Question

（2013?保定一模）[化學(xué)-選修物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
納米技術(shù)制成的金屬燃料、非金屬固體燃料、氫氣等已應(yīng)用到社會生活和高科技領(lǐng)域．
單位質(zhì)量的A和B單質(zhì)燃燒時均放出大量熱，可用作燃料．已知A和B為短周期元素，其原子的第一至第四電離能如下表所示：

電離能（kJ/mol）	I1	I2	I3	I4
A	932	1821	15390	21771
B	738	1451	7733	10540

（1）某同學(xué)根據(jù)上述信息，推斷B的核外電子排布如右圖所示，
該同學(xué)所畫的電子排布圖違背了

能量最低原理

．
（2）根據(jù)價層電子對互斥理論，預(yù)測A和氯元素形成的簡單分子空間構(gòu)型為

直線形

．
（3）氫氣作為一種清潔能源，必須解決它的儲存問題，C₆₀可用作儲氫材料．已知金剛石中的C-C的鍵長為154.45pm，C₆₀中C-C鍵長為145～140pm，有同學(xué)據(jù)此認(rèn)為C₆₀的熔點(diǎn)高于金剛石，你認(rèn)為是否正確

不正確

，并闡述理由

C₆₀是分子晶體，熔化時不需破壞化學(xué)鍵

．
（4）科學(xué)家把C₆₀和鉀摻雜在一起制造了一種富勒烯化合物，其晶胞如圖所示，該物質(zhì)在低溫時是一種超導(dǎo)體．寫出基態(tài)鉀原子的電子排布式

1s²2s²2p⁶3s²3p⁶4s¹

，該物質(zhì)的K原子和C₆₀分子的個數(shù)比為

3：1

．
（5）繼C₆₀后，科學(xué)家又合成了Si₆₀、N₆₀，C、Si、N原子電負(fù)性由大到小的順序是

N＞C＞Si

．Si₆₀分子中每個硅原子只跟相鄰的3個硅原子形成共價鍵，且每個硅原子最外層都滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，則Si₆₀分子中π鍵的數(shù)目為

30

．

Answer 1

分析：（1）根據(jù)A、B兩原子的第二、三電離能之間都有1個突躍，它們都是短周期元素推知元素A和元素B；根據(jù)核外電子排布所遵循的原理找出電子排布圖的錯誤，
（2）根據(jù)價層電子對互斥理論，求出n，得出分子構(gòu)型，
（3）根據(jù)分子晶體的熔點(diǎn)與共價鍵的鍵能無關(guān)，
（4）根據(jù)電子排布規(guī)律，寫出鉀原子電子排布式；根據(jù)晶胞的分配原則計(jì)算出每個晶胞結(jié)構(gòu)各離子的個數(shù)，
（5）根據(jù)同一周期，同一主族，元素電負(fù)性變化規(guī)律，比較元素電負(fù)性大小；根據(jù)每個硅原子最外層才滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，得出每個硅原子只有

1

2

個π鍵；

解答：解：（1）表中A、B兩原子的第二、三電離能之間都有1個突躍，說明它們屬于ⅡA族，又它們都是短周期元素，且A的第一電離能比B大，因此，A為Be元素，B為Mg元素，圖1所示電子排布，根據(jù)能量最低原理，最外層兩個電子應(yīng)全排在s軌道上，
故答案：能量最低原理；
（2）A和氯元素形成的簡單分子為BeCl₂，根據(jù)價層電子對互斥理論 n=

2+1×2

2

=2，為直線形，
   
故答案：直線形；     
（3）盡管C₆₀中C-C鍵的鍵能可能大于金剛石，但其熔化時并不破壞化學(xué)鍵，因此比較鍵能沒有意義，
故答案：不正確，C₆₀是分子晶體，熔化時不需破壞化學(xué)鍵；  
（4）鉀原子的原子序數(shù)為21，其電子排布式：1s²2s²2p⁶3s²3p⁶4s¹； 在晶胞中，K原子和C₆₀分子的個數(shù)比為（12÷2）：（8÷8+1）=3：1，
故答案：1s²2s²2p⁶3s²3p⁶4s¹ 3：1；
（5）同一周期，從左到右，電負(fù)性逐漸增大，同一主族，從上到下，電負(fù)性逐漸減小，因此，原子電負(fù)性由大到小的順序是：N＞C＞Si，根據(jù)題意，每個硅形成的這3個鍵中，必然有1個雙鍵，這樣每個硅原子最外層才滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)．顯然，雙鍵數(shù)應(yīng)該是Si原子數(shù)的一半，而每個雙鍵有1個π鍵，顯然π鍵數(shù)目為30．
故答案：N＞C＞Si；30．

點(diǎn)評：本題主要考查了電離能、電負(fù)性、電電子排布圖、分子的空間構(gòu)型等，試題涉及的知識點(diǎn)較多，學(xué)生做起來有些困難．