(2010?大連二模)[選修-化學(xué)與技術(shù)]
氟化鈉是一種微溶于水的鹽,實(shí)驗(yàn)室可通過(guò)圖所示的流程以氟硅酸(H2SiF6)等物質(zhì)為原料制取氟化鈉,并得到副產(chǎn)品氯化銨;

已知:20℃時(shí)氯化銨的溶解度為37.2g,Na2SiF6微溶于水,請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)上述流程中①②分別發(fā)生化學(xué)反應(yīng),寫出相關(guān)的化學(xué)方程式:
H2SiF6+6NH4HCO3═6NH4F+H2SiO3↓+6CO2↑+3H2O
H2SiF6+6NH4HCO3═6NH4F+H2SiO3↓+6CO2↑+3H2O
;②
NH4F+NaCl═NaF↓+NH4Cl
NH4F+NaCl═NaF↓+NH4Cl

(2)請(qǐng)指出I-IV實(shí)驗(yàn)操作的名稱;操作I
過(guò)濾
過(guò)濾
,操作II
結(jié)晶
結(jié)晶
,操作III
洗滌
洗滌
,操作IV
重結(jié)晶
重結(jié)晶

(3)操作II的具體過(guò)程是
待母液全部濾出后,再向?yàn)V紙上加蒸餾水至恰好浸沒(méi)晶體,靜置讓其濾出,重復(fù)操作2-3次,以除去晶體表面的雜質(zhì)
待母液全部濾出后,再向?yàn)V紙上加蒸餾水至恰好浸沒(méi)晶體,靜置讓其濾出,重復(fù)操作2-3次,以除去晶體表面的雜質(zhì)

(4)流程①中的NH4HCO3必須過(guò)量,其原因的是
保證H2SiF6能全部反應(yīng),防止生成Na2SiF6沉淀,混入NaF中影響NaF質(zhì)量
保證H2SiF6能全部反應(yīng),防止生成Na2SiF6沉淀,混入NaF中影響NaF質(zhì)量
分析:(1)根據(jù)已知反應(yīng)物和生成物,結(jié)合工藝流程可知,反應(yīng)①為H2SiF6與NH4HCO3反應(yīng),生成的無(wú)味氣體為CO2,過(guò)濾硅酸渾濁液,向?yàn)V液加入氯化鈉,經(jīng)過(guò)系列操作可得氟化鈉、氯化銨,故濾液中含有氟化銨,故反應(yīng)①為H2SiF66與NH4HCO3反應(yīng),生成CO2、硅酸、氟化銨,根據(jù)元素守恒還有水生成;
反應(yīng)②加入的反應(yīng)物為NaCl,NaF比NaCl的溶解性小,是將第一步生成的NH4F轉(zhuǎn)化為NaF;
(2)加入的反應(yīng)物為NaCl,NaF比NaCl的溶解性小,利用了物質(zhì)在溶液中溶解度越小則優(yōu)先析出的特性.操作Ⅰ是把固體與液體分離操作,應(yīng)是過(guò)濾操作;操作II是將粗NaF洗滌除去其表面的雜質(zhì);操作Ⅲ是將濾液中的溶質(zhì)進(jìn)一步提取,應(yīng)加熱蒸發(fā)溶劑,析出大量固體后冷卻,應(yīng)是結(jié)晶;操作IV進(jìn)行粗氯化銨提純,應(yīng)是重結(jié)晶;
(3)操作II是將粗NaF洗滌除去其表面的雜質(zhì);
(4)由信息可知,Na2SiF6微溶于水,流程中NH4HCO3必須過(guò)量,是指第一步操作中必須保證H2SiF6能全部反應(yīng),以防止反應(yīng)②生成Na2SiF6
解答:解:(1)反應(yīng)①為H2SiF66與NH4HCO3反應(yīng),生成CO2、硅酸、氟化銨、水,反應(yīng)方程式為:H2SiF6+6NH4HCO3═6NH4F+H2SiO3↓+6CO2↑+3H2O;
反應(yīng)②是將第一步生成的NH4F轉(zhuǎn)化為NaF,反應(yīng)方程式為:NH4F+NaCl═NaF↓+NH4Cl,
故答案為:H2SiF6+6NH4HCO3═6NH4F+H2SiO3↓+6CO2↑+3H2O;NH4F+NaCl═NaF↓+NH4Cl;
(2)操作Ⅰ是把固體與液體分離操作,應(yīng)是過(guò)濾操作;
操作II是將粗NaF洗滌除去其表面的雜質(zhì);
操作Ⅲ是將濾液中的溶質(zhì)進(jìn)一步提取,應(yīng)加熱蒸發(fā)溶劑,析出大量固體后冷卻,應(yīng)是結(jié)晶;
操作IV進(jìn)行粗氯化銨提純,應(yīng)是重結(jié)晶,
故答案為:過(guò)濾;洗滌;結(jié)晶;重結(jié)晶;
(3)操作II是將粗NaF洗滌除去其表面的雜質(zhì),操作為:待母液全部濾出后,再向?yàn)V紙上加蒸餾水至恰好浸沒(méi)晶體,靜置讓其濾出,重復(fù)操作2-3次,以除去晶體表面的雜質(zhì),
故答案為:待母液全部濾出后,再向?yàn)V紙上加蒸餾水至恰好浸沒(méi)晶體,靜置讓其濾出,重復(fù)操作2-3次,以除去晶體表面的雜質(zhì);
(4)流程中NH4HCO3必須過(guò)量,是指第一步操作中必須保證H2SiF6能全部反應(yīng),防止生成Na2SiF6沉淀,防止在進(jìn)行反應(yīng)②H2SiF6將與NaCl反應(yīng),生成Na2SiF6沉淀,混入NaF中影響NaF質(zhì)量,
故答案為:保證H2SiF6能全部反應(yīng),防止生成Na2SiF6沉淀,混入NaF中影響NaF質(zhì)量.
點(diǎn)評(píng):本題主要考查了化學(xué)與工業(yè)生產(chǎn)的相關(guān)知識(shí)、閱讀題目與工藝流程獲取信息能力、物質(zhì)的分離提純、對(duì)實(shí)驗(yàn)操作的理解等,難度中等,理解工藝流程是解題關(guān)鍵,需要學(xué)生具備扎實(shí)的基礎(chǔ)與綜合運(yùn)用信息分析問(wèn)題、解決問(wèn)題的能力.
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③向硫酸鐵溶液中加入KSCN變?yōu)榧t色
④新制氯水久置后變?yōu)闊o(wú)色;
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實(shí)驗(yàn)操作 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/TD>
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