A. 銅B. 熔融氯化鈉C. 干冰D. 碳酸鈣

(1)B2H6是一種高能燃料，它與Cl2反應(yīng)生成的BCl3可用于半導(dǎo)體摻雜工藝及高純硅制造。與BCl3互為等電子體，且由第二周期元素組成的一種陰離子為__________(填離子符號)。

(2)氨硼烷(H3N—BH3)和Ti(BH4)3均為廣受關(guān)注的新型化學(xué)氫化物儲氫材料。

①H3N—BH3中N原子的軌道雜化類型為________________。

②Ti(BH4)3由TiCl3和LiBH4反應(yīng)制得�；鶓B(tài)Ti3+的未成對電子數(shù)為____________；BH4-的立體構(gòu)型是_______；該制備反應(yīng)的化學(xué)方程式為______________。

(3)氨硼烷可由六元環(huán)狀化合物(HB=NH)3通過如下反應(yīng)制得：

3CH4+2(HB=NH)3+6H2O=3CO2+6H3BNH3。

下列有關(guān)敘述錯(cuò)誤的是_____________

A.氨硼烷中存在配位鍵

B.第一電離能大小關(guān)系：N>O>C>B>H

C.反應(yīng)前后碳原子的雜化類型不變

D.CH4、H2O、CO2分子空間構(gòu)型分別是：正四面體型、V型、直線型

(3)GaAs的熔點(diǎn)為1238℃，密度為ρg·cm-3，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。該晶體的類型為_____________。Ga的配位原子(As)數(shù)目為________；Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為MGag·mol-1和MAsg·mol-1，原子半徑分別為rGacm和rAscm，阿伏伽德羅常數(shù)值為NA，則GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為__________。

A. Cu （CuO） 加入稀硝酸溶液，然后過濾洗滌干燥

B. CO2 ( SO2 ) 通過飽和Na2 CO3 溶液

C. CO2 （O2 ） 通過灼熱的銅網(wǎng)

D. NO2 （NO） 通過水洗

A. 食品包裝中常放有硅膠，能起到干燥的作用

B. 用工業(yè)酒精兌制飲用酒出售來提高利潤

C. 明礬凈水時(shí)發(fā)生了化學(xué)及物理變化，能起到凈水作用，而沒有殺菌、消毒作用

D. 集中處理廢舊電池，以防止污染

【題目】在2A＋B3C＋4D中，表示該反應(yīng)速率最快的是( )

A．v(A) = 0.7mol·L－1·S－1 B．v(B) = 0.3 mol·L－1·S－1

C．v(C) = 0.8mol·L－1·S－1 D．v(D) = 1 mol·L－1·S－1

A. ⅠA、ⅤA B. ⅠA、ⅦA C. ⅣA、ⅥA D. ⅡA、ⅦA

A. N為正極，鐵電極應(yīng)與Y相連接

B. M電極反應(yīng)式： CO(NH2)2＋H2O－6e－ = CO2↑＋N2↑＋6H＋

C. 當(dāng)N電極消耗0.25 mol氣體時(shí)，則鐵電極增重16 g

D. H十透過質(zhì)子交換膜由右向左移動

【題目】可逆反應(yīng)：N2(g)+3H2(g) 2NH3(g)的正逆反應(yīng)速率可用反應(yīng)物或生成物的濃度變化來表示，下列各關(guān)系中能說明反應(yīng)已達(dá)平衡狀態(tài)的是（ ）

A．v正(N2)=v正(H2) B．v正(N2)=v逆(NH3)

C．2 v正(H2)=3v逆(NH3) D．v正(N2)=v逆(H2)

（1）以上步驟Ⅰ中已獲得游離態(tài)的溴，步驟Ⅱ又將之轉(zhuǎn)變成化合態(tài)的溴，其目的是______．

（2）步驟Ⅱ通入熱空氣或水蒸氣吹出Br2，利用了溴的______．（填序號）

A．氧化性 B．還原性 C．揮發(fā)性 D．腐蝕性

（3）以上流程Ⅱ中涉及的離子反應(yīng)如下，請?jiān)谙旅娣娇騼?nèi)填入適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)計(jì)量數(shù)及相應(yīng)物質(zhì)：_______

□Br2+□CO32-═□BrO3-+□Br-+□______

（4）上述流程中吹出的溴蒸氣，也可先用二氧化硫水溶液吸收，再用氯氣氧化后蒸餾．寫出溴與二氧化硫水溶液反應(yīng)的化學(xué)方程式：______．

（5）實(shí)驗(yàn)室分離溴還可以用溶劑萃取法，下列可以用作溴的萃取劑的是______．（填序號）

A．乙醇 B．四氯化碳 C．燒堿溶液 D．苯．

A. 溶液中Ca2+數(shù)目增加 B. 溶液中Ca2+數(shù)目減少

C. 溶液中OH-濃度減少 D. 溶液中OH-濃度增大