下列對(duì)物質(zhì)性質(zhì)的描述中屬于分子晶體的是

A．熔點(diǎn)是97.80℃，質(zhì)軟、導(dǎo)電，密度是0.97g/cm3

B．常溫常壓下是液體，溶于水后能導(dǎo)電

C．熔點(diǎn)極高，硬度極大，液態(tài)、固態(tài)時(shí)，均不能導(dǎo)電

D．固態(tài)不能導(dǎo)電，熔點(diǎn)較高，但在熔融狀態(tài)可以導(dǎo)電

X、Y、Z、Q、W為按原予序數(shù)由小到大排列的五種短周期元素。已知：①X與Q處于同一主族，其原子價(jià)電子排布式都為ns²np²，且X原子半徑小于Q；②Y元素是地殼中含量最多的元素；W元素的電負(fù)性路小于Y元素，在W原子的價(jià)電子排布式中，p軌道上只有1個(gè)未成對(duì)電子；③Z元素的電離能數(shù)據(jù)見下表（kJ·mol^-1）

I1	I2	I3	I4	…
496	4562	6912	9540	…

請(qǐng)回答：
（1）XY₂分子的空間構(gòu)型為               。
（2）QX的晶體結(jié)構(gòu)與金剛石的相似，微粒間存在的作用力是                 。
（3）晶體ZW的熔點(diǎn)比晶體XW₄明顯高的原因是             。
（4）XY₂在高溫高壓下所形成的晶胞如圖所示。該晶體的類型屬于    （選填“分子”、“原子”、“離子”或“金屬”）漏體，該晶體中X原子的雜化形式為___    。

（5）氧化物MO的電子總數(shù)與QX的相等，則M為    。（填元素符號(hào)）；MO是優(yōu)良的耐高溫材料，其晶體結(jié)構(gòu)與ZW晶體結(jié)構(gòu)相似，MO的熔點(diǎn)比CaO的高，其原因是        。

下列各組物質(zhì)，均屬于分子晶體的是

A．碘、二硫化碳、C60	B．二硫化碳、白磷、二氧化硅
C．SO2、金剛石、銅	D．醋酸、甲烷、石墨

某離子晶體中晶體結(jié)構(gòu)最小的重復(fù)單元如圖：A為陰離子，在正方體內(nèi)，B為陽離子，分別在頂點(diǎn)和面心，則該晶體的化學(xué)式為

A．B2A

B．BA2

C．B7A4

D．B4A7

（8分）選擇下列物質(zhì)填空(填寫序號(hào))
①氯化鈣�、诟杀� ③過氧化鈉 ④氯化銨 ⑤銅晶體 ⑥氬晶體 ⑦晶體硅 ⑧石墨 
（1）固態(tài)時(shí)能導(dǎo)電的原子晶體有                    
（2）熔化時(shí)不破壞化學(xué)鍵的化合物有                 
（3）含有非極性共價(jià)鍵的離子晶體有                 
（4）晶體內(nèi)同時(shí)存在共價(jià)鍵、范德華力和金屬鍵的是               

（10分）計(jì)算題：
已知：晶體“二氧化硅”可由晶體“硅”衍生得到；下圖是晶體“硅”及“二氧化硅”的晶胞示意圖：

試回答：
（1）請(qǐng)寫出SiO₂晶體的兩種主要用途：                                  （4分）
（2）請(qǐng)寫出與晶體SiO₂化學(xué)鍵及晶體類型完全相同的兩種物質(zhì)的名稱：           （2分）
（3）已知：二氧化硅晶體的密度為ρg/cm³ , 試求二氧化硅晶體中最近的兩個(gè)Si原子之間的距離的表達(dá)式？（保留原表達(dá)式，不用化簡(jiǎn)）（4分）

已知A、B、C、D、E、F都是周期表中前四周期的元素，它們的核電荷數(shù)A<B<C<D<E<F。其中A原子核外有三個(gè)未成對(duì)電子；化合物B₂E的晶體為離子晶體，E原子核外的M層中只有兩對(duì)成對(duì)電子；C元素是地殼中含量最高的金屬元素；D單質(zhì)的晶體類型在同周期的單質(zhì)中沒有相同的；F原子核外最外層電子數(shù)與B相同，其余各層電子均充滿。請(qǐng)根據(jù)以上信息，回答下列問題：（答題時(shí)，A、B、C、D、E、F用所對(duì)應(yīng)的元素符號(hào)表示）

（1）A的簡(jiǎn)單氫化物分子中其中心原子采取________雜化，E的最高價(jià)氧化物分子的空間構(gòu)型是____________。
（2）B的氯化物的熔點(diǎn)比D的氯化物的熔點(diǎn)________（填高或低），理由是_____________.
（3）A、B、C、D的第一電離能由小到大的順序?yàn)?br /> _________________。（用元素符號(hào)表示）                      
（4）A、F形成某種化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示（其中A顯－3價(jià)），則其化學(xué)式為____________；（每個(gè)球均表示1個(gè)原子）
（5）F的價(jià)電子軌道表示式是______________，A、C形成的化合物具有高沸點(diǎn)和高硬度，是一種新型無機(jī)非金屬材料，則其化學(xué)式為______________________。

Ⅰ．第ⅢA、VA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似。試回答：
（1）Ga的基態(tài)原子的價(jià)電子的軌道排布式為                          。
（2）下列說法正確的是            （選填序號(hào)）。
A．砷和鎵都屬于p區(qū)元素   B．GaN、GaP、GaAs均為分子晶體
C．電負(fù)性：As＞Ga                  D．第一電離能Ga＞As
（3）GaAs是由(CH₃)₃Ga和AsH₃在一定條件下制得，同時(shí)得到另一物質(zhì)，該物質(zhì)分子是  （填“極性分子”或“非極性分子”）。(CH₃)₃Ga中鎵原子的雜化方式為        。
Ⅱ．氧化鈣晶體的晶胞如圖所示，試回答：

（1）晶體中Ca²⁺的配位數(shù)為             。
（2）已知Ca²⁺的半徑為a cm，O^2-的半徑為b cm，N_A代表阿伏加德羅常數(shù)，
該晶體的密度為         g/cm³。（用含a、b、N_A的代數(shù)式表示）

下列各組中，含有離子晶體、分子晶體、原子晶體各一種的是

A．KCl、 H2SO4、S	B．金剛石、NH4Cl、CH4
C．HF、 SiO2、 Al	D．金剛石、SiO2、Na2CO3