【題目】向蔗糖中加入濃硫酸,現(xiàn)象如圖所示.關于該實驗的說法中不正確的是( )
A.蔗糖變黑體現(xiàn)了濃硫酸的脫水性
B.蔗糖體積膨脹變成疏松多孔的海綿狀物質炭
C.實驗中有大量氣體產生體現(xiàn)了濃硫酸的強酸性
D.將產生的氣體通入品紅溶液,溶液會褪色
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【題目】三室式電滲析法處理含Na2SO4廢水的原理如圖所示,采用惰性電極,ab、cd均為離子交換膜,在直流電場的作用下,兩膜中間的Na+和SO42﹣可通過離子交換膜,而兩端隔室中離子被阻擋不能進入中間隔室.下列敘述正確的是( )
A.通電后中間隔室的SO42﹣離子向正極遷移,正極區(qū)溶液pH增大
B.該法在處理含Na2SO4廢水時可以得到NaOH和H2SO4產品
C.負極反應為2H2O﹣4e﹣=O2+4H+ , 負極區(qū)溶液pH降低
D.當電路中通過1mol電子的電量時,會有0.5mol的O2生成
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【題目】已知酸性K2Cr2O7溶液可與FeSO4反應生成Fe3+和Cr3+ , 現(xiàn)將硫酸酸化的K2Cr2O7溶液與FeSO4溶液混合,充分反應后再向所得溶液中加入KI溶液,混合溶液中Fe3+的物質的量隨加入的KI的物質的量的變化關系如圖所示,下列說法中不正確的是( )
A.圖中AB段的氧化劑為K2Cr2O7
B.圖中BC段發(fā)生的反應為2Fe3++2I﹣═2Fe2++I2
C.開始加入的K2Cr2O7為0.25 mol
D.共有1molFeSO4被氧化
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【題目】[化學--選修3:物質結構與性質]鍺(Ge)是典型的半導體元素,在電子、材料等領域應用廣泛.回答下列問題:
(1)基態(tài)Ge原子的核外電子排布式為[Ar] , 有個未成對電子.
(2)Ge與C是同族元素,C原子之間可以形成雙鍵、叁鍵,但Ge原子之間難以形成雙鍵或叁鍵.從原子結構角度分析,原因是 .
(3)比較下列鍺鹵化物的熔點和沸點,分析其變化規(guī)律及原因 .
GeCl4 | GeBr4 | GeI4 | |
熔點/℃ | ﹣49.5 | 26 | 146 |
沸點/℃ | 83.1 | 186 | 約400 |
(4)光催化還原CO2制備CH4反應中,帶狀納米Zn2GeO4是該反應的良好催化劑.Zn、Ge、O電負性由大至小的順序是 .
(5)Ge單晶具有金剛石型結構,其中Ge原子的雜化方式為 , 微粒之間存在的作用力是 .
(6)晶胞有兩個基本要素:①原子坐標參數,表示晶胞內部各原子的相對位置,如圖為Ge單晶的晶胞,其中原子坐標參數A為(0,0,0);B為( ,0, );C為( , ,0).則D原子的坐標參數為 .
②晶胞參數,描述晶胞的大小和形狀,已知Ge單晶的晶胞參數a=565.76pm,其密度為 gcm﹣3(列出計算式即可).
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科目:高中化學 來源: 題型:
【題目】下列各組物質中不能按如圖所示的關系一步轉化的是( )
選項 | 甲 | 乙 | 丙 | 丁 |
A | S | SO2 | SO3 | H2SO4 |
B | Al | Al2O3 | AlCI3 | Al(OH)3 |
C | Na | Na2O2 | Na2CO3 | NaOH |
D | Si | SiO2 | Na2SO3 | H2SiO3 |
A.A
B.B
C.C
D.D
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【題目】甲、乙、丙、丁四種物質的轉化關系如圖所示,其中甲、乙為單質,丙、丁為化合物.
①若工業(yè)上用該反應制粗硅寫出該反應的化學方程式:________.
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【題目】如圖所示的五元環(huán)代表A,B,C,D,E五種化合物,圓圈交叉部分指兩種化合物含有一種相同元素,五種化合物由五種短周期元素形成,每種化合物僅含兩種元素,A是沼氣的主要成分,B、E分子中所含電子數均為18,B不穩(wěn)定,具有較強的氧化性,其稀溶液是醫(yī)療上廣泛使用的消毒劑,E的分子結構模型為 ,C可作為光導纖維的主要材料,D中所含兩種元素的原子個數比為3:4,電子總數之比為3:2.根據以上信息回答下列問題:
(1)B為二元弱酸,其水溶液顯弱酸性,則B在水溶液的第一步電離方程式可表示為 .
(2)D的化學式是 , E電子式為 .
(3)液態(tài)B與液態(tài)E反應可生成一種氣態(tài)單質和一種常見液體,1molB參加反應放出熱量QkJ,其反應的熱化學方程式 .
(4)NH3分子中的N原子有一對孤對電子,能發(fā)生反應:NH3+HCl=NH4Cl.E與NH3分子類似,也可與HCl發(fā)生反應,試寫出E與足量鹽酸發(fā)生反應的化學方程式
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