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科目: 來源:不詳 題型:單選題

NaF、NaI、MgO晶體均為離子晶體,根據(jù)下列數(shù)據(jù),這三種晶體的熔點高低順序是(  )。
物質(zhì)
①NaF
②NaI
③MgO
離子電荷數(shù)
1
1
2
離子間距離/10-10 m
2.31
3.18
2.10
 
A.①>②>③       B.③>①>②
C.③>②>①       D.②>①>③

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科目: 來源:不詳 題型:單選題

下列熱化學(xué)方程式中,能直接表示出氯化鈉晶體晶格能的是(  )。
A.Na(g)+Cl(g)=NaCl(s) ΔH
B.Na(s)+Cl2(g)=NaCl(s) ΔH1
C.Na(s)=Na(g) ΔH2
D.Na(g)-e=Na(g) ΔH3

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科目: 來源:不詳 題型:單選題

如圖是CsCl晶體的晶胞結(jié)構(gòu)(晶體中最小重復(fù)單元),已知晶體中兩個最近的Cs核間距離為a cm,氯化銫的式量為M,NA為阿伏加德羅常數(shù),則氯化銫晶體的密度為(  )。
A.g·cm-3B.g·cm-3
C.g·cm-3D.g·cm-3

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科目: 來源:不詳 題型:填空題

Ⅰ.已知下列金屬晶體:Na、Po、K、Fe、Cu、Mg、Zn、Au。其堆積方式為:
(1)簡單立方堆積的是____________________________________________;
(2)鉀型的是______________________________________________________;
(3)鎂型的是______________________________________________________;
(4)銅型的是_____________________________________________________。
Ⅱ.A、B、C、D都是短周期元素,原子半徑D>C>A>B,已知:A、B處于同一周期,A、C處于同一主族;C原子核內(nèi)的質(zhì)子數(shù)等于A、B原子核內(nèi)的質(zhì)子數(shù)之和;C原子最外層電子數(shù)是D原子最外層電子數(shù)的4倍。
試回答:
(1)這四種元素分別是:A______,B______,C______,D______(填元素名稱)。
(2)這四種元素單質(zhì)的熔點由高到低的順序是________(填元素名稱)。
(3)C的固態(tài)氧化物是________晶體,D的固態(tài)單質(zhì)是________晶體。
(4)寫出A、B、D組成的化合物與B、C組成的化合物相互反應(yīng)的化學(xué)方程式_______________________________________________________________。

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科目: 來源:不詳 題型:單選題

氮化硅是一種新合成的超硬、耐磨、耐高溫的材料。下列對氮化硅的敘述中,正確的是(  )。
A.氮化硅是分子晶體
B.氮化硅是原子晶體
C.氮化硅是離子晶體
D.氮化硅化學(xué)式為Si4N3

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科目: 來源:不詳 題型:單選題

下表是某些原子晶體的熔點和硬度
原子晶體
金剛石
氮化硼
碳化硅
石英


熔點/℃
3 900
3 000
2 700
1 710
1 410
1 211
硬度
10
9.5
9.5
7
6.5
6.0
 
分析表中的數(shù)據(jù),判斷下列敘述正確的是(  )。
①構(gòu)成原子晶體的原子種類越多,晶體的熔點越高
②構(gòu)成原子晶體的原子間的共價鍵鍵能越大,晶體的熔點越高
③構(gòu)成原子晶體的原子的半徑越大,晶體的硬度越大
④構(gòu)成原子晶體的原子的半徑越小,晶體的硬度越大
A.①②     B.③④      C.①③      D.②④

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科目: 來源:不詳 題型:填空題

通常人們把拆開1 mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱,也可用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱(ΔH),化學(xué)反應(yīng)的ΔH等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。
化學(xué)鍵
Si—O
Si—Cl
H—H
H—Cl
Si—Si
Si—C
鍵能/kJ·mol-1
460
360
436
431
176
347
 
請回答下列問題:
(1)比較下列兩組物質(zhì)的熔點高低(填“>”或“<”)。SiC____________Si;SiCl4____________SiO2。
(2)下圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個原子,請在立方體的頂點用“●”表示出與之緊鄰的硅原子。

(3)工業(yè)上高純硅可通過下列反應(yīng)制。篠iCl4(g)+2H2(g)Si(s)+4HCl(g)該反應(yīng)的反應(yīng)熱ΔH=________ kJ·mol-1

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科目: 來源:不詳 題型:單選題

下列晶體中由原子直接構(gòu)成的單質(zhì)有(  )。
A.硫B.生鐵C.金剛石D.金屬鎂

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科目: 來源:不詳 題型:單選題

下列性質(zhì)適合于分子晶體的是(  )。
A.熔點1 070 ℃,易溶于水,水溶液能導(dǎo)電
B.熔點10.31 ℃,液態(tài)不導(dǎo)電,水溶液導(dǎo)電
C.難溶于CS2,熔點1 128 ℃,沸點4 446 ℃
D.熔點97.81 ℃,質(zhì)軟導(dǎo)電,密度0.97 g·cm-3

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科目: 來源:不詳 題型:單選題

下列有關(guān)分子晶體熔點的高低敘述中,正確的是(  )。
A.Cl2>I2B.SiCl4>CCl4
C.N2>O2D.C(CH34>CH3CH2CH2CH2CH3

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同步練習(xí)冊答案