科目: 來(lái)源: 題型:
石墨晶體是層狀結(jié)構(gòu)(如右圖),在每一層內(nèi),每一個(gè)碳原子都跟其他3個(gè)碳原子相結(jié)合,據(jù)圖分析,石墨晶體中碳原子數(shù)和共價(jià)鍵數(shù)之比為( )
A.2∶3 B.2∶1
C.1∶3 D.3∶2
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科目: 來(lái)源: 題型:
下列有關(guān)晶體的說(shuō)法正確的是( )
A.晶胞是晶體結(jié)構(gòu)的最小重復(fù)單元
B.A2型最密堆積稱為六方最密堆積
C.NaCl晶體中Cl-填在Na+所形成的空隙中
D.ZnS晶體中的S2-按A3型方式進(jìn)行最密堆積
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科目: 來(lái)源: 題型:
下列各物質(zhì)中,按熔點(diǎn)由高到低的順序排列正確的是( )
A.CH4>SiH4>GeH4>SnH4
B.KCl>NaCl>MgCl2>MgO
C.Rb>K>Na>Li
D.金剛石>SiO2>NaCl>鈉
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科目: 來(lái)源: 題型:
下列化合物,按其晶體的熔點(diǎn)由高到低排列正確的是( )
A.SiC NaCl CCl4 CF4
B.SiC NaCl CF4 CCl4
C.NaCl SiC CCl4 CF4
D.CF4 CCl4 NaCl SiC
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科目: 來(lái)源: 題型:
下列各組物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)高低比較不正確的是( )
A.金剛石>二氧化硅>晶體硅
B.MgO>MgCl2>NaCl
C.金剛石>食鹽>干冰
D.H2Se>H2S>H2O
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科目: 來(lái)源: 題型:
鎂、銅等金屬離子是人體內(nèi)多種酶的輔因子。工業(yè)上從海水中提取鎂時(shí),先制備無(wú)水氯化鎂,然后將其熔融電解,得到金屬鎂。
(1)以MgCl2為原料用熔融鹽電解法制備鎂時(shí),常加入NaCl、KCl或CaCl2等金屬氯化物,其主要作用除了降低熔點(diǎn)之外還有____________________________________________。
(2)已知MgO的晶體結(jié)構(gòu)屬于NaCl型。某同學(xué)畫出的MgO晶胞結(jié)構(gòu)示意圖如上圖所示,請(qǐng)改正圖中錯(cuò)誤:________________。
(3)Mg是第3周期元素,該周期部分元素氟化物的熔點(diǎn)見(jiàn)下表:
氟化物 | NaF | MgF2 | SiF4 |
熔點(diǎn)/K | 1 266 | 1 534 | 183 |
解釋表中氟化物熔點(diǎn)差異的原因:________________________________________
________________________________________________________________________
________________________________________________________________________
________________________________________________________________________。
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科目: 來(lái)源: 題型:
已知:硅酸鹽和石英的晶格能如下表:
硅酸鹽礦物和石英 | 晶格能(kJ·mol-1) |
橄欖石 | 4 400 |
輝石 | 4 100 |
角閃石 | 3 800 |
云母 | 3 800 |
長(zhǎng)石 | 2 400 |
石英 | 2 600 |
回答下列問(wèn)題:
(1)橄欖石和云母晶出的順序是______________。
(2)石英總是在各種硅酸鹽析出后才晶出的原因是__________。
(3)推測(cè)云母和橄欖石的熔點(diǎn)順序?yàn)開_____________________,硬度大小為_______。
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科目: 來(lái)源: 題型:
參考表中物質(zhì)的熔點(diǎn),回答有關(guān)問(wèn)題。
物質(zhì) | NaF | NaCl | NaBr | NaI | NaCl | KCl | RbCl | CsCl |
熔點(diǎn)/℃ | 995 | 801 | 755 | 651 | 801 | 776 | 715 | 646 |
物質(zhì) | SiF4 | SiCl4 | SiBr4 | SiI4 | SiCl4 | GeCl4 | SnCl4 | PbCl4 |
熔點(diǎn)/℃ | -90.2 | -70.4 | 5.2 | 120.0 | -70.4 | -49.5 | -36.2 | -15.0 |
(1)鈉的鹵化物及堿金屬的氯化物的熔點(diǎn)與鹵離子及堿金屬離子的__________有關(guān),隨著__________的增大,熔點(diǎn)依次降低。
(2)硅的鹵化物及硅、鍺、錫、鉛的氯化物的熔點(diǎn)與________________有關(guān),隨著________________增大,________________增大,故熔點(diǎn)依次升高。
(3)鈉的鹵化物的熔點(diǎn)比相應(yīng)的硅的鹵化物的熔點(diǎn)高得多,這與__________有關(guān),因?yàn)橐话鉥_________比__________的熔點(diǎn)高。
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科目: 來(lái)源: 題型:
有下列離子晶體空間示意圖:(·陽(yáng)離子,∘陰離子):
以M代表陽(yáng)離子,以N表示陰離子,寫出各離子晶體的組成表達(dá)式:A__________、B__________、C________、D________。
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科目: 來(lái)源: 題型:
將金屬晶體的密堆積方式、對(duì)應(yīng)的晶胞、配位數(shù)及其實(shí)例進(jìn)行連線。
密堆積方式 對(duì)應(yīng)的晶胞 配位數(shù) 實(shí)例
A1型 體心立方 8 Zn
A2型 六方 12 Ag
A3型 面心立方 12 Fe
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