(1)第ⅢA、ⅤA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導(dǎo)體材料,其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似.Ga原子的電子排布式為________.在GaN晶體中,與同一個(gè)Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為________.在四大晶體類型中,GaN屬于________晶體.
(2)銅、鐵元素能形成多種配合物.微粒間形成配位鍵的條件是:一方是能夠提供孤電子對(duì)的原子或離子,另一方是具有________的原子或離子
(3)
CuCl2溶液與乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配離子:請(qǐng)回答下列問題:①H、N、O三種元素的電負(fù)性由大到小的順序是________.
②SO2分子的空間構(gòu)型為________.與SnCl4互為等電子體的一種離子的化學(xué)式為________
③乙二胺分子中氮原子軌道的雜化類型為________.乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均屬于胺,但乙二胺比三甲胺的沸點(diǎn)高的多,原因是________.
④
(3)中所形成的配離子中含有的化學(xué)鍵類型有________.a.配位鍵
b.極性鍵
c.離子鍵
d.非極性鍵
⑤CuCl的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,其中Cl原子的配位數(shù)為________.
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
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科目:高中化學(xué) 來源:2012-2013年福建霞浦一中高一下學(xué)期第一次月考化學(xué)試卷(帶解析) 題型:填空題
A、B、C、D、E五種短周期主族元素,原子序數(shù)依次增大。A原子的核外電子數(shù)等于最外層電子數(shù);B原子的最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的2倍;C原子的M層電子數(shù)與L層電子數(shù)相差7;D原子的最外層電子數(shù)是A、B、C三原子的最外層電子數(shù)之和。回答下列問題。
(1)元素B在周期表中的位置為第 周期 族;元素D簡單離子的結(jié)構(gòu)示意圖為 。
(2)元素C、D簡單離子的半徑由大到小的順序?yàn)?用離子符號(hào)表示) 。
(3)元素B可形成離子BH3-,下列與其具有相同電子數(shù)和質(zhì)子數(shù)的微粒是 。
A.NH4+ B.OH- C.F- D.HS-
(4)元素A、C組成化合物甲CA,甲能與水反應(yīng)產(chǎn)生一種強(qiáng)堿和一種氣體,該反應(yīng)的化學(xué)方程式為 。
(5)A元素有aA、a+1A、a+2A三種同位素,E元素有eE、e+2E兩種同位素,二者所形成分子的相對(duì)分子質(zhì)量有 種。
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科目:高中化學(xué) 來源:2015屆福建霞浦一中高一下學(xué)期第一次月考化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題
A、B、C、D、E五種短周期主族元素,原子序數(shù)依次增大。A原子的核外電子數(shù)等于最外層電子數(shù);B原子的最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的2倍;C原子的M層電子數(shù)與L層電子數(shù)相差7;D原子的最外層電子數(shù)是A、B、C三原子的最外層電子數(shù)之和;卮鹣铝袉栴}。
(1)元素B在周期表中的位置為第 周期 族;元素D簡單離子的結(jié)構(gòu)示意圖為 。
(2)元素C、D簡單離子的半徑由大到小的順序?yàn)?用離子符號(hào)表示) 。
(3)元素B可形成離子BH3-,下列與其具有相同電子數(shù)和質(zhì)子數(shù)的微粒是 。
A.NH4+ B.OH- C.F- D.HS-
(4)元素A、C組成化合物甲CA,甲能與水反應(yīng)產(chǎn)生一種強(qiáng)堿和一種氣體,該反應(yīng)的化學(xué)方程式為 。
(5)A元素有aA、a+1A、a+2A三種同位素,E元素有eE、e+2E兩種同位素,二者所形成分子的相對(duì)分子質(zhì)量有 種。
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