分析 (1)CuSO4和Cu(NO3)2中陽離子為Cu2+,其價(jià)電子排布式為[Ar]3d9,同周期主族元素的第一電離能,隨著原子序數(shù)的增大,有增大的趨勢,但第VA族大于第VIA族元素,同主族元素,隨著原子序數(shù)的增加,第一電離能逐漸減;
(2)根據(jù)VSEPR理論和雜化軌道理論判斷NO3-的空間構(gòu)型,求等電子體常采用上下左右平移元素,同時(shí)調(diào)電子的方法求解;
(3)CuSO4的熔點(diǎn)為560°C,Cu(NO3)2的熔點(diǎn)為115℃,二者都是離子晶體,晶格能越大,熔點(diǎn)越高,晶格能和離子半徑和離子電荷有關(guān);
(4)往CuSO4溶液中加人過量NaOH能生成配合物[Cu(OH)4]2-,為配離子,OH-與Cu2+之間是配位鍵,用箭頭表示;
(5)乙醛分子的結(jié)構(gòu)式為:,醛基為平面型,甲基為四面體型,據(jù)此判斷兩個(gè)C的雜化方式;
(6)①根據(jù)Cu2O的晶胞結(jié)構(gòu),已知A、B、C的原子坐標(biāo)分別為(0,0,0),B(1,0,0),C($\frac{1}{2}$,$\frac{1}{2}$,$\frac{1}{2}$),注意到其中存在的正四面體構(gòu)型,根據(jù)立體幾何寫出D的原子坐標(biāo);
②根據(jù)晶體的密度公式:$ρ=\frac{z{M}_{r}}{{N}_{A}V}$計(jì)算,其中z為一個(gè)晶胞的粒子數(shù),Mr為一個(gè)粒子的相對質(zhì)量,V為一個(gè)晶胞的體積,晶胞的空間利用率=$\frac{{V}_{球}}{{V}_{晶胞}}×100%$,據(jù)此計(jì)算.
解答 解:(1)CuSO4和Cu(NO3)2中陽離子為Cu2+,其價(jià)電子排布式為[Ar]3d9,
同周期主族元素的第一電離能,隨著原子序數(shù)的增大,有增大的趨勢,但第VA族大于第VIA族元素,同主族元素,隨著原子序數(shù)的增加,第一電離能逐漸減小,則S、O、N三種元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)椋篘>O>S,
故答案為:[Ar]3d9;N>O>S;
(2)對于NO3-,根據(jù)VSEPR理論,中心N原子的配位原子數(shù)為BP=3,孤電子對數(shù)為LP=$\frac{5-2×3+1}{2}$=0,則價(jià)電子對數(shù)為VP=BP+LP=3+0=3,根據(jù)雜化軌道理論,中心N原子為sp2雜化,則其空間構(gòu)型為平面三角形,
等電子體是指原子數(shù)目相同,價(jià)電子數(shù)相同的粒子,則與NO3-互為等電子體的粒子有BF3,或BCl3,BBr3,
故答案為:平面三角形;BF3;
(3)CuSO4的熔點(diǎn)為560°C,Cu(NO3)2的熔點(diǎn)為115℃,二者都是離子晶體,晶格能越大,熔點(diǎn)越高,晶格能和離子半徑和離子電荷有關(guān),離子電荷越高,半徑越小,則晶格能越大,這里SO42-所帶電荷比NO3-大,故CuSO4的晶格能較大,熔點(diǎn)較高,
故答案為:CuSO4和Cu(NO3)2均為離子晶體,SO42-所帶電荷比NO3-大,故CuSO4的晶格能較大,熔點(diǎn)較高;
(4)往CuSO4溶液中加人過量NaOH能生成配合物[Cu(OH)4]2-,為配離子,OH-與Cu2+之間是配位鍵,用箭頭表示,則不考慮空間構(gòu)型[Cu(OH)4]2-的結(jié)構(gòu)可用示意圖表示為,
故答案為:;
(5)乙醛分子的結(jié)構(gòu)式為:,醛基為平面型,甲基為四面體型,則C的雜化方式有sp2、sp3,
故答案為:sp2、sp3;
(6)①根據(jù)Cu2O的晶胞結(jié)構(gòu),已知A、B、C的原子坐標(biāo)分別為(0,0,0),B(1,0,0),C($\frac{1}{2}$,$\frac{1}{2}$,$\frac{1}{2}$),注意到其中存在的正四面體構(gòu)型,根據(jù)立體幾何知識(shí),不難發(fā)現(xiàn)D原子在AC之間的一半處,則D的原子坐標(biāo)為($\frac{1}{4}$,$\frac{1}{4}$,$\frac{1}{4}$),根據(jù)晶胞內(nèi)粒子數(shù)目的關(guān)系,白色的原子有$8×\frac{1}{8}+1$=2個(gè),黑色的原子有4個(gè),因此D原子為Cu,
故答案為:($\frac{1}{4},\frac{1}{4},\frac{1}{4}$);Cu;
②若Cu2O晶體的密度為d g/cm,Cu和O的原子半徑分別為r(Cu) pm和r(O) pm,取1mol晶胞,則含有NA個(gè)晶胞,根據(jù)硬球接觸模型,AC之間距離為$\overline{AC}$=[r(Cu)+r(O)]pm,根據(jù)立體幾何知識(shí),不難求出晶胞參數(shù)為a=$\frac{2[r(Cu)+r(O)]}{\sqrt{3}}$pm,則一個(gè)晶胞的體積為V0=a3pm3=a3×10-30cm3,1mol晶胞的質(zhì)量為m=2×16+4×64=288g,則晶體的密度為d=$\frac{m}{{N}_{A}{V}_{0}}$=$\frac{288}{{N}_{A}•{V}_{0}}$g/cm3,所以,一個(gè)晶胞的體積V0=$\frac{288}{{N}_{A}•d}$cm3=$\frac{288}{{N}_{A}•d}×1{0}^{30}$pm3,一個(gè)晶胞中含有2個(gè)O,4個(gè)Cu,則晶胞中球體積為V球=$2×\frac{4}{3}π{r}^{3}(O)+4×\frac{4}{3}π{r}^{3}(Cu)$=$\frac{8}{3}π{r}^{3}(O)+\frac{16}{3}π{r}^{3}(Cu)$,一個(gè)晶胞的體積為V0pm3,因此,晶胞的空間利用率=$\frac{{V}_{球}}{{V}_{0}}×100%$═$\frac{\frac{8}{3}π{r}^{3}(O)+\frac{16}{3}π{r}^{3}(Cu)}{\frac{288}{{N}_{A}•d}×1{0}^{30}}×100%$=$\frac{πd{N}_{A}[2{r}^{3}(Cu)+{r}^{3}(O)]×1{0}^{-30}}{108}×100%$,
故答案為:$\frac{πd{N}_{A}[2{r}^{3}(Cu)+{r}^{3}(O)]×1{0}^{-30}}{108}×100%$.
點(diǎn)評(píng) 本題考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)知識(shí),包含價(jià)電子排布式,價(jià)層電子對互斥理論和雜化軌道理論判斷粒子的空間構(gòu)型,等電子體原理,配合物的性質(zhì),有機(jī)物中C原子的雜化方式的判斷,原子坐標(biāo)的書寫,晶胞的計(jì)算,涉及的知識(shí)點(diǎn)較多.值得一提的是,原子坐標(biāo)的書寫和晶胞的空間利用率均屬于大學(xué)無機(jī)化學(xué)的知識(shí),要記住“1”即“0”,其中B的坐標(biāo)其實(shí)就是(0,0,0),注意正四面體構(gòu)型的存在.本題難度中等.
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
X | |||
Z | W | Y |
A. | Y的氣態(tài)氫化物比X的氫化物沸點(diǎn)低 | |
B. | Z元素的氧化物屬于堿性氧化物 | |
C. | 原子半徑由小到大的順序?yàn)椋篨<Z<Y<W | |
D. | Y元素最高價(jià)氧化物對應(yīng)的水化物化學(xué)式為H3YO4 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 推廣使用一次性木筷,減少疾病傳染 | |
B. | 將地溝油回收重新加工為食用油,提高資源的利用率 | |
C. | 推廣使用電動(dòng)汽車、天然氣汽車等公共交通工具,保護(hù)環(huán)境 | |
D. | 推廣使用煤的氣化、液化技術(shù)可減少二氧化碳等溫室氣體的排放 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 簡單離子半徑:Z>W(wǎng)>X>Y | |
B. | W、X形成的化合物中一定含有離子鍵 | |
C. | 最簡單氫化物的還原性:Z>W(wǎng) | |
D. | 工業(yè)上常用電解熔融氯化物的方法制備X、Y的單質(zhì) |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 反應(yīng)速率VB(正)=VC(逆) | B. | B、C物質(zhì)的量之比保持不變 | ||
C. | B的體積分?jǐn)?shù)不變 | D. | 混合氣體的密度保持不變 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 乙烯和H2生成乙烷的反應(yīng)△H>0 | |
B. | 加入催化劑,降低了E活,并減小了反應(yīng)的△H | |
C. | 圖1表明,催化加氫過程中催化劑參與反應(yīng)過程并形成不穩(wěn)定的中間體 | |
D. | 圖2表明,催化加氫過程中催化劑將較難發(fā)生的反應(yīng)分成了多個(gè)容易發(fā)生的反應(yīng),可提高反應(yīng)物的轉(zhuǎn)化率 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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