A．b電極是陰極
B．a(chǎn)電極與電源的正極相連
C．電解過(guò)程中水是氧化劑
D．b電極附近溶液的pH變小

（1）上圖是離子交換膜法電解飽和食鹽水示意圖，電解槽陽(yáng)極產(chǎn)生的氣體是___________ NaOH溶液的出口為_(kāi)________（填字母）；精制飽和食鹽水的進(jìn)口為_(kāi)______________ （填字母）；干燥塔中應(yīng)使用的液體是__________。
（2）多晶硅主要采用SiHCl₃，還原工藝生產(chǎn)，其副產(chǎn)物SiCl₄的綜合利用受到廣泛關(guān)注。
①SiCl₄可制氣相白炭黑（與光導(dǎo)纖維主要原料相同），方法為高溫下SiCl₄與H₂和O₂反應(yīng)，產(chǎn)物有兩種，化學(xué)方程式為_(kāi)_________________________
②SiCl₄可轉(zhuǎn)化為SiHCl₃，而循環(huán)使用。一定條件下，在20 L恒容密閉容器中的反應(yīng)：
達(dá)平衡后，H₂和SiHCl₃物質(zhì)的量濃度分別為0.140mol/L和0.020 mo1/L，若H₂全部來(lái)源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物，理論上需消耗純NaCl的質(zhì)量為_(kāi)______ kg。
（3）采用無(wú)膜電解槽電解飽和食鹽水，可制取氯酸鈉，同時(shí)生成氫氣，現(xiàn)制得氯酸鈉213.0 kg，則生成氫氣___________m³（標(biāo)準(zhǔn)狀況）。

（1）電解過(guò)程中反應(yīng)的總化學(xué)方程式為_(kāi)_______________；X極附近觀察到的現(xiàn)象是____________。
（2）Y電極上的電極反應(yīng)式為_(kāi)_________________；檢驗(yàn)該電極反應(yīng)產(chǎn)物的方法是_______________。

⑴溶液A的溶質(zhì)是___________。
⑵電解飽和食鹽水的離子方程式是___________。
⑶電解時(shí)用鹽酸控制陽(yáng)極區(qū)溶液的pH在2～3。用化學(xué)平衡移動(dòng)原理解釋鹽酸的作用：___________。
⑷電解所用的鹽水需精制，去除有影響的Ca²⁺、Mg²⁺、NH₄⁺、SO₄^2-[c(SO₄^2-)>c(Ca²⁺)]。精制流程如下（淡鹽水和溶液A來(lái)自電解池）

①鹽泥a除泥沙外，還含有的物質(zhì)是___________。
②過(guò)程I中將NH₄⁺轉(zhuǎn)化為N₂的離子方程式是___________。
③BaSO₄的溶解度比BaCO₃的小。過(guò)程II中除去的離子有___________。
④經(jīng)過(guò)程III處理，要求鹽水c中剩余Na₂SO₃的含量小于5mg/L。若鹽水b中NaClO的含量是7.45mg/L，則處理10m³鹽水b至多添加10% Na₂SO₃溶液__________kg（溶液體積變化忽略不計(jì)）。

A．從E口逸出的氣體是H₂
B．從B口加入含少量NaOH的水溶液以增強(qiáng)導(dǎo)電性
C．標(biāo)準(zhǔn)狀況下每生成22. 4 L Cl₂，同時(shí)產(chǎn)生2 mol NaOH
D．粗鹽水中含Ca²⁺、Mg²⁺、Fe³⁺、SO₄^2-等離子，精制時(shí)先加Na₂CO₃溶液