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科目: 來源:不詳 題型:單選題

下列關于SiO2和CO2的敘述中不正確的是(  )。
A.都是共價化合物
B.SiO2可用于制光導纖維,干冰可用于人工降雨
C.都能溶于水且與水反應生成相應的酸
D.都是酸性氧化物,都能與強堿溶液反應

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科目: 來源:不詳 題型:單選題

壽山石主要成分為葉蠟石,葉蠟石組成為Al2O3·4SiO2·H2O,下列觀點不正確的是(  )。
A.壽山石雕刻作品要避免與酸、堿接觸
B.壽山石顏色豐富多彩是因為含有不同形態(tài)的金屬氧化物
C.潮濕的空氣可能導致壽山石作品表面溶解變質(zhì)
D.置于干燥空氣中可能會導致壽山石作品脫水變質(zhì)

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科目: 來源:不詳 題型:單選題

青石棉(crocidolite)是世界衛(wèi)生組織確認的一種致癌物質(zhì),是《鹿特丹公約》中受限制的46種化學品之一,青石棉的化學式為Na2Fe5Si8O22(OH)2,青石棉用稀硝酸處理時,還原產(chǎn)物只有NO,下列說法中正確的是(  )。
A.青石棉是一種易燃品,且易溶于水
B.青石棉的化學組成用氧化物的形式可表示為:Na2O·3FeO·Fe2O3·8SiO2·H2O
C.1 mol Na2Fe5Si8O22(OH)2與足量的硝酸作用,至少需消耗8.5 L 2 mol·L-1 HNO3溶液
D.1 mol Na2Fe5Si8O22(OH)2與足量氫氟酸作用,至少需消耗7 L 2 mol·L-1 HF溶液

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科目: 來源:不詳 題型:填空題

如何除去下列各粉末狀混合物中的雜質(zhì)(括號內(nèi)為雜質(zhì)),請選用下面提供的試劑和操作,將標號填在表內(nèi)。
供選試劑:A鹽酸;B燒堿溶液;C氧氣;D水;ECO2;F不用其他試劑
供選操作:①加熱;②加熱熔融;③過濾;④結晶
含雜質(zhì)的物質(zhì)
所加試劑
主要操作
(1)SiO2(NaHCO3)
 
 
(2)SiO2(CaCO3)
 
 
(3)SiO2(Si)
 
 
(4)NaCl(SiO2)
 
 
 

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科目: 來源:不詳 題型:填空題

已知A、B、C、D、E、F、G、H可以發(fā)生如下圖所示的轉(zhuǎn)化,反應中部分生成物已略去。其中,A、G為同一主族元素的單質(zhì),B、C、H在通常情況下為氣體,化合物C是一種形成酸雨的大氣污染物。

請?zhí)羁眨?br />(1)寫出E的兩種用途           、           
(2)反應②的離子方程式為                               。
(3)反應③的化學方程式是                               。
(4)反應④的離子方程式是                               
(5)寫出一個由A生成H的置換反應方程式:                               。

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科目: 來源:不詳 題型:實驗題

晶體硅是一種重要的非金屬材料,制備純硅的主要步驟如下:
①高溫下用過量的碳還原二氧化硅制得粗硅,同時得到一種可燃性氣體;
②粗硅與干燥的HCl氣體反應制得SiHCl3(Si+3HClSiHCl3+H2);
③SiHCl3與過量的H2在1 100~1 200 ℃的溫度下反應制得純硅,已知SiHCl3能與水劇烈反應,在空氣中易自燃。
請回答:
(1)第一步制取粗硅的化學反應方程式為                        
(2)粗硅與HCl氣體反應完全后,經(jīng)冷凝得到的SiHCl3(沸點33.0 ℃)中含有少量SiCl4(沸點57.6 ℃)和HCl(沸點-84.7 ℃),提純SiHCl3采用的方法為                      。
(3)實驗室用SiHCl3與過量的H2反應制取純硅裝置如圖所示(加熱和夾持裝置略去):

①裝置B中的試劑是      ,裝置C中的燒杯需要加熱,目的是                    
②反應一段時間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是                               ,裝置D不能采用普通玻璃管的原因是                              ,裝置D中發(fā)生反應的化學方程式是                               
③為保證制備純硅實驗的成功,操作的關鍵是檢查實驗裝置的氣密性,控制好反應溫度以及                               。

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科目: 來源:不詳 題型:填空題

某;瘜W研究性學習小組,在學習金屬的冶煉以后對一氧化碳還原金屬氧化物的實驗非常感興趣,他們查閱有關資料后發(fā)現(xiàn),一氧化碳的制備可利用甲酸和濃硫酸共熱到60~80 ℃發(fā)生脫水反應制。
HCOOHCO↑+H2O
請根據(jù)以下各圖幫他們組裝成一套相對合理的實驗裝置圖(某些裝置可重復使用)。

回答以下問題:
(1)合理實驗裝置的連接順序是(寫小寫字母)       。
(2)在反應時一定要先通一會一氧化碳氣體,然后再點燃加熱氧化鐵的酒精燈,原因是       
A.因為一般反應從左到右進行
B.排除體系內(nèi)的空氣,使反應過程更安全
C.甲酸與濃硫酸反應可以產(chǎn)生大量的CO
D.此反應加熱時間長有利于產(chǎn)生CO
(3)請說出你所選擇的第一個NaOH洗氣瓶的作用是                                  
(4)在觀察到硬質(zhì)玻璃管中的物質(zhì)由       色完全變?yōu)?u>       色時停止加熱,然后繼續(xù)           ,原因是防止鐵被氧化。
(5)硬質(zhì)玻璃管中發(fā)生反應的化學方程式為                           。
(6)該實驗的一個優(yōu)點是把實驗過程中的尾氣利用排水法收集起來,收集的氣體前后有幾瓶,分別按收集的先后順序編號,點燃各個瓶中的氣體,中間編號的集氣瓶中氣體           ,編號最先和最后的集氣瓶中氣體       ,原因是                    。

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科目: 來源:不詳 題型:實驗題

單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎材料。通常用炭在高溫下還原二氧化硅制得粗硅(含鐵、鋁、硼、磷等雜質(zhì)),粗硅與氯氣反應生成四氯化硅(反應溫度450~500℃),四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實驗室制備四氯化硅的裝置示意圖。

相關信息:①四氯化硅遇水極易水解;②SiCl4沸點為57.7℃,熔點為-70.0℃。請回答:
(1)寫出裝置A中發(fā)生反應的離子方程式                                          。
(2)裝置C中的試劑是             ;裝置F的作用是                            
裝置E中的h瓶需要冷卻的理由是                                            。
(3)裝置E中h瓶收集到的粗產(chǎn)物可通過精餾(類似多次蒸餾)得到高純度四氯化硅,精餾后的殘留物中含有鐵元素,為了分析殘留物中鐵元素的含量,先將殘留物預處理,使鐵元素還原成Fe2,再用KMnO4標準溶液在酸性條件下進行氧化還原滴定。
①反應的離子方程式:                                                       。
②滴定前是否要滴加指示劑?    (填“是”或“否”),請說明理由                  。
③滴定前檢驗Fe3是否被完全還原的實驗操作是                                 。

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科目: 來源:不詳 題型:單選題

下列化學物質(zhì)在實際生產(chǎn)生活和科技等方面的應用不正確的是
A.測定NaOH熔點時,可以將NaOH放入石英坩堝中高溫加熱
B.石英砂可以用于制取高純度的硅,硅是將太陽能轉(zhuǎn)化為電能的常用材料
C.因為氨易液化,液氨在氣化時會吸收大量的熱量,所以液氨可作制冷劑
D.硫酸和硝酸都是重要的工業(yè)原料,工業(yè)上可用于制化肥、農(nóng)藥和炸藥

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科目: 來源:不詳 題型:填空題

(15分)高純晶體硅是信息技術的關鍵材料。
(1)硅元素位于周期表的______周期______族。下面有關硅材料的說法中正確的是__________(填字母)。
A.碳化硅化學性質(zhì)穩(wěn)定,可用于生產(chǎn)耐高溫水泥
B.氮化硅硬度大、熔點高,可用于制作高溫陶瓷和軸承
C.高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料———光導纖維
D.普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的,故在玻璃尖口點燃H2時出現(xiàn)黃色火焰
E.鹽酸可以與硅反應,故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅
(2)工業(yè)上用石英砂和焦炭可制得粗硅。
已知:

請將以下反應的熱化學方程式補充完整:
SiO2(s) + 2C(s) ="==" Si(s) + 2CO(g)   △H = ________
(3)粗硅經(jīng)系列反應可生成硅烷(SiH4),硅烷分解生成高純硅。已知硅烷的分解溫度遠低于甲烷,用原子結構解釋其原因:_________,Si元素的非金屬性弱于C元素,硅烷的熱穩(wěn)定性弱于甲烷。
(4)將粗硅轉(zhuǎn)化成三氯氫硅(SiHCl3),進一步反應也可制得高純硅。
①SiHCl3中含有的SiCl4、AsCl3等雜質(zhì)對晶體硅的質(zhì)量有影響。根據(jù)下表數(shù)據(jù),可用________ 方法提純SiHCl3
物質(zhì)
SiHCl3
SiCl4
AsCl3
沸點/℃
32.0
57.5
131.6
②用SiHCl3制備高純硅的反應為SiHCl3(g) +H2(g) Si(s) + 3HCl(g), 不同溫度下,SiHCl3的平衡轉(zhuǎn)化率隨反應物的投料比(反應初始時,各反應物的物質(zhì)的量之比)的變化關系如右圖所示。下列說法正確的是________(填字母序號)。

a.該反應的平衡常數(shù)隨溫度升高而增大
b.橫坐標表示的投料比應該是
c.實際生產(chǎn)中為提高SiHCl3的利用率,應適當升高溫度
③整個制備過程必須嚴格控制無水無氧。SiHCl3遇水劇烈反應生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì),寫出配平的化學反應方程式:____________________。

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