膦（PH3）又稱為磷化氫，在常溫下是一種無(wú)色有大蒜臭味的有毒氣體，電石氣的雜質(zhì)中常含之．它的分子是三角錐形．以下關(guān)于PH3的敘述中，正確的是（ ）

A．PH3是非極性分子

B．PH3分子中有未成鍵的電子對(duì)

C．PH3是強(qiáng)氧化劑

D．PH3分子中的P﹣H鍵是非極性鍵

關(guān)于化學(xué)式[TiCl(H2O)5]Cl2·H2O的配合物的下列說(shuō)法中正確的是( )

A. 配位體是Cl－和H2O，配位數(shù)是9

B. 中心離子是Ti4＋，配離子是[TiCl(H2O)5]2＋

C. 內(nèi)界和外界中的Cl的數(shù)目比是1∶2

D. 加入足量AgNO3溶液，所有Cl－均被完全沉淀

最近發(fā)現(xiàn)一種由鈦(Ti)原子和碳原子構(gòu)成的氣態(tài)團(tuán)簇分子，分子模型如圖所示，其中圓圈表示鈦原子，黑點(diǎn)表示碳原子，則它的化學(xué)式為( )

A．TiC B．Ti13C14

C．Ti4C7 D．Ti14C13

有5種元素X、Y、Z、Q、T。X原子M層上有2個(gè)未成對(duì)電子且無(wú)空軌道；Y原子的特征電子構(gòu)型為3d64s2；Z原子的L電子層的p能級(jí)上有一個(gè)空軌道；Q原子的L電子層的P能級(jí)上只有一對(duì)成對(duì)電子；T原子的M電子層上p軌道半充滿。下列敘述不正確的是( )

A．元素Y和Q可形成化合物Y2O3

B．T和Z各有一種單質(zhì)的空間構(gòu)型為正四面體形

C．X和Q結(jié)合生成的化合物為離子化合物

D．ZO2是極性鍵構(gòu)成的非極性分子

下列敘述錯(cuò)誤的是( )

①離子鍵沒(méi)有方向性和飽和性，而共價(jià)鍵有方向性和飽和性

②配位鍵在形成時(shí)，是由成鍵雙方各提供一個(gè)電子形成共用電子對(duì)

③金屬鍵的實(shí)質(zhì)是金屬中的“自由電子”與金屬陽(yáng)離子形成的一種強(qiáng)烈的相互作用

④在冰晶體中，既有極性鍵、非極性鍵，又有氫鍵

⑤化合物NH4Cl和CuSO4·5H2O都存在配位鍵

⑥NaCl、HF、CH3CH2OH、SO2都易溶于水，但原因不完全相同( )

A．①③ B．②④ C．②⑤ D．④⑥

砷化鎵（GaAs）是優(yōu)良的半導(dǎo)體材料，可用于制作微型激光器或太陽(yáng)能電池的材料等�；卮鹣铝袉�(wèn)題：

（1）寫(xiě)出基態(tài)As原子的核外電子排布式________________________。

（2）根據(jù)元素周期律，原子半徑Ga_____________As，第一電離能Ga____________As。（填“大于”或“小于”）

（3）AsCl3分子的立體構(gòu)型為_(kāi)___________________，其中As的雜化軌道類型為_(kāi)________。

（4）GaF3的熔點(diǎn)高于1000℃，GaCl3的熔點(diǎn)為77.9℃，其原因是_____________________。

（5）GaAs的熔點(diǎn)為1238℃，密度為ρg·cm-3，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。該晶體的類型為_(kāi)_______________,Ga與As以________鍵鍵合。Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為MGag·mol-1和MAs g·mol-1，原子半徑分別為rGapm和rAspm，阿伏伽德羅常數(shù)值為NA，則GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為_(kāi)___________________。

鍺（Ge）是典型的半導(dǎo)體元素，在電子、材料等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛�；卮鹣铝袉�(wèn)題：

（1）基態(tài)Ge原子的核外電子排布式為[Ar]____________，有__________個(gè)未成對(duì)電子。

（2）Ge與C是同族元素，C原子之間可以形成雙鍵、叁鍵，但Ge原子之間難以形成雙鍵或叁鍵。從原子結(jié)構(gòu)角度分析，原因是________________。

（3）比較下列鍺鹵化物的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)，分析其變化規(guī)律及原因_____________________。

（4）光催化還原CO2制備CH4反應(yīng)中，帶狀納米Zn2GeO4是該反應(yīng)的良好催化劑。Zn、Ge、O電負(fù)性由大至小的順序是______________。

（5）Ge單晶具有金剛石型結(jié)構(gòu)，其中Ge原子的雜化方式為_(kāi)_____________微粒之間存在的作用力是_____________。

（6）晶胞有兩個(gè)基本要素：①原子坐標(biāo)參數(shù)，表示晶胞內(nèi)部各原子的相對(duì)位置，下圖為Ge單晶的晶胞，其中原子坐標(biāo)參數(shù)A為（0,0,0）；B為（，0，）；C為（，，0）。則D原子的坐標(biāo)參數(shù)為_(kāi)_____。

②晶胞參數(shù)，描述晶胞的大小和形狀，已知Ge單晶的晶胞參數(shù)a=565.76 pm，其密度為_(kāi)_________g·cm-3（列出計(jì)算式即可）。

東晉《華陽(yáng)國(guó)志南中志》卷四中已有關(guān)于白銅的記載，云南鎳白銅（銅鎳合金）文明中外，曾主要用于造幣，亦可用于制作仿銀飾品。回答下列問(wèn)題：

（1）鎳元素基態(tài)原子的電子排布式為_(kāi)________，3d能級(jí)上的未成對(duì)的電子數(shù)為_(kāi)_____。

（2）硫酸鎳溶于氨水形成[Ni(NH3)6]SO4藍(lán)色溶液。

①[Ni(NH3)6]SO4中陰離子的立體構(gòu)型是_____。

②在[Ni(NH3)6]2+中Ni2+與NH3之間形成的化學(xué)鍵稱為_(kāi)_____ ，提供孤電子對(duì)的成鍵原子是_____。

③氨的沸點(diǎn)_____（“高于”或“低于”）膦（PH3），原因是______；氨是_____分子（填“極性”或“非極性”），中心原子的軌道雜化類型為_(kāi)______。

（3）單質(zhì)銅及鎳都是由______鍵形成的晶體：元素銅與鎳的第二電離能分別為：ICu=1958kJ/mol，INi=1753kJ/mol，ICu ＞INi的原因是______。

（4）某鎳白銅合金的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。

①晶胞中銅原子與鎳原子的數(shù)量比為_(kāi)____。

②若合金的密度為dg/cm3，晶胞參數(shù)a=________nm

硅是重要的半導(dǎo)體材料，構(gòu)成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ)。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

（1）基態(tài)Si原子中，電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為 ，該能層具有的原子軌道數(shù)為 、電子數(shù)為 。

（2）硅主要以硅酸鹽、 等化合物的形式存在于地殼中。

（3）單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構(gòu)類似的晶體，其中原子與原子之間以 相結(jié)合，其晶胞中共有8個(gè)原子，其中在面心位置貢獻(xiàn) 個(gè)原子。

（4）單質(zhì)硅可通過(guò)甲硅烷（SiH4）分解反應(yīng)來(lái)制備。工業(yè)上采用Mg2Si和NH4Cl在液氨介質(zhì)中反應(yīng)制得SiH4，該反應(yīng)的化學(xué)方程式為 。

（5）碳和硅的有關(guān)化學(xué)鍵鍵能如下所示，簡(jiǎn)要分析和解釋下列有關(guān)事實(shí)：

①硅與碳同族，也有系列氫化物，但硅烷在種類和數(shù)量上都遠(yuǎn)不如烷烴多，原因是 。

②SiH4的穩(wěn)定性小于CH4，更易生成氧化物，原因是 。

（6）在硅酸鹽中，SiO4- 4四面體（如下圖（a））通過(guò)共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類結(jié)構(gòu)型式。圖（b）為一種無(wú)限長(zhǎng)單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根，其中Si原子的雜化形式為 ，Si與O的原子數(shù)之比為 ，化學(xué)式為 。

下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（ ）

A．同系物一定符合同一通式

B．同分異構(gòu)體一定具有相同的最簡(jiǎn)式

C．相對(duì)分子質(zhì)量相等的兩種有機(jī)物必定是同分異構(gòu)體

D．同分異構(gòu)體間不一定有相似的化學(xué)性質(zhì)