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科目: 來(lái)源: 題型:

(08哈師大附中三模)在強(qiáng)酸性溶液中,下列各組離子能夠大量共存的是()

A. 

B. 

C. 

D. 

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科目: 來(lái)源: 題型:

(08哈師大附中三模)右圖是可逆反應(yīng)的反應(yīng)速率隨反應(yīng)時(shí)間變化的示意圖,由此可推斷()

 

  A.t1時(shí)若是降溫使速率變化,則正反應(yīng)是放熱反應(yīng)

  B.t2時(shí)若是加壓使速率變化,則A、B、C、D均為氣體

  C.t2時(shí)改變的條件可能是加入催化劑

  D.t2時(shí)改變的條件可能是增大反應(yīng)物的濃度

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科目: 來(lái)源: 題型:

(08哈師大附中三模)碳跟濃硫酸共熱產(chǎn)生的氣體X和銅跟濃硝酸反應(yīng)產(chǎn)生的氣體Y同時(shí)通入盛有足量氯化鋇溶液的洗氣瓶中(裝置如圖所示),下列說(shuō)法中不正確的是

 A.X氣體的主要成分是CO2和SO2

 B.洗氣瓶中產(chǎn)生的沉淀是亞硫酸鋇

 C.在Z導(dǎo)管口有紅棕色氣體出現(xiàn)

 D.從Z導(dǎo)管出來(lái)的氣體中有CO2

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科目: 來(lái)源: 題型:

(08哈師大附中三模)下列化學(xué)用語(yǔ)正確的是()

A.NaHCO3的水解: 

B.醋酸銨的電離:  

C.H2的燃燒熱為285.8kJ/mol: 

D.碳在高溫下還原二氧化硅:=====(高溫)

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科目: 來(lái)源: 題型:

(08哈師大附中三模)室溫時(shí),在pH均為9的NaOH和CH3COONa兩種溶液中,設(shè)由水電離產(chǎn)生的分別為a mol/L與b mol/L,則a和b的關(guān)系為()  

A.a(chǎn)>b         B.       C.       D.a(chǎn)=b

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科目: 來(lái)源: 題型:

(08哈師大附中三模)是氧元素的一種穩(wěn)定的核素,稱(chēng)為重氧。下列說(shuō)法中正確的是()

 A.是氧元素的兩種同素異形體

 B.0.1mol 中所含的中子數(shù)約為個(gè)

 C.2mol 的體積約為44.8L

 D.的摩爾質(zhì)量為36g

 

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科目: 來(lái)源: 題型:

(08南昌市三模)下列各組離子在對(duì)應(yīng)的溶液中一定能大量共存的是()       

A.pH=7的溶液:Fe3+、NH4+、SO42­、SCN

B.由水電離出c(H+)=1×10―12mol?L―1的溶液:Mg2+、Ca2+、HCO3、C1O

C.能使無(wú)色酚酞變紅的溶液:SiO32、A1O2、Na+、K+

D.能使紫色石蕊變紅的溶液:Fe2+、Cu2+、SO42、NO3

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科目: 來(lái)源: 題型:

(08南昌市三模)NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值,下列說(shuō)法中正確的是() 

A.由最外層的1個(gè)電子的微粒構(gòu)成的單質(zhì)為1molO2反應(yīng)時(shí)轉(zhuǎn)移電子數(shù)一定為4NA

B.1L0.5mol?L―1的 (NH4)2SO4溶液中含有的NH4+離子數(shù)小于NA

C.17g氨氣溶于水,得到NH3?H2O的分子數(shù)為NA

D.70gN5+離子中含有36NA個(gè)電子

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科目: 來(lái)源: 題型:

(08南昌市三模)下列有關(guān)環(huán)境保護(hù)的說(shuō)法中錯(cuò)誤的是()             

A.各國(guó)工業(yè)大量排放二氧化硫是使全球變暖的主要原因

B.含磷化合物的生活污水大量排放可使水體富營(yíng)養(yǎng)化

C.劣質(zhì)裝修材料中釋放出的苯、氡氣、甲醛等對(duì)人體有害

D.廢舊電池中的汞、鎘、鉛等重金屬元素對(duì)土壤和水源會(huì)造成污染

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科目: 來(lái)源: 題型:

(08廣東實(shí)驗(yàn)中學(xué)三模)砷化鎵屬于第三代半導(dǎo)體,它能直接將電能轉(zhuǎn)變?yōu)楣饽埽榛墴襞輭勖瞧胀襞莸?00倍,而耗能只有其10%,推廣砷化鎵等發(fā)光二極管(LED)照明,是節(jié)能減排的有效舉措,已知砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖。試回答下列問(wèn)題

(1)下列說(shuō)法正確的是              (選填序號(hào))。

A.砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同     

B.第一電離能:As>Ga

C.電負(fù)性:As>Ga                                    

D.砷和鎵都屬于p區(qū)元素

E.半導(dǎo)體GaP、SiC與砷化鎵為等電子體

(2)砷化鎵是將(CH3)3Ga和AsH3用MOCVD方法制備得到, 該反應(yīng)在700℃進(jìn)行,反應(yīng)的方程式為:                        。

AsH3空間形狀為:             (CH3)3Ga中碳鎵鍵之間的鍵角為:           

(3)Ga的核外電子排布式為:               。

(4)AsH3沸點(diǎn)比NH3低,其原因是:               。

(5)請(qǐng)預(yù)測(cè)AsH3的兩種化學(xué)性質(zhì):             

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