原子序數(shù)小于36的X、Y、Z、W四種元素,元素X的原子核外最外層電子數(shù)是內(nèi)層電子數(shù)的2倍,元素Y與X同周期,其基態(tài)原子占據(jù)s軌道的電子數(shù)與占據(jù)p軌道的電子數(shù)相同,Z是X的同族相鄰元素;W是第Ⅷ族元素中原子序數(shù)最小的元素。用元素符號回答下列問題:
（1）X、Y、Z的電負(fù)性由小到大的順序是　　　　。 

（2）與X、Y形成的一種化合物互為等電子體,則的空間構(gòu)型為　　　　、電子式為　　　　。 
（3）同為原子晶體的ZX與ZY2中硬度小的是　　　　。 
（4）X和W所形成的某種晶體結(jié)構(gòu)如圖所示,寫出:
①基態(tài)W2+的價電子排布式　　　　;
②該晶體的化學(xué)式　　　　。
（1）Si<C<O（2分）
（2）直線形（2分）　]-（3分）
（3）SiO2（3分）
（4）①3d6（2分）　②FeC（3分）
根據(jù)元素的結(jié)構(gòu)及有關(guān)性質(zhì)可知,X、Y、Z、W四種元素分別是C、O、Si、Fe。
（1）非金屬性越強(qiáng),電負(fù)性越大,所以X、Y、Z的電負(fù)性由小到大的順序是Si<C<O。
（2）價電子數(shù)和原子數(shù)分別都相等的是等電子體,所以與互為等電子體的是CO2,因此和CO2類似,N的空間構(gòu)型為直線形,仿照可得電子式為]-。
（3）形成原子晶體的原子半徑越小,共價鍵越強(qiáng),硬度越大。碳原子半徑小于硅原子半徑,所以二氧化硅的硬度小。
（4）①根據(jù)構(gòu)造原理可知,基態(tài)W2+的價電子排布式為3d6。
②根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知,含有鐵原子是1+8×=2,碳原子是2×+4×=2,所以化學(xué)式是FeC。
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

已知元素A、B、C、D、E、F均屬前四周期，且原子序數(shù)依次增大, A的p能級電子數(shù)是s能級電子數(shù)的一半，C的基態(tài)原子2p軌道有2個未成對電子；C與D形成的化合物中C顯正化合價；E的M層電子數(shù)是N層電子數(shù)的4倍，F(xiàn)的內(nèi)部各能級層均排滿，且最外層電子數(shù)為1。請回答下列問題：
（1）C原子基態(tài)時的電子排布式為              。 
（2）B、C兩種元素第一電離能為:     ﹥         (用元素符號表示)。
試解釋其原因：                                                         。
（3）任寫一種與AB－  離子互為等電子體的微粒                                 。
（4）B與C形成的四原子陰離子的立體構(gòu)型為           ，其中B原子的雜化類型是        。
（5）D和E形成的化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖,其化學(xué)式為        ，E的配位數(shù)是               ；已知晶體的密度為  ρ g·cm-3，阿伏加德羅常數(shù)為NA，則晶胞邊長a=           cm.（用含、NA的計(jì)算式表示)

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

決定物質(zhì)性質(zhì)的重要因素是物質(zhì)結(jié)構(gòu),請回答下列問題。
(1)已知A和B為第三周期元素,其原子的第一至第四電離能如下表所示:
電離能/kJ·mol-1
I1
I2
I3
I4
A
578
1 817
2 745
11 578
B
738
1 451
7 733
10 540
 
A通常顯       價,A的電負(fù)性       B的電負(fù)性(填“＞”、“＜”或“=”)。 
(2)紫外光的光子所具有的能量約為399 kJ·mol-1。根據(jù)下表有關(guān)蛋白質(zhì)分子中重要化學(xué)鍵的信息,說明人體長時間照射紫外光后皮膚易受傷害的原因                          。
組成蛋白質(zhì)的最簡單的氨基酸中的碳原子雜化類型是       。
共價鍵
C—C
C—N
C—S
鍵能/kJ·mol-1
347
305
259
(3)實(shí)驗(yàn)證明:KCl、MgO、CaO、TiN這4種晶體的結(jié)構(gòu)與NaCl晶體結(jié)構(gòu)相似(如圖所示),已知3種離子晶體的晶格能數(shù)據(jù)如下表:
離子晶體
NaCl
KCl
CaO
晶格能/kJ·mol-1
786
715
3 401

則該4種離子晶體(不包括NaCl)熔點(diǎn)從高到低的順序是:       。其中MgO晶體中一個Mg2+周圍和它最鄰近且等距離的Mg2+有       個。
(4)金屬陽離子含未成對電子越多,則磁性越大,磁記錄性能越好。離子型氧化物V2O5和CrO2中,適合作錄音帶磁粉原料的是       。
(5)某配合物的分子結(jié)構(gòu)如圖所示,其分子內(nèi)不含有     (填序號)。

A離子鍵；B極性鍵；C金屬鍵；D配位鍵；E氫鍵；F非極性鍵

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

我國已研制出一種稀土制冷材料，其主要成分是LaCaMnO。
（1）錳原子的基態(tài)價層電子排布式為________。
（2）S與O為同主族元素，其中電負(fù)性較大的是________；H2S分子中S原子雜化軌道類型為________；試從結(jié)構(gòu)角度解釋H2SO4的酸性大于H2SO3的酸性：____________。
（3）Ca在空氣中點(diǎn)燃生成CaO和少量Ca2N2。
①Ca2N2和水反應(yīng)可以生成NH2—NH2，NH2—NH2能否作配體？________（填“能”或“否”）。
②CaO晶體與NaCl晶體一樣，為面心立方最密堆積，則一個CaO晶胞中含有Ca2＋數(shù)為________；欲比較CaO與NaCl的晶格能大小，需考慮的數(shù)據(jù)是________。

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

(1)已知X、Y、Z為第三周期元素,其原子的第一至第四電離能如下表:
電離能/kJ·mol-1
I1
I2
I3
I4
X
578
1 817
2 745
11 578
Y
738
1 451
7 733
10 540
Z
496
4 562
6 912
9 543
則X、Y、Z的電負(fù)性從大到小的順序?yàn)?u>　　　　　　(用元素符號表示),元素Y的第一電離能大于X的第一電離能的原因是　          
                                                     　。 
(2)A、B、C、D是周期表中前10號元素,它們的原子半徑依次減小。D能分別與A、B、C形成電子總數(shù)相等的分子M、N、W,且在M、N、W分子中,A、B、C三原子都采取sp3雜化。
①A、B、C的第一電離能由小到大的順序?yàn)?u>　　　　　　(用元素符號表示)。 
②M是含有　　　　鍵的　　　　分子(填“極性”或“非極性”)。 
③N是一種易液化的氣體,請簡述其易液化的原因:                 
                                                    　。 
④W分子的VSEPR模型的空間構(gòu)型為　　　　,W分子的空間構(gòu)型為　　　　。 
⑤AB-中和B2分子的π鍵數(shù)目比為　　　　。 
(3)E、F、G三元素的原子序數(shù)依次增大,三原子的核外的最外層電子排布均為4s1。
①E元素組成的單質(zhì)的晶體堆積模型為　　　　(填字母)。 
a.簡單立方堆積  b.體心立方堆積　
c.六方最密堆積  d.面心立方最密堆積
②F元素在其化合物中最高化合價為　　　　。 
③G2+的核外電子排布式為　                                ,G2+和N分子形成的配離子的結(jié)構(gòu)式為　　　　　　。

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

原子序數(shù)依次增大的四種元素A、B、C、D分別處于第一至第四周期，自然界中存在多種A的化合物，B原子核外電子有6種不同的運(yùn)動狀態(tài)，B與C可形成正四面體形分子，D的基態(tài)原子的最外能層只有一個電子，其他能層均已充滿電子。
請回答下列問題：
(1)這四種元素中電負(fù)性最大的元素，其基態(tài)原子的價電子排布圖為________，第一電離能最小的元素是________(填元素符號)。
(2)C所在主族的前四種元素分別與A形成的化合物，沸點(diǎn)由高到低的順序是________(填化學(xué)式)，呈現(xiàn)如此遞變規(guī)律的原因是___________________。
(3)B元素可形成多種單質(zhì)，一種晶體結(jié)構(gòu)如圖一所示，其原子的雜化類型為________。另一種的晶胞如圖二所示，若此晶胞中的棱長為356.6 pm，則此晶胞的密度為________________________________________________g·cm－3(保留兩位有效數(shù)字)。(＝1.732)

　圖一　　　　　　圖二　　　　　　　圖三
(4)D元素形成的單質(zhì)，其晶體的堆積模型為________，D的醋酸鹽晶體局部結(jié)構(gòu)如圖三，該晶體中含有的化學(xué)鍵是________(填選項(xiàng)序號)。
①極性鍵　�、诜菢O性鍵　�、叟湮绘I　　④金屬鍵
(5)向D的硫酸鹽溶液中滴加過量氨水，觀察到的現(xiàn)象是________。請寫出上述過程的離子方程式：_________________________________________。

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

[物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]已知：A、B、C、D、E、F六種元素，原子序數(shù)依次增大。A原子核外有兩種形狀的電子云，兩種形狀的電子云軌道上電子數(shù)相等；B是短周期中原子半徑最大的元素；C元素3p能級半充滿；E是所在周期電負(fù)性最大的元素；F是第四周期未成對電子最多的元素。
試回答下列有關(guān)的問題：
（1）寫出F元素的電子排布式：________________。
（2）已知A元素的一種氫化物分子中含四個原子，則在該化合物的分子中A原子的雜化軌道類型為__________。
（3）已知C、E兩種元素形成的化合物通常有CE3、CE5兩種。這兩種化合物中一種為非極性分子，一種為極性分子，屬于極性分子的化合物的分子立體構(gòu)型是________________。
（4）B、C、D、E的第一電離能由大到小的順序是________（寫元素符號）。四種元素最高價氧化物的水化物形成的溶液，物質(zhì)的量濃度相同時，pH由大到小的順序是________________（寫化學(xué)式）。
（5）由B、E兩元素形成的化合物組成的晶體中，陰、陽離子都具有球型對稱結(jié)構(gòu)，它們都可以看做剛性圓球，并彼此“相切”。如下圖所示為B、E形成化合物的晶胞結(jié)構(gòu)圖以及晶胞的剖面圖：

晶胞中距離一個B＋最近的B＋有________個。若晶體密度為ρ g·cm－3，阿伏加德羅常數(shù)的值用NA表示，則E－的離子半徑為________cm（用含NA與ρ的式子表達(dá)）。

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

材料是人類賴以生存的重要物質(zhì)基礎(chǔ)。銅、鎳等金屬材料在現(xiàn)代社會中有著重要應(yīng)用。請回答下列問題：
（1）銅在元素周期表中的位置為                          ，鎳的基態(tài)電子排布式為                      。
（2）在配離子[Ni(NH3)4]2+中，配體中N元素與它相鄰的C和O元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?u>               ，這三種元素電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?u>            ；配體NH3中N原子的雜化方式為          。
（3）據(jù)報道，只含鎂、鎳和碳三種元素的晶體竟然也具有超導(dǎo)性。鑒于這三種元素都是常見元素，從而引起廣泛關(guān)注。該晶體的結(jié)構(gòu)可看作由鎂原子和鎳原子在一起進(jìn)行面心立方最密堆積，如圖，晶體中每個鎂原子周圍距離最近的鎳原子有     個，若已知晶胞的邊長為a pm，阿伏伽德羅常數(shù)為NA，則該晶體的密度的數(shù)學(xué)表達(dá)式為          g?cm-3（用a和NA表示，只列式，可不用化簡）。

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

鐵、鈷、鎳為第四周期第Ⅷ族元素，它們的性質(zhì)非常相似，也稱為鐵系元素。
（1）鐵、鈷、鎳都是很好的配位化合物形成體。
①在過量氨水中易轉(zhuǎn)化為。寫出的價層電子排布圖____。
 中的配位數(shù)為____：NH3分子的中心原子雜化方式為____。
H2O分子的立體構(gòu)型為__________。
②鐵、鎳易與一氧化碳作用形成羰基配合物，如：等。CO與N2屬于等電子體，則CO分子中鍵和鍵數(shù)目比為____，寫出與CO互為等電子體的一種陰離子的離子符號____。
（2）+2價和+3價是Fe、Co、Ni等元素常見化合價。NiO、FeO的晶體結(jié)構(gòu)類型均與氯化鈉的相同，Ni2＋和Fe2＋的離子半徑分別為69 pm和78 pm，則熔點(diǎn)NiO____FeO（選填“<”“>”“=”）； 某種天然Nio晶體存在如圖所示缺陷：一個Niz+空缺，另有兩個Ni2＋被兩個Ni3＋所取代。其結(jié)果晶體仍呈屯中性。某氧化鎳樣品組成為O．該晶體中Ni3＋與Ni2＋的離子數(shù)之比為____。

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