某課外活動(dòng)小組使用下列用品設(shè)計(jì)原電池。用品：銅片、鐵片、導(dǎo)線、金屬夾、發(fā)光二極管、果汁(橙汁、蘋(píng)果汁)500mL，、燒杯。下列說(shuō)法正確的是

    A．該裝置能將電能轉(zhuǎn)化為化學(xué)能    B．實(shí)驗(yàn)過(guò)程中銅片逐漸溶解

    C電子由鐵片通過(guò)導(dǎo)線流向銅片     D．鐵片上會(huì)析出紅色的銅

 

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

某課外活動(dòng)小組同學(xué)用如圖Ⅰ裝置進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，試回答下列問(wèn)題。

       圖I                        圖II

（1）若開(kāi)始時(shí)開(kāi)關(guān)K與a連接，則B極的電極反應(yīng)式為_(kāi)____________。

（2）若開(kāi)始時(shí)開(kāi)關(guān)K與b連接，則總反應(yīng)的離子方程式為_(kāi)______             ______；

有關(guān)上述實(shí)驗(yàn)，下列說(shuō)法正確的是（填序號(hào)）_____________。

①溶液中Na+向A極移動(dòng)

②從A極處逸出的氣體能使?jié)駶?rùn)KI淀粉試紙變藍(lán)

③反應(yīng)一段時(shí)間后加適量鹽酸可恢復(fù)到電解前電解質(zhì)的濃度

④若標(biāo)準(zhǔn)狀況下B極產(chǎn)生2.24 L氣體，則溶液中轉(zhuǎn)移0.2 mol電子

（3）該小組同學(xué)模仿工業(yè)上用離子交換膜法制燒堿的方法，設(shè)想用如圖Ⅱ裝置電解硫酸鉀溶液來(lái)制取氫氣、氧氣、硫酸和氫氧化鉀。

①該電解槽工作時(shí)，通過(guò)陰離子交換膜的離子數(shù)_______（填“大于” “小于”或“等于”）通過(guò)陽(yáng)離子交換膜的離子數(shù)。

②通電開(kāi)始后，陰極附近溶液pH會(huì)增大，請(qǐng)簡(jiǎn)述原因_____             ________。

（4）多晶硅主要采用SiHCl3還原工藝生產(chǎn)，其副產(chǎn)物SiCl4的綜合利用收到廣泛關(guān)注。

①SiCl4可制氣相白炭黑（與光導(dǎo)纖維主要原料相同），方法為高溫下SiCl4與H2和O2反應(yīng)，產(chǎn)物有兩種，化學(xué)方程式為                                    。

②SiCl4可轉(zhuǎn)化為SiHCl3而循環(huán)使用。一定條件下，在20L恒容密閉容器中的反應(yīng)：

   3 SiCl4（g）+2H2（g）+Si（s）4SiHCl3（g）

達(dá)平衡后，H2與SiHCl3物質(zhì)的量濃度分別為0.140mol/L和0.020mol/L，若H2全部來(lái)源于圖Ⅱ離子交換膜法的電解產(chǎn)物，理論上需消耗硫酸鉀質(zhì)量為      kg。

 

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：2011屆廣西桂林中學(xué)高三高考模擬試題（理綜）化學(xué)部分 題型：實(shí)驗(yàn)題

某課外活動(dòng)小組同學(xué)用如圖Ⅰ裝置進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，試回答下列問(wèn)題。

圖I                        圖II
（1）若開(kāi)始時(shí)開(kāi)關(guān)K與a連接，則B極的電極反應(yīng)式為_(kāi)____________。
（2）若開(kāi)始時(shí)開(kāi)關(guān)K與b連接，則總反應(yīng)的離子方程式為_(kāi)______             ______；
有關(guān)上述實(shí)驗(yàn)，下列說(shuō)法正確的是（填序號(hào)）_____________。
①溶液中Na+向A極移動(dòng)
②從A極處逸出的氣體能使?jié)駶?rùn)KI淀粉試紙變藍(lán)
③反應(yīng)一段時(shí)間后加適量鹽酸可恢復(fù)到電解前電解質(zhì)的濃度
④若標(biāo)準(zhǔn)狀況下B極產(chǎn)生2.24 L氣體，則溶液中轉(zhuǎn)移0.2 mol電子
（3）該小組同學(xué)模仿工業(yè)上用離子交換膜法制燒堿的方法，設(shè)想用如圖Ⅱ裝置電解硫酸鉀溶液來(lái)制取氫氣、氧氣、硫酸和氫氧化鉀。
①該電解槽工作時(shí)，通過(guò)陰離子交換膜的離子數(shù)_______（填“大于” “小于”或“等于”）通過(guò)陽(yáng)離子交換膜的離子數(shù)。
②通電開(kāi)始后，陰極附近溶液pH會(huì)增大，請(qǐng)簡(jiǎn)述原因_____              ________。
（4）多晶硅主要采用SiHCl3還原工藝生產(chǎn)，其副產(chǎn)物SiCl4的綜合利用收到廣泛關(guān)注。
①SiCl4可制氣相白炭黑（與光導(dǎo)纖維主要原料相同），方法為高溫下SiCl4與H2和O2反應(yīng)，產(chǎn)物有兩種，化學(xué)方程式為                                    。
②SiCl4可轉(zhuǎn)化為SiHCl3而循環(huán)使用。一定條件下，在20L恒容密閉容器中的反應(yīng)：
3 SiCl4（g）+2H2（g）+Si（s）4SiHCl3（g）
達(dá)平衡后，H2與SiHCl3物質(zhì)的量濃度分別為0.140mol/L和0.020mol/L，若H2全部來(lái)源于圖Ⅱ離子交換膜法的電解產(chǎn)物，理論上需消耗硫酸鉀質(zhì)量為     kg。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：2010-2011學(xué)年廣西桂林中學(xué)高三高考模擬試題（理綜）化學(xué)部分 題型：實(shí)驗(yàn)題

某課外活動(dòng)小組同學(xué)用如圖Ⅰ裝置進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，試回答下列問(wèn)題。

       圖I                         圖II

（1）若開(kāi)始時(shí)開(kāi)關(guān)K與a連接，則B極的電極反應(yīng)式為_(kāi)____________。

（2）若開(kāi)始時(shí)開(kāi)關(guān)K與b連接，則總反應(yīng)的離子方程式為_(kāi)______              ______；

有關(guān)上述實(shí)驗(yàn)，下列說(shuō)法正確的是（填序號(hào)）_____________。

①溶液中Na+向A極移動(dòng)

②從A極處逸出的氣體能使?jié)駶?rùn)KI淀粉試紙變藍(lán)

③反應(yīng)一段時(shí)間后加適量鹽酸可恢復(fù)到電解前電解質(zhì)的濃度

④若標(biāo)準(zhǔn)狀況下B極產(chǎn)生2.24 L氣體，則溶液中轉(zhuǎn)移0.2 mol電子

（3）該小組同學(xué)模仿工業(yè)上用離子交換膜法制燒堿的方法，設(shè)想用如圖Ⅱ裝置電解硫酸鉀溶液來(lái)制取氫氣、氧氣、硫酸和氫氧化鉀。

①該電解槽工作時(shí)，通過(guò)陰離子交換膜的離子數(shù)_______（填“大于” “小于”或“等于”）通過(guò)陽(yáng)離子交換膜的離子數(shù)。

②通電開(kāi)始后，陰極附近溶液pH會(huì)增大，請(qǐng)簡(jiǎn)述原因_____              ________。

（4）多晶硅主要采用SiHCl3還原工藝生產(chǎn)，其副產(chǎn)物SiCl4的綜合利用收到廣泛關(guān)注。

①SiCl4可制氣相白炭黑（與光導(dǎo)纖維主要原料相同），方法為高溫下SiCl4與H2和O2反應(yīng)，產(chǎn)物有兩種，化學(xué)方程式為                                     。

②SiCl4可轉(zhuǎn)化為SiHCl3而循環(huán)使用。一定條件下，在20L恒容密閉容器中的反應(yīng)：

   3 SiCl4（g）+2H2（g）+Si（s）4SiHCl3（g）

達(dá)平衡后，H2與SiHCl3物質(zhì)的量濃度分別為0.140mol/L和0.020mol/L，若H2全部來(lái)源于圖Ⅱ離子交換膜法的電解產(chǎn)物，理論上需消耗硫酸鉀質(zhì)量為      kg。

 

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：模擬題 題型：填空題

某課外活動(dòng)小組同學(xué)用如圖I裝置進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，試回答下列問(wèn)題：
(1)若開(kāi)始時(shí)開(kāi)關(guān)K與a連接，則B極的電極反應(yīng)式為_(kāi)__________________
(2)若開(kāi)始時(shí)開(kāi)關(guān)K與b連接，則總反應(yīng)的離子方程式為_(kāi)____________________有關(guān)上述實(shí)驗(yàn)，下列說(shuō)法正確的是_________（填序號(hào)）。
①溶液中Na+向A極移動(dòng)
②從A極逸出的氣體能使?jié)駶?rùn)的KI-淀粉試紙變藍(lán)
③反應(yīng)一段時(shí)間后加適量鹽酸可恢復(fù)到電解前電解質(zhì)的濃度
④若標(biāo)準(zhǔn)狀況下B極產(chǎn)生2.24 L氣體，則溶液中轉(zhuǎn)移0.2 mol電子
(3)該小組同學(xué)模仿工業(yè)上用離子交換膜法制燒堿的原理，設(shè)想用如圖Ⅱ裝置電解硫酸鉀溶液來(lái)制取氫氣、氧氣、硫酸和氫氧化鉀。
①該電解槽工作時(shí)，通過(guò)陰離子交換膜的離子數(shù)_______（填“大于”、“小于”或“等于”）通過(guò)陽(yáng)離子交換膜的離子數(shù)。
②通電開(kāi)始后，陰極附近溶液pH會(huì)增大，請(qǐng)簡(jiǎn)述原因：___________________________。
(4)多晶硅主要采用SiHCl3還原工藝生產(chǎn)，其副產(chǎn)物SiCl4的綜合利用受到廣泛關(guān)注。
①SiCl4可制氣相白炭黑（與光導(dǎo)纖維主要原料相同），方法為高溫下SiCl4與H2和O2反應(yīng)，產(chǎn)物有兩種，化學(xué)方程式為_(kāi)_______________________。
②SiCl4可轉(zhuǎn)化為SiHCl3而循環(huán)使用。一定條件下，在20 L恒容密閉容器中的反應(yīng)：
3SiCl4(g)+2H2(g)+Si(s)4SiHCl3(g)，達(dá)到平衡后，H2與SiHCl3的物質(zhì)的量濃度分別為0.140mol/L和0.020 mol/L，若H2全部來(lái)源于圖Ⅱ離子交換膜法的電解產(chǎn)物，理論上需消耗硫酸鉀質(zhì)量為_(kāi)_____kg。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：0120 模擬題 題型：填空題

某課外活動(dòng)小組同學(xué)用如圖Ⅰ裝置進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，試回答下列問(wèn)題。
（1）若開(kāi)始時(shí)開(kāi)關(guān)K與a連接，則B極的電極反應(yīng)式為_(kāi)____________。
（2）若開(kāi)始時(shí)開(kāi)關(guān)K與b連接，則總反應(yīng)的離子方程式為_(kāi)_______________________；有關(guān)上述實(shí)驗(yàn)，下列說(shuō)法正確的是（填序號(hào)）___________。
①溶液中Na+向A極移動(dòng)
②從A極處逸出的氣體能使?jié)駶?rùn)KI淀粉試紙變藍(lán)
③反應(yīng)一段時(shí)間后加適量鹽酸可恢復(fù)到電解前電解質(zhì)的濃度
④若標(biāo)準(zhǔn)狀況下B極產(chǎn)生2.24 L氣體，則溶液中轉(zhuǎn)移0.2 mol電子
（3）該小組同學(xué)模仿工業(yè)上用離子交換膜法制燒堿的方法，設(shè)想用如圖Ⅱ裝置電解硫酸鉀溶液來(lái)制取氫氣、氧氣、硫酸和氫氧化鉀。
①該電解槽工作時(shí)，通過(guò)陰離子交換膜的離子數(shù)_______（填“大于” “小于”或“等于”）通過(guò)陽(yáng)離子交換膜的離子數(shù)。
②通電開(kāi)始后，陰極附近溶液pH會(huì)增大，請(qǐng)簡(jiǎn)述原因_____________。
（4）多晶硅主要采用SiHCl3還原工藝生產(chǎn)，其副產(chǎn)物SiCl4的綜合利用收到廣泛關(guān)注。
①SiCl4可制氣相白炭黑（與光導(dǎo)纖維主要原料相同），方法為高溫下SiCl4與H2和O2反應(yīng)，產(chǎn)物有兩種，化學(xué)方程式為_(kāi)___________________。
②SiCl4可轉(zhuǎn)化為SiHCl3而循環(huán)使用。一定條件下，在20L恒容密閉容器中的反應(yīng)：
3SiCl4（g）+2H2（g）+Si（s）4SiHCl3（g）達(dá)平衡后，H2與SiHCl3物質(zhì)的量濃度分別為0.140mol/L和0.020mol/L，若H2全部來(lái)源于圖Ⅱ離子交換膜法的電解產(chǎn)物，理論上需消耗硫酸鉀質(zhì)量為_(kāi)_______kg。

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