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18.美國的研究人員合成了一種直接帶隙同素異形體的新型硅材料.
①在2013年,華盛頓卡內基研究所的TimothyStrobel和他的同事發(fā)現(xiàn)了Na4Si24,在真空下將Na4Si24加熱至400K,逐漸趕走鈉原子,得到了一種正交同素異形體的新型硅Si24.該反應化學方程式為Na4Si24$\frac{\underline{\;400K\;}}{\;}$4Na+Si24
②硅可用作半導體材料,在此材料上集合多種電子元器件的電路模塊可用來制作手機芯片.
③下列有關硅材料說法正確的是B (填字母).
A.鹽酸可以與硅反應,故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅
B.氮化硅硬度大、熔點高,可用于制作高溫陶瓷和軸承
C.普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂組成的,其熔點很高
D.高純度的硅可用于制造高性能通訊材料-光導纖維.

分析 ①在真空下將Na4Si24加熱至400K,逐漸趕走鈉原子,得到了一種正交同素異形體的新型硅Si24,反應方程式為:Na4Si24$\frac{\underline{\;400K\;}}{\;}$4Na+Si24
②硅可用半導體材料,在此材料上集合多種電子元器件的電路模塊可用來制作手機芯片;
③A.硅與鹽酸不反應;
B.原子晶體熔點高硬度大;
C.玻璃屬于混合物,沒有固定的熔點;
D.光導纖維的成份是二氧化硅.

解答 解:①在真空下將Na4Si24加熱至400K,逐漸趕走鈉原子,得到了一種正交同素異形體的新型硅Si24,反應方程式為:Na4Si24$\frac{\underline{\;400K\;}}{\;}$4Na+Si24,故答案為:Na4Si24$\frac{\underline{\;400K\;}}{\;}$4Na+Si24;
②硅可用半導體材料,在此材料上集合多種電子元器件的電路模塊可用來制作手機芯片,故答案為:半導體;
③A.硅與鹽酸不反應,故錯誤;
B.原子晶體熔點高硬度大,可用于制作高溫陶瓷和軸承,故正確;
C.玻璃屬于混合物,沒有固定的熔點,故錯誤;
D.光導纖維的成份是二氧化硅,故錯誤;
故選B.

點評 本題考查硅和二氧化硅的性質,題目難度中等,注意硅與二氧化硅的性質.

練習冊系列答案
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A.a點水的離子積Kw=1.0×10-14
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C.c點:c(Cl-)=c(NH4+
D.d點后,溶液溫度略下降的主要原因是NH3•H2O電離吸熱

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6.N、P、As、Ga、Cr等元素化合物種類繁多,具有重要的研究價值和應用價值.請回答下列問題:
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(2)PCl3和PCl5是磷元素形成的兩種重要化合物,請根據價電子互斥理論推測PCl3的空間構型三角錐形.
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(4)Cr元素價電子排布式為3d54s1
(5)砷化鎵以第三代半導體著稱,性能比硅更優(yōu)良,廣泛用于雷達、電子計算機、人造衛(wèi)星、宇宙飛船等尖端技術中已
知砷化鎵的晶胞結構如圖所示,則砷化鎵晶胞結構與NaCl晶胞不同(填“相同”或“不同”).
(6)根據As和Ga在元素周期表中的位置判斷,第一電離能As>Ga(填“<”“>”或“=”).
(7)(CH33Ga中鎵原子的雜化類型為sp2雜化.

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13.下列有關膠體與溶液的敘述錯誤的是( 。
A.都是混合物B.膠體比溶液更隱定
C.都屬于分散系D.用丁達爾效應區(qū)分膠體與溶液

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3.對可逆反應2A(s)+3B(g)?C(g)+2D(g);△H<0,在一定條件下達到平衡,下列有關敘述正確的是( 。
①增加A的量,平衡向正反應方向移動        
②增大B的濃度,v(正)>v(逆)
③壓強增大一倍(壓縮體積),平衡不移動,v(正)、v(逆)不變
④升高溫度,平衡向逆反應方向移動,v(逆)增大、v(正)減小
⑤加入催化劑,B的轉化率提高.
A.①②B.C.③④D.④⑤

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10.短周期元素X、Y、Z、W在元素周期表中的相對位置如圖所示,已知Y、W的原子序數之和是Z的3倍,下列說法正確的是( 。
YZ
XW
A.原子半徑:X<Y<Z
B.最高價氧化物的水化物的酸性:Y<W
C.原子序數:X>W>Z>Y
D.Z、Y的單質均可與H2反應,且反應的劇烈程度:Y>Z

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7.一定條件下,2SO2(g)+O2(g)?2SO3(g)△H<0.下列有關敘述正確的是(  )
A.升高溫度,v(正)變大,v(逆)變小
B.恒溫恒容,平衡前后混合氣體的密度保持不變
C.恒溫恒壓,充入N2,平衡不移動
D.恒溫恒容,充入O2,O2的轉化率升高

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