Ⅰ.在催化劑存在下用H2還原CO2是解決溫室效應(yīng)的重要手段之一，相關(guān)反應(yīng)如下：

主反應(yīng)：CO2(g)＋4H2(g)CH4(g)＋2H2O(g)　ΔH1①

副反應(yīng)：CO2(g)＋H2(g)=CO(g)＋H2O(g)　ΔH2＝＋41.2 kJ·mol－1

已知：H2和CH4的燃燒熱分別為285.5 kJ·mol－1和890.0 kJ·mol－1，H2O(l)===H2O(g)　ΔH＝＋44 kJ·mol－1。

(1)ΔH1＝________ kJ·mol－1。

(2)有利于提高CH4產(chǎn)率的反應(yīng)條件是(至少寫兩條)______________________________工業(yè)上提高甲烷反應(yīng)選擇性的關(guān)鍵因素是________________________________。

(3)T℃時(shí)，若在體積恒為2 L的密閉容器中同時(shí)發(fā)生上述反應(yīng)，將物質(zhì)的量之和為5 mol的H2和CO2以不同的投料比進(jìn)行反應(yīng)，結(jié)果如圖1所示。若a、b表示反應(yīng)物的平衡轉(zhuǎn)化率，則表示H2平衡轉(zhuǎn)化率的是________，c、d分別表示CH4(g)和CO(g)的體積分?jǐn)?shù)，由圖1可知＝________時(shí)，甲烷產(chǎn)率最高。若該條件下CO的產(chǎn)率趨于0，則T℃時(shí)①的平衡常數(shù)K＝___________________。

Ⅱ.溶于海水的CO2 95%以HCO3-形式存在。

在海洋中，通過圖2鈣化作用實(shí)現(xiàn)碳自凈。

(4)寫出鈣化作用的離子方程式________________。

(5)電解完成后，a室的pH________(填“變大”、“變小”或“幾乎不變”)；b室發(fā)生反應(yīng)的離子方程式為________________________。

下列說法正確的是

A.在該溫度下，0.1 mol·L-1 NaOH溶液的pH=2a+1

B.F點(diǎn)對(duì)應(yīng)苯甲酸溶液體積V=20.00 mL

C.在G與F之間某點(diǎn)對(duì)應(yīng)的溶液中水的電離程度最大

D.溫度不變，加水稀釋E點(diǎn)溶液，增大

(1)C、N元素形成的新材料具有如圖所示的結(jié)構(gòu)該晶體的化學(xué)式為________________。

C（位于頂點(diǎn)和面心） N

(2)氮化碳和氮化硅晶體結(jié)構(gòu)相似，是新型的非金屬高溫陶瓷材料，它們的硬度大、熔點(diǎn)高、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定。

①氮化硅的硬度________（填“大于”或“小于”）氮化碳的硬度，原因是___________________________。

②已知氮化硅的晶體結(jié)構(gòu)中，原子間都以單鍵相連，且氮原子與氮原子不直接相連、硅原子與硅原子不直接相連，同時(shí)每個(gè)原子都滿足最外層8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，請(qǐng)寫出氮化硅的化學(xué)式：______________。

(3)第ⅢA、VA元素組成的化合物GaN、GaP、CaAs等是人工合成的新型半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅相似。在GaN晶體中，每個(gè)Ga原子與________個(gè)N原子相連，與同一個(gè)Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為________。在四大晶體類型中，GaN屬于________晶體。

A. M室發(fā)生的電極反應(yīng)式為：2H2O－4e－ = O２↑＋4H＋

B. N室中：a% <b%

C. b膜為陰膜，產(chǎn)品室發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)原理為強(qiáng)酸制弱酸

D. 理論上每生成1mol產(chǎn)品，陰極室可生成標(biāo)準(zhǔn)狀況下5.6L氣體

(1)A原子的最外層電子排布式為_______________，D原子核外共有____________個(gè)電子。

(2)寫出C的單質(zhì)與強(qiáng)堿溶液反應(yīng)的離子方程式：______________________________________________。

(3)A、B兩元素的氫化物分子中鍵能較小的是__________________________（填分子式）；分子較穩(wěn)定的是__________________（填分子式）。

(4)E、D同主族，均為短周期元素。它們的最高價(jià)氧化物晶體中熔點(diǎn)較高的是________________。

(5)已知D的單質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu)與SiC的晶體結(jié)構(gòu)相似，其中C原子的雜化方式為______________。SiC與D的單質(zhì)的晶體的熔、沸點(diǎn)高低順序是________________。

A.該晶體中的碳、氮原子都滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)

B.該晶體中碳顯+4價(jià)，氮顯-3價(jià)

C.該晶體中每個(gè)碳原子與四個(gè)氮原子相連，每個(gè)氮原子與三個(gè)碳原子相連

D.該晶體的分子式為C3N4

A.ABB.A5B4C.AB2D.A2B5

（1）Q的基態(tài)原子的價(jià)電子排布式為______________。

（2）題述元素中，電負(fù)性最大的是______________（填元素符號(hào)），第一電離能介于Y和Z之間的同周期元素有______________（填元素符號(hào)）。

（3）Y和W的氯化物中熔點(diǎn)較高的是________（填化學(xué)式），原因是_____；與Z的低價(jià)氯化物互為等電子體的離子是_______（填一種即可）。

（4）咖啡因?qū)χ袠猩窠?jīng)有興奮作用，其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式如圖所示。常溫下，咖啡因在水中的溶解度很小，加適量水楊酸鈉[C6H4（OH）（COONa）]可使其溶解度增大，其原因可能是_________。

（1）圖I所示的CaF2晶胞中與Ca2+最近且等距離的F-的個(gè)數(shù)為____________。

（2）圖Ⅱ所示的物質(zhì)結(jié)構(gòu)中最外層已達(dá)8電子結(jié)構(gòu)的原子是____________，H2BO3晶體中硼原子個(gè)數(shù)與極性鍵個(gè)數(shù)之比為____________。

（3）由圖Ⅲ所示的銅原子的堆積模型可知，未標(biāo)號(hào)的銅原子形成晶體后其周圍最緊鄰的銅原子數(shù)為____________。

（4）三種晶體中熔點(diǎn)最低的是其晶體受熱熔化時(shí)，克服的微粒之間的相互作用為____________。

（1）銅元素基態(tài)原子的電子排布式為________，銅晶體中的原子堆積模型屬于______（填堆積模型名稱）。

（2）金屬銅的導(dǎo)電性僅次于銀，大量用于電氣工業(yè)。請(qǐng)解釋金屬銅能導(dǎo)電的原因：______。

（3）CuSO4的熔點(diǎn)為560℃，Cu（NO3）2的熔點(diǎn)為115℃，CuSO4的熔點(diǎn)更高的原因是______。

（4）如圖所示是銅與金的一種合金晶體的立方晶胞。

①該晶體中，Cu與Au的原子個(gè)數(shù)比為_________。

②原子坐標(biāo)參數(shù)可表示晶胞內(nèi)各原子的相對(duì)位置。圖示晶胞中，原子坐標(biāo)參數(shù)A為（0，0，0），B為（0，，），則C原子（底心）的坐標(biāo)參數(shù)為__________。

③已知該立方晶胞的密度為，NA為阿伏加德羅常數(shù)的值，則晶胞參數(shù)a=______nm。