Se是半導體材料，也是補硒保健品中的元素，工業(yè)上提取硒的方法之一是用H2SO4和NaNO3處理含Se的工業(yè)廢料而得到亞硒酸(H2SeO3)和少量硒酸(H2SeO4)Se是半導體材料，也是補硒保健品中的元素，工業(yè)上提取硒的方法之一是用H2SO4和NaNO3處理含Se的工業(yè)廢料而得到亞硒酸(H2SeO3)和少量硒酸(H2SeO4)．硒酸與鹽酸共熱可生成亞硒酸，反應為H2SeO4+2HCl＝H2SeO3+Cl2↑+H2O，當SO2通入亞硒酸溶液中有單質(zhì)硒析出．據(jù)此，下列說法中正確的是


  1. A.
    H2SeO4氧化性強于Cl2
  2. B.
    H2SeO3氧化性強于稀H2SO4
  3. C.
    SeO2的還原性強于SO2
  4. D.
    析出1mol Se需H2SeO3，SO2，H2O各1mol
A
根據(jù)題目的條件，結合氧化還原反應的有關知識，可知本題答案為A項導解：根據(jù)題目的條件，結合氧化還原反應的有關知識，可知本題答案為A項．
練習冊系列答案
相關習題

科目：高中化學 來源： 題型：

Ga和As在一定條件下可以合成GaAs，GaAs是一種新型化合物半導體材料，其性能比硅更優(yōu)越．多元化合物薄膜太陽能電池材料為無機鹽，其主要包括砷化鎵、硫化鎘、硫化鋅及銅錮硒薄膜電池等．
（1）Ga在元素周期表的位置是
第四周期第IIIA族
第四周期第IIIA族
，As的原子結構示意圖
．
（2）Ga的原子核外電子排布式為：
1s22s22p63s23p63d104s24p1
1s22s22p63s23p63d104s24p1
．
（3）GaCl3和AsF3的空間構型分別是：GaCl3
平面三角形
平面三角形
，AsF3
三角錐形
三角錐形
．
（4）第IV A族的C和Si也可以形成類似的化合物半導體材料SiC，其結構跟金剛石相似，則SiC屬于
原子
原子
晶體，并寫出其主要的物理性質(zhì)
硬度大、熔點高
硬度大、熔點高
  （任2種）．
（5）第一電離能：As
＞
＞
Se（填“＞”、“＜”或“=”）．
（6）硫化鋅的晶胞中（結構如圖所示），硫離子的配位數(shù)是
4
4
．
（7）二氧化硒分子的空間構型為
V形
V形
，寫出它的1個等電子體的分子式
O3（或SO2）
O3（或SO2）
．

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科目：高中化學 來源：活題巧解巧練·高一化學（下） 題型：013

Se是半導體材料，也是補硒保健品中的元素，工業(yè)上提取硒的方法之一是用H2SO4和NaNO3處理含Se的工業(yè)廢料而得到亞硒酸(H2SeO3)和少量硒酸(H2SeO4)．硒酸與鹽酸共熱可生成亞硒酸，反應為H2SeO4＋2HCl＝H2SeO3＋Cl2↑＋H2O，當SO2通入亞硒酸溶液中有單質(zhì)硒析出．據(jù)此，下列說法中正確的是

[　　]

A．H2SeO4氧化性強于Cl2

B．H2SeO3氧化性強于稀H2SO4

C．SeO2的還原性強于SO2

D．析出1mol Se需H2SeO3，SO2，H2O各1mol

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：填空題

Ga和As在一定條件下可以合成GaAs，GaAs是一種新型化合物半導體材料，其性能比硅更優(yōu)越．多元化合物薄膜太陽能電池材料為無機鹽，其主要包括砷化鎵、硫化鎘、硫化鋅及銅錮硒薄膜電池等．
（1）Ga在元素周期表的位置是______，As的原子結構示意圖______．
（2）Ga的原子核外電子排布式為：______．
（3）GaCl3和AsF3的空間構型分別是：GaCl3______，AsF3______．
（4）第IV A族的C和Si也可以形成類似的化合物半導體材料SiC，其結構跟金剛石相似，則SiC屬于______晶體，并寫出其主要的物理性質(zhì)______  （任2種）．
（5）第一電離能：As______Se（填“＞”、“＜”或“=”）．
（6）硫化鋅的晶胞中（結構如圖所示），硫離子的配位數(shù)是______．
（7）二氧化硒分子的空間構型為______，寫出它的1個等電子體的分子式______．
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