有資料表明，只有釙的晶體中的原子具有如圖所示的堆積方式，釙的外圍電子排布式是6s²6p⁴。下列關(guān)于該元素的說(shuō)法不正確的是（  ）

A 上圖的堆積方式空間利用率太低，金屬極少采取這種堆積方式               
B 釙晶體中原子的配位數(shù)為6
C 釙基態(tài)原子的能層數(shù)=周期序數(shù)=價(jià)電子數(shù)
D 釙的常見(jiàn)化合價(jià)為+4、+6、-2價(jià)

下列敘述正確的是（ ）
A 固體時(shí)能導(dǎo)電的晶體一定為金屬晶體
B 電負(fù)性差值小于1.7的A、B兩種元素，組成的化合物也可能為離子化合物
C 某晶體難溶于水、熔點(diǎn)高、固態(tài)不導(dǎo)電，熔化時(shí)導(dǎo)電，可判斷該晶體為離子晶體
D 由原子構(gòu)成的晶體均具有熔沸點(diǎn)高、硬度大的特性

鐵有δ、γ、α三種晶體結(jié)構(gòu)，以下依次是δ、γ、α三種晶體不同溫度下轉(zhuǎn)化的圖示，下列有關(guān)說(shuō)法不正確的是 (　　)

A．δ­-Fe晶體中與相鄰鐵原子距離相等且最近的鐵原子有8個(gè)

B．γ-­Fe晶體中與相鄰鐵原子距離相等且最近的鐵原子有12個(gè)

C．α­-Fe晶胞邊長(zhǎng)若為a cm，γ-­Fe晶胞邊長(zhǎng)若為b cm，則α­-Fe和γ­-Fe兩種晶體的密度比為b3∶a3

D．將鐵加熱到1500 ℃分別急速冷卻和緩慢冷卻，得到的晶體結(jié)構(gòu)不相同，但化學(xué)性質(zhì)幾乎相同

下列說(shuō)法正確的是（ ）
A 鈦和鉀都采取下面的堆積方式 

B 下圖為金屬原子在二維空間里的非密置層放置，此方式在三維空間里堆積，僅得簡(jiǎn)單立方堆積

C 若以中學(xué)教材上干冰晶體的晶胞棱長(zhǎng)為a cm，則在每個(gè)CO₂ 周?chē)�距離相等且為
的CO₂有8個(gè)
D 下圖這種金屬晶體的晶胞，是金屬原子在三維空間里以密置層采取ABCABC…堆積的結(jié)果

下列敘述不正確的是（ ）
A 金剛石晶胞（）中平均含有的碳原子數(shù)、碘晶體晶胞中平均含有的原子數(shù)均為8
B 二氧化硅晶體中最小環(huán)上的氧原子數(shù)、氯化銫晶體中氯離子的配位數(shù)均為6
C 鋅晶胞中鋅原子的配位數(shù)、氯化鈉晶體中距離鈉離子最近且相等的鈉離子數(shù)均為12
D  33g CH≡C—CH＝CH—CH₃中所含的π鍵數(shù)、12g石墨中所含的碳碳鍵數(shù)均為1.5mol

（11分）某合金由A、B、C、D 四種元素組成，這四種元素位于周期表中前四周期，A是主要成分元素，A的基態(tài)原子中有4個(gè)未成對(duì)電子。B是第一主要的合金元素，B的含量不低于11%，否則不能生成致密氧化膜BO₃防止腐蝕，B與A同周期，且原子核外未成對(duì)電子數(shù)最多。C位于周期表中第4行、第10列，D的基態(tài)原子的最外層電子數(shù)是其電子層數(shù)的2倍，未成對(duì)電子數(shù)與電子層數(shù)相等。
（1）A的原子結(jié)構(gòu)示意圖是             。A的一種晶體的晶胞如圖甲，乙圖中●和○表示的是同種原子，即乙是8個(gè)甲無(wú)隙并置的結(jié)果，若按甲圖中虛線方向切乙，得到a~d圖中正確的是      。

（2）寫(xiě)出B原子的基態(tài)的外圍電子排布式_________________，與B同周期且基態(tài)原子最外層電子數(shù)與B相同的元素，可能位于周期表中的___區(qū)和 ___區(qū)。
（3）基態(tài)D原子的外圍電子排布圖是　　　　　　　　　　　　　。據(jù)報(bào)道，只含鎂、C和D三種元素的晶體竟然具有超導(dǎo)性。該晶體的結(jié)構(gòu)（如圖示）可看作由鎂原子和C原子在一起進(jìn)行面心立方密堆積，該晶體的化學(xué)式為        。晶體中每個(gè)原子周?chē)�距離最近的原子有    個(gè)。

圖中：●表示D原子，表示C原子，表示鎂原子
（4）（已知=1.414）C_XO晶體晶胞結(jié)構(gòu)為NaCl型，由于晶體缺陷，x值為0.88，晶胞邊長(zhǎng)為4.28×10^－10m。晶胞中兩個(gè)C原子之間的最短距離為_(kāi)__________m（精確至0.01）。若晶體中的C分別為C^2﹢、C^3﹢，此晶體中C^2﹢與C^3﹢的最簡(jiǎn)整數(shù)比為_(kāi)________。

（11分）T、X、Y、Z、Q、R、W為周期表前四周期元素，原子序數(shù)依次遞增，其中某些元素的相關(guān)信息如下表：

元素	相關(guān)信息
T	T原子所處的周期數(shù)、族序數(shù)分別與其原子序數(shù)相等
X	X的基態(tài)原子中電子占據(jù)三種能量不同的原子軌道，且每種軌道中的電子數(shù)相同
Z	Z的基態(tài)原子價(jià)電子排布為
Q	在該元素所在周期中，Q的基態(tài)原子的第一電離能最小
R	3p能級(jí)上有1個(gè)電子
W	W的一種核素的質(zhì)量數(shù)為65，中子數(shù)為36

（1）X、Y、Q三種元素的電負(fù)性由大到小的順序是        （用元素符號(hào)表示）。
（2）X與Y原子結(jié)合形成的X₃Y₄晶體，晶體結(jié)構(gòu)與金剛石類似，則X₃Y₄晶體的熔點(diǎn)比金剛石要     （填“高”、“低”）。
（3）W²⁺的核外電子排布式為         。元素W與人體分泌物中的鹽酸以及空氣反應(yīng)可生成超氧酸：W＋HCl＋O₂＝WCl＋HO₂，HO₂（超氧酸）不僅是一種弱酸而且也是一種自由基，具有極高的活性。下列說(shuō)法或表示錯(cuò)誤的是       
A．氧化劑是O₂                     B．HO₂在堿中不能穩(wěn)定存在
C．氧化產(chǎn)物是HO₂          D．1 molW參加反應(yīng)有1 mol電子發(fā)生轉(zhuǎn)移
（4）X、Y、Z分別與氫元素可以構(gòu)成A、B、C、D等多種粒子。其中A、B、C均為10電子微粒，D為18電子微粒。A為5原子核的+1價(jià)陽(yáng)離子，則A⁺的中心原子雜化方式為_(kāi)______. B為4原子核的+1價(jià)陽(yáng)離子，則B⁺電子式為_(kāi)__________。C為4個(gè)原子核構(gòu)成的分子，則與C互為等電子體的分子可以是_______（寫(xiě)結(jié)構(gòu)式）。D分子中兩元素的原子個(gè)數(shù)之比為1:1，則D為    （填“極性”或“非極性”）分子。某雙原子單質(zhì)分子E也為18電子微粒，E與水的反應(yīng)的化學(xué)方程式為_(kāi)_____________________。
（5）已知25℃、101 kPa條件下：
4R（s）+3Z₂（g）    2R₂Z₃（s） △H=-2835．9 kJ／mol
4R（s）+2Z₃（g）    2R₂Z₃（s） △H=-3119．1 kJ／mol
則16g Z₂（g）完全轉(zhuǎn)化為Z₃（g）的△H=            ．

（12分）已知：G、Q、R、T、X、Y、Z都是周期表中前四周期的元素，它們的核電荷數(shù)依次增大。G的簡(jiǎn)單陰離子最外層有2個(gè)電子，Q原子最外層電子數(shù)是內(nèi)層電子數(shù)的兩倍，X元素最外層電子數(shù)與最內(nèi)層電子數(shù)相同；T₂R的晶體類型是離子晶體，Y原子基態(tài)3p原子軌道上有2個(gè)未成對(duì)電子，其單質(zhì)晶體類型屬于原子晶體；在元素周期表中Z元素位于第10列。
回答下列問(wèn)題：
⑴Z的核外電子排布式是     。
⑵X以及與X左右相鄰的兩種元素，其第一電離能由小到大的順序?yàn)?u>     。
⑶QR₂分子中，Q原子采取     雜化，寫(xiě)出與QR₂互為等電子體的一種分子的化學(xué)式：     。
⑷分子式為Q₂G₆R的物質(zhì)有兩種，其中一種易溶于水，原因是     ；T的氯化物的熔點(diǎn)比Y的氯化物的熔點(diǎn)高，原因是     。
⑸據(jù)報(bào)道，由Q、X、Z三種元素形成的一種晶體具有超導(dǎo)性，其晶體結(jié)構(gòu)如圖所示。晶體中距每個(gè)X原子周?chē)�距離最近的Q原子有     個(gè)。

（15分）氮化硅是一種重要的結(jié)構(gòu)陶瓷材料，硬度大、耐磨損。利用SiO₂和C的混合粉末在N₂的氣氛中加熱至1300℃反應(yīng)制得。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
（1）已知氮化硅的晶體結(jié)構(gòu)中，原子間都以單鍵相連，且N原子和N原子，Si原子與Si原子不直接相連，同時(shí)每個(gè)原子都滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，則氮化硅的化學(xué)式____，晶體類型是   ；
（2）基態(tài)Si原子的電子排布式為_(kāi)________；Si和C相比，電負(fù)性較大的是_________，
（3）在SiO₂晶體結(jié)構(gòu)中，O－Si－O的鍵角是_______，Si原子和周?chē)�的四個(gè)O原子組成的空間構(gòu)型為           ，SiO₂中Si的雜化類型_______；
（4）氮化硅抗腐蝕能力強(qiáng)，一般不與其他無(wú)機(jī)酸反應(yīng)，但能和氫氟酸反應(yīng)生成硅酸。試寫(xiě)出該反應(yīng)的化學(xué)方程式                            。
（5）晶體硅的晶胞如圖所示，則每個(gè)晶體硅的晶胞中含有     個(gè)硅原子。

【化學(xué)－物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】（15分）
原子序數(shù)依次遞增的甲、乙、丙、丁、戊是周期表中前30號(hào)元素，其中甲、乙、丙三元素的基態(tài)原子2p能級(jí)都有單電子，單電子個(gè)數(shù)分別是2、3、2；丁與戊原子序數(shù)相差18，戊元素是周期表中ds區(qū)的第一種元素�；卮鹣铝袉�(wèn)題：
（1）甲能形成多種常見(jiàn)單質(zhì)，在熔點(diǎn)較低的單質(zhì)中，每個(gè)分子周?chē)�緊鄰的分子數(shù)為     ；在熔點(diǎn)很高的兩種常見(jiàn)單質(zhì)中，X的雜化方式分別為       、        。
（2）14g乙的單質(zhì)分子中π鍵的個(gè)數(shù)為_(kāi)__________。
（3）+1價(jià)氣態(tài)基態(tài)陽(yáng)離子再失去一個(gè)電子形成+2價(jià)氣態(tài)基態(tài)陽(yáng)離子所需要的能量稱為第
二電離能I₂，依次還有I₃、I₄、I₅…，推測(cè)丁元素的電離能突增應(yīng)出現(xiàn)在第       電離能。
（4）戊的基態(tài)原子有       種形狀不同的原子軌道；
（5）丙和丁形成的一種離子化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖，該晶體中陽(yáng)離子的配位數(shù)為         。距一個(gè)陰離子周?chē)�最近的所有�?yáng)離子為頂點(diǎn)構(gòu)成的幾何體為              。已知該晶胞的密度為ρ g/cm³，阿伏加德羅常數(shù)為N_A，求晶胞邊長(zhǎng)a=__________cm。 (用含ρ、N_A的計(jì)算式表示)

（6）甲、乙都能和丙形成原子個(gè)數(shù)比為1：3的常見(jiàn)微粒，推測(cè)這兩種微粒的空間構(gòu)型為