下列說法中不正確的是
A.在金剛石晶體最小的碳原子環(huán)上有6個(gè)碳原子
B.在氯化銫晶體中每一個(gè)Cs+周圍與其等距離且最近的Cl-有8個(gè)
C.在氯化鈉晶體中每一個(gè)Na+周圍與其等距離且最近的Na+有12個(gè)
D.水是一種非常穩(wěn)定的化合物,這是由于水分子間能形成氫鍵的緣故
B
在氯化銫晶體中每一個(gè)Cs+周圍與其等距離且最近的Cl-有3×8/2=12個(gè),即選項(xiàng)B不正確,其余都是正確的,答案選B。
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

在氯化鈉晶體中,與每個(gè)Na等距離且最近的幾個(gè)Cl所圍成的空間構(gòu)型為( )
A.十二面體B.正六面體C.正八面體D.正四面體

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

以下四種物質(zhì),其中A、B各代表一種離子晶體的晶胞,C代表一種合金的晶胞,D則代表一個(gè)由A、B原子組成的團(tuán)簇分子,其中化學(xué)式錯(cuò)誤的是(   )
              
A.AB            B.XY3Z            C.EF                 D.AB

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

將石墨置于熔融的鉀或氣態(tài)鉀中,石墨會(huì)吸收鉀而形成稱為鉀石墨的物質(zhì),其組成是 C8K、C24K、C36K、C48K和C60K。在鉀石墨中,鉀原子把價(jià)電子交給石墨層,但在遇到與金屬鉀易反應(yīng)的其他物質(zhì)時(shí)還會(huì)收回。在鉀石墨中,鉀元素處于石墨層中間,因而石墨層之間被脹大,層間的距離增加。下列對(duì)鉀石墨的敘述中正確的是(  )
A.鉀石墨是一類高分子化合物
B.鉀石墨導(dǎo)電性比石墨強(qiáng)
C.鉀石墨與水相遇不發(fā)生任何反應(yīng)
D.題干所舉出的5種鉀石墨屬于同素異形體

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

下列物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)高低順序中,正確的是
A.金剛石>晶體硅>二氧化硅>碳化硅B.CI4>CBr4>CCl4>CH4
C.MgO>O2>N2>H2OD.金剛石>生鐵>純鐵>鈉

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

下列性質(zhì)適合于某種原子晶體的是
A.熔點(diǎn)1070℃,易溶于水,水溶液導(dǎo)電
B.熔點(diǎn)10.32℃,液態(tài)不導(dǎo)電,水溶液導(dǎo)電
C.能溶于CS2,熔點(diǎn)444.6℃
D.熔點(diǎn)3550℃,很硬,不溶于水,不導(dǎo)電

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

現(xiàn)有四種晶體,其離子排列方式如圖所示,其中化學(xué)式不屬于AB型的是

A              B               C                D

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

(12分)已知:G、Q、R、T、X、Y、Z都是周期表中前四周期的元素,它們的核電荷數(shù)依次增大。G的簡單陰離子最外層有2個(gè)電子,Q原子最外層電子數(shù)是內(nèi)層電子數(shù)的兩倍,X元素最外層電子數(shù)與最內(nèi)層電子數(shù)相同;T2R的晶體類型是離子晶體,Y原子基態(tài)3p原子軌道上有2個(gè)未成對(duì)電子,其單質(zhì)晶體類型屬于原子晶體;在元素周期表中Z元素位于第10列。
回答下列問題:
⑴Z的核外電子排布式是     。
⑵X以及與X左右相鄰的兩種元素,其第一電離能由小到大的順序?yàn)?u>     。
⑶QR2分子中,Q原子采取     雜化,寫出與QR2互為等電子體的一種分子的化學(xué)式:     
⑷分子式為Q2G6R的物質(zhì)有兩種,其中一種易溶于水,原因是     ;T的氯化物的熔點(diǎn)比Y的氯化物的熔點(diǎn)高,原因是     
⑸據(jù)報(bào)道,由Q、X、Z三種元素形成的一種晶體具有超導(dǎo)性,其晶體結(jié)構(gòu)如圖所示。晶體中距每個(gè)X原子周圍距離最近的Q原子有     個(gè)。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

(15分)A、B、C、D、E、F六種元素,A、B、C屬于第四周期元素且單質(zhì)均為固體,原子處于基態(tài)時(shí)A、B原子核外電子均成對(duì),且核電荷數(shù)A>B;C與A在周期表屬于同一區(qū)的元素,如圖是金屬B和C所形成的某種合金的晶胞結(jié)構(gòu)示意圖;D、E、F均位于p區(qū),D原子在基態(tài)時(shí)p軌道半充滿且電負(fù)性是同族元素中最大的;E、F的原子均有三個(gè)能層,E原子的第一至第四電離能(kj/mol)分別為:578、1817、2745、ll575;E與F能形成原子數(shù)目比為1:3、熔點(diǎn)為190℃的化合物Q

(1)寫出A的基態(tài)核外電子排布式                     ;用最簡式表示B、C形成合金的組成
          (用B、C元素符號(hào)表示)。該合金的密度為 a g/cm3,其晶胞的邊長為          
(2)C2+和A2+都能與NH3、H20等形成配位數(shù)為4的配合物。[A(NH3)4]2+和[C(NH3)4]2+空間構(gòu)型不同且都具有對(duì)稱性,則[C(NH3)4]2+的空間構(gòu)型為             。[A(NH3)4]2+中A原子軌道的雜化方式為                         。
(3) 含有D、碳、硫三種元素的負(fù)一價(jià)離子中,所有原子均滿足最外層8電子結(jié)構(gòu),一個(gè)電子是由硫原子所得,則其電子式為             。
(4)實(shí)驗(yàn)測得氣態(tài)無水Q在1.Ol×105 Pa、t1℃的密度為5.OO g·L-1、氣體摩爾體積為53.4 L·mol-,則此時(shí)Q的組成為(寫化學(xué)式)              ,

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