分析 (1)依據(jù)C=$\frac{1000ρω}{M}$計算次氯酸鈉的物質(zhì)的量濃度;
(2)根據(jù)稀釋前后溶質(zhì)的物質(zhì)的量不變計算稀釋后鈉離子的物質(zhì)的量濃度;
(3)根據(jù)溶液的配制及c=$\frac{n}{V}$、m=nM來分析;
(4)①硫酸為強電解質(zhì),完全電離,所以氫離子濃度為硫酸濃度2倍;
②依據(jù)C=$\frac{1000ρω}{M}$計算濃硫酸的物質(zhì)的量濃度,依據(jù)溶液稀釋過程中溶質(zhì)的物質(zhì)的量不變計算需要濃硫酸體積.
解答 解:(1)密度1.19g•cm-3,質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25%的次氯酸鈉的物質(zhì)的量濃度C=$\frac{1000×25%×1.19}{74.5}$=4.0 mol•L-1,
故答案為:4.0;
(2)次氯酸鈉為強電解質(zhì),完全電離,鈉離子的物質(zhì)的量濃度等于次氯酸鈉的物質(zhì)的量濃度,則稀釋后c(NaClO)=$\frac{1}{100}$×4.0 mol•L-1=0.04 mol•L-1,
故答案為:0.04;
(3)A.配制一定物質(zhì)的量濃度溶液需要用托盤天平稱量NaClO固體,需用燒杯來溶解NaClO,需用玻璃棒進行攪拌和引流,需用容量瓶和膠頭滴管來定容,圖示的A、B、不需要,但還需玻璃棒和膠頭滴管,故A錯誤;
B.容量瓶用蒸餾水洗凈后,無需烘干,因為定容時還需要向容量瓶加水,所以不必烘干后再使用,故B錯誤;
C.配制過程中,未用蒸餾水洗滌燒杯和玻璃棒,導(dǎo)致溶質(zhì)的物質(zhì)的量偏小,溶液濃度偏低,故C正確;
D.配制480mL含NaClO質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25%的消毒液,應(yīng)選取500 mL的容量瓶進行配制,所以需要NaClO的質(zhì)量:0.5 L×4.0 mol•L-1×74.5 g•mol-1=149 g,故D錯誤;
故選:C;
(4)①c(H2SO4)=2.3mol•L-1,則c(H+)=4.6mol•L-1,故答案為:4.6;
②98%(密度為1.84g•cm-3)的濃硫酸物質(zhì)的濃度為$\frac{1000×1.84×98%}{98}$=18.4mol/L,設(shè)需要濃硫酸體積為V,則依據(jù)溶液稀釋過程中溶質(zhì)的物質(zhì)的量不變,
得V×18.4mol/L=2L×2.3mol/L,V=0.25L=250mL,
故答案為:250.
點評 本題考查物質(zhì)的量濃度的計算以及溶液的配制,明確配制過程是解題關(guān)鍵,注意溶液稀釋規(guī)律,側(cè)重考查學(xué)生的分析能力、實驗?zāi)芰陀嬎隳芰Φ目疾,題目難度不大.
科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 金屬鈉在氯氣中燃燒會產(chǎn)生大量棕黃色煙 | |
B. | 鈉的化學(xué)性質(zhì)活潑,可從CuSO4溶液中置換出Cu | |
C. | 鈉著火時可以用沙土蓋滅 | |
D. | 鈉在空氣中燃燒,生成氧化鈉 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 逆反應(yīng)速率:a點大于點c | |
B. | 反應(yīng)物濃度:a點小于點b | |
C. | 反應(yīng)在c點時SO2的轉(zhuǎn)化率最大 | |
D. | 反應(yīng)物的總能量低于生成物的總能量 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
容器 | 起始各物質(zhì)的物質(zhì)的量/mol | 達到平衡時體系能量的變化 | ||
SO2 | O2 | Ar | ||
甲 | 2 | 1 | 0 | 放出熱量:Q1 |
乙 | 2 | 1 | 0 | 放出熱量:Q2 |
丙 | 2 | 1 | 0.5 | 放出熱量:Q3 |
A. | Q1=Q3<Q2 | |
B. | 若在上述條件下,反應(yīng)生成1 mol SO3(s),則反應(yīng)放熱為98.5 kJ | |
C. | 達到平衡時,乙容器中SO2的體積分?jǐn)?shù)最大 | |
D. | 平衡時,甲、乙、丙3個容器中甲的平衡常數(shù)最小 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 用電解法制取Na、Mg、Al | |
B. | 電解熔融NaCl制Cl2 | |
C. | 以硫或硫鐵礦為原料通過接觸法制硫酸 | |
D. | 制硅:SiO2$→_{高溫}^{C}$粗硅$→_{高溫}^{Cl_{2}}$SiCl4$→_{高溫}^{H_{2}}$高純硅 |
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