下列熱化學(xué)方程式中，能直接表示出氯化鈉晶體晶格能的是(　　)

A．Na＋(g)＋Cl－(g)===NaCl(s)　ΔH

B．Na(s)＋Cl2(g)===NaCl(s)　ΔH1

C．Na(s)===Na(g)　　　　　　 ΔH2

D．Na(g)－e－===Na＋(g)　　　 ΔH3


A　[1 mol氣態(tài)鈉離子和1 mol氣態(tài)氯離子結(jié)合生成1 mol氯化鈉晶體釋放出的熱能為氯化鈉晶體的晶格能。]


練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：


某課外活動(dòng)小組在學(xué)習(xí)CO的化學(xué)性質(zhì)時(shí)，準(zhǔn)備做CO還原CuO的實(shí)驗(yàn)。下面是同學(xué)們?cè)O(shè)計(jì)的四套實(shí)驗(yàn)裝置圖。從安全和能源充分利用的角度來(lái)看，你認(rèn)為最理想的實(shí)驗(yàn)裝置是（   ）

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：


通常人們把拆開(kāi)1mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱，也可用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱(ΔH)，化學(xué)反應(yīng)的ΔH等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。

化學(xué)鍵

Si—O

Si－Cl

H－H

H－Cl

Si－Si

Si－C

鍵能/kJ·mol－1

460

360

436

431

176

347

請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

(1)比較下列兩組物質(zhì)的熔點(diǎn)高低(填“＞”或“＜”)。

SiC________Si；SiCl4________SiO2。

(2)下圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個(gè)原子，請(qǐng)?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“●”表示出與之緊鄰的硅原子。

(3)工業(yè)上高純硅可通過(guò)下列反應(yīng)制取：

SiCl4(g)＋2H2(g)Si(s)＋4HCl(g)

該反應(yīng)的反應(yīng)熱ΔH＝________kJ·mol－1。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：


A、B、C、D分別代表四種不同的短周期元素。A元素的原子最外層電子排布為ns1，

B元素的原子價(jià)電子排布為ns2np2，C元素的最外層電子數(shù)是其電子層數(shù)的3倍，D元素原子的M電子層的p亞層中有1個(gè)電子。

(1)C原子的電子排布式為_(kāi)_______________________________________________，

若A元素的原子最外層電子排布為1s1，則按原子軌道的重疊方式，A與C形成的化合

物中的共價(jià)鍵屬于________鍵。

(2)當(dāng)n＝2時(shí)，B的原子結(jié)構(gòu)示意圖為_(kāi)_________，B與C形成的化合物晶體屬于____________晶體。當(dāng)n＝3時(shí)，B與C形成的化合物的晶體中微粒間的作用力是_____。

(3)

若D元素與Fe形成某種晶體，該晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示，則晶體的化學(xué)式是___(用元素符號(hào)表示)；若晶胞的邊長(zhǎng)為a nm，則合金的密度為_(kāi)_____________g·cm－3。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：


NaF、NaI、MgO晶體均為離子晶體，根據(jù)下列數(shù)據(jù)，這三種晶體的熔點(diǎn)高低順序是(　　)

物質(zhì)

①NaF

②NaI

③MgO

離子電荷數(shù)

1

1

2

離子間距離/10－10m

2.31

3.18

2.10

A.①>②>③              B．③>①>②

C．③>②>①             D．②>①>③

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：


A、B為兩種短周期元素，A的原子序數(shù)大于B，且B原子的最外層電子數(shù)為A原

子最外層電子數(shù)的3倍。A、B形成的化合物是中學(xué)化學(xué)常見(jiàn)的化合物，該化合物熔融

時(shí)能導(dǎo)電。試回答下列問(wèn)題：

(1)A、B的元素符號(hào)分別是________、________。

(2)用電子式表示A、B元素形成化合物的過(guò)程：_____________________________

________________________________________________________________________。

(3)A、B所形成的化合物的晶體結(jié)構(gòu)與氯化鈉晶體結(jié)構(gòu)相似，則每個(gè)陽(yáng)離子周?chē)?/p>

________個(gè)陰離子；晶體中陰、陽(yáng)離子數(shù)之比為_(kāi)_________。

(4)A、B所形成化合物的晶體的熔點(diǎn)比NaF晶體的熔點(diǎn)________，其判斷的理由是

________________________________________________________________________________________________________________________________________________。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：


下列指定微粒的個(gè)數(shù)比為2∶1的是(　　)

A．Be2＋離子中的質(zhì)子和電子

B.H原子中的中子和質(zhì)子

C．NaHCO3晶體中的陽(yáng)離子和陰離子

D．BaO2(過(guò)氧化鋇)固體中的陰離子和陽(yáng)離子

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：


離子晶體一般不具有的特征是(　　)

A．熔點(diǎn)較高、硬度較大

B．易溶于水而難溶于有機(jī)溶劑

C．干燥時(shí)不能導(dǎo)電

D．離子間距離較大，其密度較小

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：


據(jù)某科學(xué)雜志報(bào)道，國(guó)外有一研究機(jī)構(gòu)發(fā)現(xiàn)了一種新的球形分子，它的分子式為C60Si60，其分子結(jié)構(gòu)酷似中國(guó)傳統(tǒng)工藝“鏤雕”，經(jīng)測(cè)定其中包含C60，并且也有Si60結(jié)構(gòu)，下列敘述不正確的是(　　)

A．該物質(zhì)有很高的熔點(diǎn)，很大的硬度

B．該物質(zhì)形成的晶體屬于分子晶體

C．該物質(zhì)分子中C60被包裹在Si60里面

D．該物質(zhì)的相對(duì)分子質(zhì)量為2 400

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