⁺

 下列電子式中錯(cuò)誤的是                                                

     A．Mg²⁺            B．       C．           D．

下列各原子或離子的電子排布式錯(cuò)誤的是

     A．Cr   1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁴4s²                 B．O^2-   1s²2s²2p⁶

     C．Na⁺  1s²2s²2p⁶                             D．Al   1s²2s²2p⁶3s²3p¹