A、 圖中,插入海水中的鐵棒,越靠近底端腐蝕越嚴(yán)重 |
B、 圖中,開(kāi)關(guān)由M改置于N時(shí),Cu-Zn合金的腐蝕速率減小 |
C、 圖中,接通開(kāi)關(guān)時(shí)Zn腐蝕速率增大,Zn上放出氣體的速率也增大 |
D、 圖中,鋼鐵輪船外殼連接一塊金屬A(銅塊)可以減緩船體外殼腐蝕速度 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
A、①③ | B、①② | C、③④ | D、①④ |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
A、c(H+)=c(Cl-)+c(OH-) |
B、與等體積pH=12的氨水混合后所得溶液顯堿性 |
C、由H2O電離出的c(H+)=1.0×10-12 mol?L-1 |
D、與等體積0.01 mol?L-1醋酸鈉溶液混合后所得溶液中:c(Cl-)=c(CH3COO-) |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
A、用濕潤(rùn)的pH試紙測(cè)稀堿溶液的pH,測(cè)定值偏小 |
B、用容量瓶配制溶液,定容時(shí)俯視刻度線,所配溶液濃度偏小 |
C、滴定前滴定管尖嘴內(nèi)有氣泡,終點(diǎn)讀數(shù)時(shí)尖嘴內(nèi)無(wú)氣泡,所測(cè)體積偏大 |
D、測(cè)定1mol氣體體積時(shí),未冷卻至室溫就讀數(shù),所測(cè)體積偏大 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
A、原子核外的電子象云霧一樣籠罩在原子核周圍,故稱電子云 |
B、s亞層的原子軌道呈球形,處在該軌道上的電子只能在球殼內(nèi)運(yùn)動(dòng) |
C、p亞層的原子軌道呈紡錘形,隨著電子層數(shù)的增加,p亞層原子軌道也在增多 |
D、s、p電子原子軌道的平均半徑隨電子層的增大而增大 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
A、制取玻璃的同時(shí)產(chǎn)生CO2氣體,制取粗硅時(shí)生成的氣體產(chǎn)物為CO |
B、生產(chǎn)高純硅、鋁、銅及玻璃的過(guò)程中都涉及氧化還原反應(yīng) |
C、粗硅制高純硅時(shí),提純四氯化硅可用多次蒸餾的方法 |
D、黃銅礦冶煉銅時(shí)產(chǎn)生的SO2可用于生產(chǎn)硫酸,F(xiàn)eO可用作冶煉鐵的原料 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
A、分解反應(yīng)方程式為COCl2=Cl2+CO |
B、第2min反應(yīng)溫度高于第8min反應(yīng)溫度 |
C、在第8min反應(yīng)溫度下,12min時(shí)反應(yīng)重新達(dá)到平衡,則此時(shí)c(COCl2)≈0.031mol/L |
D、產(chǎn)物CO在2~3min、5~6min和12~13min時(shí)平均反應(yīng)速率為v(5~6)>v(12~13)=v(2~3) |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
加入物質(zhì) | 對(duì)v (H2)影響 | 對(duì)n(H2)的影響 |
Na2CO3 固體 | ||
K2SO4 溶液 | ||
NaNO3 固體 | ||
通入一定量HCl氣體 |
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