短周期原子序數(shù)依次增大的主族元素R、T、Q、W、Y具有如下信息：下列說(shuō)法正確的是（ ）

①R、Y原子的最外層電子數(shù)與電子層數(shù)相同；

②Q是地殼中含量最高的元素，R與T的核電荷數(shù)之和等于Q的核電荷數(shù)；

③W與R同主族．

A. T、Q、W、Y的原子半徑大小為：T＜Q＜Y＜W

B. Q與W形成的兩種常見(jiàn)化合物中含有相同比例的陰、陽(yáng)離子，屬于同種晶體類(lèi)型

C. Q與Y組成的常見(jiàn)物質(zhì)是一種堿性氧化物

D. 由Y和T組成的物質(zhì)YT是原子晶體，在電子和陶瓷工業(yè)上有廣泛應(yīng)用，可以直接由單質(zhì)Y和T在低溫下合成

下列說(shuō)法正確的是（ ）

A．如果某化合物只含共價(jià)鍵，則其一定是共價(jià)化合物

B．H2O2是由極性共價(jià)鍵和非極性共價(jià)鍵構(gòu)成的非極性分子

C．兩種酸溶液充分反應(yīng)后的體系不可能為中性

D．碳、氮形成的氫化物常溫下都是氣態(tài)

下列說(shuō)法正確的是（ ）

A．用乙醇或CCl4提取碘水中的碘單質(zhì)

B．NaCl和SiC晶體熔化時(shí)，克服粒子間作用力類(lèi)型相同

C．24Mg32S晶體中電子總數(shù)與中子總數(shù)之比為1：1

D．H2S與SiF4分子中各原子最外層都滿(mǎn)足8電子結(jié)構(gòu)

下列關(guān)于晶體的說(shuō)法一定正確的是（ ）

A．分子晶體中都存在共價(jià)鍵

B．CaTiO3晶體中每個(gè)Ti4+和12個(gè)O2﹣相緊鄰

C．SiO2晶體中每個(gè)硅原子與兩個(gè)氧原子以共價(jià)鍵相結(jié)合

D．金屬晶體的熔點(diǎn)都比分子晶體的熔點(diǎn)高

向盛有硫酸銅水溶液的試管里加入氨水，首先形成難溶物，繼續(xù)添加氨水，難溶物溶解得到深藍(lán)色的透明溶液．下列對(duì)此現(xiàn)象說(shuō)法正確的是（ ）

A．反應(yīng)后溶液中不存在任何沉淀，所以反應(yīng)前后Cu2+的濃度不變

B．沉淀溶解后，將生成深藍(lán)色的配離子[Cu（NH3）4]2+

C．向反應(yīng)后的溶液加入乙醇，溶液將會(huì)沒(méi)有發(fā)生任何變化，因[Cu（NH3）4]2+不會(huì)與乙醇發(fā)生反應(yīng)

D．在[Cu（NH3）4]2+離子中，Cu2+給出孤對(duì)電子，NH3提供空軌道

下列分子中，各原子均處于同一平面上的是（ ）

A．NH3 B．CCl4 C．H3O+ D．CH2O

BF3與一定量的水形成（H2O）2•BF3晶體Q，Q在一定條件下可轉(zhuǎn)化為R：

反應(yīng)過(guò)程中新形成的化學(xué)鍵中無(wú)（ ）

A．離子鍵 B．配位鍵 C．非極性共價(jià)鍵 D．氫鍵

A，B，C，D是周期表中前10號(hào)元素，它們的原子半徑依次減�。瓺能分別與A、B、C、形成10電子總數(shù)相等的多原子分子M、N、W，且在M、N、W分子中，A、B、C原子都采取sp3雜化．

①A、B、C的第一電離能由小到大的順序?yàn)?u> （用元素符號(hào)表示）．A22﹣與C22+互為等電子體，C22+的電子式

②N的沸點(diǎn)比其同族相鄰氫化物沸點(diǎn)高的主要原因是 ．W分子的空間構(gòu)型的名稱(chēng)是

（2）E、F、G三元素的原子序數(shù)依次增大，它們?cè)�子的最外層電子排布均�?s1．

①F元素基態(tài)原子電子排布式為

②E元素單質(zhì)的晶體堆積模型為 （填字母）

③向G的硫酸鹽溶液中通入過(guò)量N氣體，可生成[G（N）4]2+不考慮空間構(gòu)型，[G（N）4]2+的結(jié)構(gòu)可用示意圖表示為 （用元素符號(hào)表示）．

有A、B、C、D四種元素，其中A元素和B元素的原子都有1個(gè)未成對(duì)電子，A+比B﹣少一個(gè)電子層，B原子得一個(gè)電子填入3p軌道后，3p軌道已充滿(mǎn)；C原子的p軌道中有3個(gè)未成對(duì)電子，其氣態(tài)氫化物在水中的溶解度在同族元素所形成的氫化物中最大；D的最高化合價(jià)和最低化合價(jià)的代數(shù)和為4，其最高價(jià)氧化物中含D的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為 40%，且其核內(nèi)質(zhì)子數(shù)等于中子數(shù)．R是由A、D兩元素形成的離子化合物，其中A+與D2﹣離子數(shù)之比為2：1．請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

（1）A元素形成的晶體屬于A2密堆積型式，則其晶體內(nèi)晶胞類(lèi)型應(yīng)屬于 （填寫(xiě)“六方”、“面心立方”或“體心立方”）．

（2）B﹣的價(jià)電子排布圖為 ，在CB3分子中C元素原子的原子軌道發(fā)生的是 雜化．

（3）C的氫化物的空間構(gòu)型為

（4）B元素的電負(fù)性 D元素的電負(fù)性（填“＞”、“＜”或“=”）；用一個(gè)化學(xué)方程式說(shuō)明B、D兩元素形成的單質(zhì)的氧化性強(qiáng)弱： ．

（5）如圖所示是R形成的晶體的晶胞，設(shè)晶胞的棱長(zhǎng)為 a cm．試計(jì)算R晶體的密度為 g/cm3 ．（阿伏加德羅常數(shù)用 NA表示）

現(xiàn)有六種元素，其中B、C、D、E為短周期主族元素，F(xiàn)、G為第四周期元素，它們的原子序數(shù)依次增大．請(qǐng)根據(jù)下列相關(guān)信息，回答問(wèn)題

B元素原子的核外p電子數(shù)比s電子數(shù)少1

C原子的第一至第四電離能分別是：

I1=738kJ/mol I2=1451kJ/mol I3=7733kJ/mol I4=10540kJ/mol

D原子核外所有p軌道全滿(mǎn)或半滿(mǎn)

E元素的主族序數(shù)與周期數(shù)的差為4

F 是前四周期原子電子軌道表示式中單電子數(shù)最多的元素

G在周期表的第十一列

（1）B基態(tài)原子中能量最高的電子，其電子云在空間有 個(gè)方向，原子軌道呈 形．

（2）C和與其左右相鄰元素原子的第一電離能由大到小的順序是 ．

（3）①DE3中心原子的雜化方式為 雜化，該分子中的鍵角比離子DE4+中的鍵角小的原因是

②將E的單質(zhì)通入到黃血鹽{K4[Fe（CN）6]}溶液中，可得到赤血鹽{K3[Fe（CN）6]}．該反應(yīng)的離子方程式為

③已知含E的一種化合物與過(guò)氧化氫發(fā)生如下反應(yīng)（已配平）：H2O2+→ +HE （請(qǐng)寫(xiě)出橫線(xiàn)上物質(zhì)的結(jié)構(gòu)式）

（4）F位于 區(qū)，價(jià)電子排布式為 ．

（5）G單質(zhì)晶體中原子的堆積方式為面心立方最密堆積（如圖），則晶胞中每個(gè)原子的配位數(shù)為 ．假設(shè)晶胞邊長(zhǎng)為a，原子半徑為r，列式表示該晶胞的空間利用率為 ．