工業(yè)上用碳還原SiO2制取單質(zhì)硅會(huì)發(fā)生如下副反應(yīng):SiO2+3C==SiC+2CO↑.該反應(yīng)中氧化劑與還原劑的質(zhì)量比為


  1. A.
    36∶60
  2. B.
    60∶36
  3. C.
    1∶2
  4. D.
    1∶3
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣.
(1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅,工業(yè)上可以按如下步驟制備高純硅.
Ⅰ.高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅;
Ⅱ.粗硅與干燥的氯氣在450~500℃條件下反應(yīng)制得SiCl4;
Ⅲ.SiCl4液體經(jīng)精餾提純后與過(guò)量H2在1 100~1 200℃條件下反應(yīng)制得高純硅.
已知SiCl4沸點(diǎn)為57.6℃,能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng).1mol H2與SiCl4氣體完全反應(yīng)吸收的熱量為120.2kJ.
請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
①第Ⅲ步反應(yīng)的熱化學(xué)方程式為
2H2(g)+SiCl4(g)
 1100-1200℃ 
.
 
Si(s)+4HCl(g)△H=+240.4kJ?mol-1
2H2(g)+SiCl4(g)
 1100-1200℃ 
.
 
Si(s)+4HCl(g)△H=+240.4kJ?mol-1

②整個(gè)制備純硅的過(guò)程中必須嚴(yán)格控制在無(wú)水無(wú)氧的條件下.SiCl4在潮濕的空氣中因水解而產(chǎn)生白色煙霧,其生成物是
H2SiO3(或H4SiO4)和HCl
H2SiO3(或H4SiO4)和HCl
;H2還原SiCl4過(guò)程中若混入O2,可能引起的后果是
爆炸
爆炸

(2)二氧化硅被大量用于生產(chǎn)玻璃.工業(yè)上用SiO2、Na2CO3和CaCO3共283kg在高溫下完全反應(yīng)時(shí)放出CO2 44kg,生產(chǎn)出的玻璃可用化學(xué)式Na2SiO3?CaSiO3?xSiO2表示,則其中x=
4
4

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。

(1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅,工業(yè)上可以按如下步驟制備純硅:

Ⅰ.高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅

Ⅱ.粗硅與干燥的氯氣在450 ℃~500 ℃ 反應(yīng)制得SiCl4

Ⅲ.  SiCl4液體經(jīng)精餾提純后與過(guò)量H2在1100 ℃~1200 ℃ 反應(yīng)制得純硅

已知SiCl4沸點(diǎn)為57.6 ℃,能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng)。1 mol H2與SiCl4氣體完全反應(yīng)吸收的熱量為120.2 kJ。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:

① 第Ⅰ步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為                                       ,第Ⅲ步反應(yīng)的熱化學(xué)方程式是                                                   。

②整個(gè)制備純硅過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧。SiCl4在潮濕的空氣中因水解而產(chǎn)生白色煙霧,其生成物是           ;H2還原SiCl4過(guò)程中若混O2,可能引起的后果是        。

(2)二氧化硅大量用于生產(chǎn)玻璃。工業(yè)上用SiO2、Na2CO3和CaCO3共283 kg在高溫下完全反應(yīng)時(shí)放出CO2 44 kg,生產(chǎn)出的玻璃可用化學(xué)式Na2SiO3·CaSiO3·xSiO2表示,則其中x          。

 

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

(1)工業(yè)上用碳在高溫下與二氧化硅反應(yīng)制取粗硅。反應(yīng)的化學(xué)方程式為:  

SiO2+2CSi+2CO↑,在該反應(yīng)中氧化劑是_____________________________,被氧化

的物質(zhì)與被還原的物質(zhì)的物質(zhì)的量之比是____________________________。

(2)請(qǐng)寫(xiě)出銅和稀硝酸反應(yīng)的化學(xué)方程式:                                     ,若制得標(biāo)準(zhǔn)狀況下的氣體 4.48L,則參加反應(yīng)的硝酸的物質(zhì)的量為_(kāi)_______ mol,轉(zhuǎn)移電子的物質(zhì)的量為_(kāi)_______   mol.

 

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2011屆福建省廈門(mén)外國(guó)語(yǔ)學(xué)校高三11月月考化學(xué)試卷 題型:填空題

硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。
(1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅,工業(yè)上可以按如下步驟制備純硅:
Ⅰ.高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅
Ⅱ.粗硅與干燥的氯氣在450 ℃~500 ℃ 反應(yīng)制得SiCl4
Ⅲ.  SiCl4液體經(jīng)精餾提純后與過(guò)量H2在1100 ℃~1200 ℃ 反應(yīng)制得純硅
已知SiCl4沸點(diǎn)為57.6 ℃,能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng)。1 mol H2與SiCl4氣體完全反應(yīng)吸收的熱量為120.2 kJ。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
① 第Ⅰ步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為                                       ,第Ⅲ步反應(yīng)的熱化學(xué)方程式是                                                   。
②整個(gè)制備純硅過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧。SiCl4在潮濕的空氣中因水解而產(chǎn)生白色煙霧,其生成物是          ;H2還原SiCl4過(guò)程中若混O2,可能引起的后果是        。
(2)二氧化硅大量用于生產(chǎn)玻璃。工業(yè)上用SiO2、Na2CO3和CaCO3共283 kg在高溫下完全反應(yīng)時(shí)放出CO2 44 kg,生產(chǎn)出的玻璃可用化學(xué)式Na2SiO3·CaSiO3·xSiO2表示,則其中x         。

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2010-2011學(xué)年福建省高三11月月考化學(xué)試卷 題型:填空題

硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。

(1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅,工業(yè)上可以按如下步驟制備純硅:

Ⅰ.高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅

Ⅱ.粗硅與干燥的氯氣在450 ℃~500 ℃ 反應(yīng)制得SiCl4

Ⅲ.  SiCl4液體經(jīng)精餾提純后與過(guò)量H2在1100 ℃~1200 ℃ 反應(yīng)制得純硅

已知SiCl4沸點(diǎn)為57.6 ℃,能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng)。1 mol H2與SiCl4氣體完全反應(yīng)吸收的熱量為120.2 kJ。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:

① 第Ⅰ步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為                                        ,第Ⅲ步反應(yīng)的熱化學(xué)方程式是                                                   。

②整個(gè)制備純硅過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧。SiCl4在潮濕的空氣中因水解而產(chǎn)生白色煙霧,其生成物是           ;H2還原SiCl4過(guò)程中若混O2,可能引起的后果是        

(2)二氧化硅大量用于生產(chǎn)玻璃。工業(yè)上用SiO2、Na2CO3和CaCO3共283 kg在高溫下完全反應(yīng)時(shí)放出CO2 44 kg,生產(chǎn)出的玻璃可用化學(xué)式Na2SiO3·CaSiO3·xSiO2表示,則其中x          

 

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