科目: 來(lái)源: 題型:
【題目】氨和聯(lián)氨(N2H4)既是一種工業(yè)原料,又是一種重要的工業(yè)產(chǎn)品。
(1) 等物質(zhì)的量的氨和聯(lián)氨分別與足量二氧化氮反應(yīng),產(chǎn)物為氮?dú)夂退。則轉(zhuǎn)移的電子數(shù)之比為___________。
(2) 聯(lián)氨在一定條件下可按下式分解:3N2H4(g)=N2(g)+4NH3(g),已知斷裂N-H、N-N及N≡N各1 mol需吸收的能量依次為390.8 kJ、193 kJ、946 kJ。若生成1 mol N2,則反應(yīng)________(填“放出”或“吸收”)___ _______kJ的能量。
(3)NH3-O2燃料電池的結(jié)構(gòu)如圖所示。
① a極為電池的________(填“正”或“負(fù)”)極。
②當(dāng)生成1 mol N2時(shí),電路中流過(guò)電子的物質(zhì)的量為_____________。
(4)聯(lián)氨可以高效地脫除煙道氣中的NO從而生成 N2,該反應(yīng)中氧化產(chǎn)物與還原產(chǎn)物的物質(zhì)的量之比為__________。
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【題目】正鹽A能發(fā)生下圖所示的反應(yīng),圖中①~⑧分別代表有關(guān)反應(yīng)中的一種物質(zhì)(某些物質(zhì)已略去),其中①、②、④、⑤為無(wú)色氣體,⑥為紅棕色氣體。
請(qǐng)完成下列各題:
(1)寫出化學(xué)式A ,⑥ ,⑦ ;
(2)寫出下列反應(yīng)化學(xué)方程式:
⑧+⑦→②+③+⑥: ;①+④→⑤: ;
(3)⑧→⑤的離子方程式為: 。
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【題目】Na、Al、Fe是生活中常見(jiàn)的金屬元素。
(1)工業(yè)上以鋁土礦(主要成分Al2O3·3H2O)為原料生產(chǎn)鋁,主要包括下列過(guò)程:
①將粉碎、篩選后的鋁土礦溶解在氫氧化鈉溶液中;
②通入過(guò)量二氧化碳使①所得溶液中析出氫氧化鋁固體;③使氫氧化鋁脫水生成氧化鋁;④電解熔融氧化鋁生成鋁。
寫出②所涉及離子反應(yīng)方程式: ,蒸干AlCl3溶液不能得到無(wú)水AlCl3,使SOCl2與Al2O3·6H2O混合并加熱,可得到無(wú)水AlCl3,用化學(xué)方程式解釋: 。
(2)鐵在地殼中的含量約占5%左右。鐵礦石的種類很多,重要的有磁鐵礦石、赤鐵礦石等。紅熱的鐵能跟水蒸氣反應(yīng),則其反應(yīng)的化學(xué)方程式為 。生成的黑色物質(zhì)溶于酸后,加入KSCN溶液,見(jiàn)不到血紅色產(chǎn)生,其原因是 、 (用離子方程式解釋)。工業(yè)煉鐵常用赤鐵礦與Al在高溫下反應(yīng)制備,寫出該反應(yīng)的方程式: 。
(3)鈉的化合物中,其中純堿顯堿性的原因是 (用離子方程式解釋),向飽和的純堿溶液中通入過(guò)量的二氧化碳所產(chǎn)生現(xiàn)象 ,該物質(zhì)是 。(寫化學(xué)式)
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【題目】下列說(shuō)法正確的是
A.1mol任何氣體的體積都是22.4L
B.1molH2 的質(zhì)量是1g,它所占的體積是22.4L
C.在標(biāo)準(zhǔn)狀況下,1mol任何物質(zhì)所占的體積都約為22.4L
D.在標(biāo)準(zhǔn)狀況下,1mol任何氣體所占的體積都約為22.4L
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【題目】下列說(shuō)法正確的是( )
A. 戊烷有3種同分異構(gòu)體
B. 甲烷和乙烯都能使溴水褪色
C. 苯的結(jié)構(gòu)比較特殊,其分子中不存在雙鍵和單鍵
D. 淀粉在稀H2SO4作用下水解最后生成葡萄糖和果糖
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【題目】下列說(shuō)法中正確的是( )
A.乙醇、乙二醇、丙三醇互為同系物,同系物之間不可能為同分異構(gòu)體
B.二氧化碳和干冰互為同素異形體
C.C2H5OH和CH3OCH3互為同分異構(gòu)體
D.金剛石和石墨互為同位素
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【題目】A、B兩種有機(jī)化合物,當(dāng)混合物總質(zhì)量一定時(shí),無(wú)論A、B以何種比例混合,完全燃燒時(shí)產(chǎn)生的CO2的量均相等,肯定符合上述條件的可能是( )
①同分異構(gòu)體;②同系物;③具有相同的最簡(jiǎn)式;④含碳的質(zhì)量分?jǐn)?shù)相同
A. ①③ B. ①③④ C. ①②③④ D. ①②④
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【題目】【化學(xué)——選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)】砷化鎵(GaAs)是優(yōu)良的半導(dǎo)體材料,可用于制作微型激光器或太陽(yáng)能電池的材料等。回答下列問(wèn)題:
(1)寫出基態(tài)As原子的核外電子排布式 。
(2)根據(jù)元素周期律,原子半徑Ga As,第一電離能Ga As。(填“大于”或“小于”)
(3)AsCl3分子的立體構(gòu)型為 ,其中As的雜化軌道類型為 。
(4)GaF3的熔點(diǎn)高于1000℃,GaCl3的熔點(diǎn)為77.9℃,其原因是 。
(5)GaAs的熔點(diǎn)為1238℃,密度為,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。
該晶體的類型為 。Ga與As的摩爾質(zhì)量分別為和,原子半徑分別為和,阿伏加德羅常數(shù)值為,則晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為 。(已知1m=1012pm)
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