下表是NaCl和CsCl的熔沸點(diǎn)的比較。

 

NaCl

CsCl

熔點(diǎn)

801 ℃

645 ℃

沸點(diǎn)

1 413 ℃

1 290 ℃

(1)同為離子晶體,為什么NaCl的熔沸點(diǎn)比CsCl的高?請(qǐng)從影響離子鍵強(qiáng)弱的因素入手進(jìn)行分析。

(2)實(shí)驗(yàn)證明,干燥的NaCl晶體不導(dǎo)電,熔融的NaCl或NaCl溶液卻可以導(dǎo)電,你能說(shuō)明其中的原因嗎?

 

【答案】

(1)離子鍵是存在于陰、陽(yáng)離子之間的一種靜電作用。其強(qiáng)弱與陰、陽(yáng)離子的半徑和離子電荷數(shù)有關(guān)。一般來(lái)說(shuō),離子半徑越小,離子電荷數(shù)越高,離子鍵就越強(qiáng),晶體熔沸點(diǎn)就越高。從庫(kù)侖定律可直接看出這一關(guān)系()。對(duì)于NaCl和CsCl,由于陰、陽(yáng)離子所帶電荷數(shù)相同,而r(Na+)<r(Cs+),所以F(NaCl)>F(CsCl),故熔沸點(diǎn)為:NaCl>CsCl。

(2)電流是由帶電粒子的定向移動(dòng)形成的。NaCl晶體中雖有帶電的Na+、Cl-存在,但由于較強(qiáng)的離子鍵將陰、陽(yáng)離子緊密結(jié)合而不能自由移動(dòng),故固態(tài)不能導(dǎo)電,而當(dāng)晶體受熱熔化時(shí),由于溫度升高,離子運(yùn)動(dòng)加快,克服了陰、陽(yáng)離子間的作用力,產(chǎn)生了自由移動(dòng)的離子,所以,熔融NaCl能導(dǎo)電。當(dāng)NaCl晶體溶于水時(shí),受水分子的影響,離子間作用力減弱,電離成能自由移動(dòng)的水合離子,所以,NaCl水溶液也能導(dǎo)電。

【解析】

試題分析:(1)離子鍵是存在于陰、陽(yáng)離子之間的一種靜電作用。其強(qiáng)弱與陰、陽(yáng)離子的半徑和離子電荷數(shù)有關(guān)。一般來(lái)說(shuō),離子半徑越小,離子電荷數(shù)越高,離子鍵就越強(qiáng),晶體熔沸點(diǎn)就越高。從庫(kù)侖定律可直接看出這一關(guān)系()。對(duì)于NaCl和CsCl,由于陰、陽(yáng)離子所帶電荷數(shù)相同,而r(Na+)<r(Cs+),所以F(NaCl)>F(CsCl),故熔沸點(diǎn)為:NaCl>CsCl。

(2)電流是由帶電粒子的定向移動(dòng)形成的。NaCl晶體中雖有帶電的Na+、Cl-存在,但由于較強(qiáng)的離子鍵將陰、陽(yáng)離子緊密結(jié)合而不能自由移動(dòng),故固態(tài)不能導(dǎo)電,而當(dāng)晶體受熱熔化時(shí),由于溫度升高,離子運(yùn)動(dòng)加快,克服了陰、陽(yáng)離子間的作用力,產(chǎn)生了自由移動(dòng)的離子,所以,熔融NaCl能導(dǎo)電。當(dāng)NaCl晶體溶于水時(shí),受水分子的影響,離子間作用力減弱,電離成能自由移動(dòng)的水合離子,所以,NaCl水溶液也能導(dǎo)電。

考點(diǎn):考查影響離子晶體熔沸點(diǎn)高低因素的判斷以及物質(zhì)導(dǎo)電的原因

點(diǎn)評(píng):該題是中等難度的試題,試題基礎(chǔ)性強(qiáng),側(cè)重考查學(xué)生分析問(wèn)題、解決問(wèn)題的能力。有利于培養(yǎng)學(xué)生的創(chuàng)新思維能力和嚴(yán)謹(jǐn)?shù)倪壿嬎季S能力,也有利于培養(yǎng)學(xué)生的語(yǔ)言表達(dá)、組織能力和規(guī)范答題能力。

 

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

(1)下列有關(guān)晶體的敘述中錯(cuò)誤的是
 

A.石英晶體中的硅原子以sp2雜化方式與周圍的氧原子形成共價(jià)鍵
B.氯化鈉晶體中每個(gè)Na+或Cl-周圍緊鄰的有6個(gè)Cl-或Na+
C.在CsCl晶體中每個(gè)Cs+周圍緊鄰的有8個(gè)Cl-,而和每個(gè)Cl-等距離緊鄰的也有8個(gè)Cs+
D.在面心立方密堆積的金屬晶體中,每個(gè)金屬原子周圍緊鄰的有4個(gè)金屬原子
(2)已知MgO的晶體結(jié)構(gòu)屬于NaCl型.某同學(xué)畫(huà)出的MgO晶胞結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示,請(qǐng)改正圖精英家教網(wǎng)
中錯(cuò)誤:
 
.(用文字表述)
(3)第三周期部分元素氟化物的熔點(diǎn)見(jiàn)下表:
氟化物 NaF MgF2 SiF4
熔點(diǎn)/K 1266 1534 183
解釋表中氟化物熔點(diǎn)差異的原因:
 

(4)人工模擬是當(dāng)前研究的熱點(diǎn).有研究表明,化合物X可用于研究模擬酶,當(dāng)其結(jié)合精英家教網(wǎng)或Cu(I)(I表示化合價(jià)為+1)時(shí),分別形成a和b:
分析a和b中微粒間的相互作用(包括化學(xué)鍵和分子間相互作用)的差異,試指出
其不同點(diǎn):a中含
 
,b中含
 
.(用“氫鍵”、“配位鍵”、“極性鍵”、“非極性鍵”等填空)

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