下面的排序不正確的是( 。
分析:A.結(jié)構(gòu)和組成相似的分子晶體,相對(duì)分子質(zhì)量越大,分子間作用力越大,有氫鍵的熔點(diǎn)變大;
B.影響金屬晶體金屬鍵強(qiáng)弱的因素為電荷和離子半徑;
C.影響原子晶體硬度大小的因素是共價(jià)鍵的鍵長(zhǎng);
D.影響離子晶體晶格能大小的因素有電荷因素和半徑因素.
解答:解:A.四種分子晶體的組成和結(jié)構(gòu)相似,分子的相對(duì)分子質(zhì)量越大,分子間作用力越大,則晶體的熔沸點(diǎn)越高,但是HF中氫鍵熔點(diǎn)反常,比鹵素的其他氫化物熔點(diǎn)高,所以晶體熔點(diǎn)由低到高:HCl<HBr<HI<HF,故A錯(cuò)誤;
B.Na、Mg、Al原子半徑依次減小,金屬離子電荷逐漸增多,金屬鍵逐漸增強(qiáng),則熔點(diǎn)由低到高:Na<Mg<Al,故B正確;
C.原子半徑Si>C,三者都為原子晶體,原子半徑越大,共價(jià)鍵的鍵能越小,則硬度越小,故C正確;
D.先比較電荷數(shù)多的晶格能大,而如果電荷數(shù)一樣多比較核間距,核間距大的,晶格能小,故D正確.
故選A.
點(diǎn)評(píng):本題考查晶體的物理性質(zhì),題目難度中等,注意把握比較角度,學(xué)習(xí)中注意方法的積累.
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相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

下面的排序不正確的是( 。

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

下面的排序不正確的是( 。
A、電負(fù)性的大。篊l>S>Al>MgB、硬度由大到。航饎偸咎蓟瑁揪w硅C、熔點(diǎn)由高到低:石英>食鹽>干冰>鈉D、晶格能由大到。篘aF>NaCl>NaBr>NaI

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

下面的排序不正確的是

     A.晶體熔點(diǎn)由低到高:CF4<CCl4<CBr4<CCI4

     B.硬度由大到。航饎偸>碳化硅>晶體硅

     C.熔點(diǎn)由高到低:Na>Mg>Al

     D.晶格能由大到。篘aF> NaCl> NaBr>NaI

【解析】A中物質(zhì)形成的晶體是分子晶體,其熔點(diǎn)和分子間作用力有關(guān),相對(duì)分子質(zhì)量越大,分子間作用力就越大,A正確。在原子晶體中共價(jià)鍵越強(qiáng),硬度越大。形成共價(jià)鍵的原子半徑越小,共價(jià)鍵越強(qiáng),碳原子比較小于硅原子半徑,所以B正確C中物質(zhì)形成的晶體是金屬晶體,金屬晶體中金屬鍵越強(qiáng),熔點(diǎn)越高。而金屬鍵強(qiáng)弱與金屬陽(yáng)離子半徑和所帶的電荷數(shù)有關(guān),陽(yáng)離子半徑越小,電荷數(shù)越多,金屬鍵越強(qiáng),所以熔點(diǎn)由高到低是Na<Mg<Al,C不正確。D中物質(zhì)全部是離子晶體,形成離子晶體的離子鍵越強(qiáng),晶格能越大。形成離子鍵的離子半徑越小,所帶電荷數(shù)越多,離子鍵越強(qiáng),所以D是正確的。答案選C。

 

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2013屆山西省高二下學(xué)期期中考試化學(xué)試卷(解析版) 題型:選擇題

下面的排序不正確的是

     A.晶體熔點(diǎn)由低到高:CF4<CCl4<CBr4<CCI4

     B.硬度由大到。航饎偸>碳化硅>晶體硅

     C.熔點(diǎn)由高到低:Na>Mg>Al

     D.晶格能由大到小:NaF> NaCl> NaBr>NaI

【解析】A中物質(zhì)形成的晶體是分子晶體,其熔點(diǎn)和分子間作用力有關(guān),相對(duì)分子質(zhì)量越大,分子間作用力就越大,A正確。在原子晶體中共價(jià)鍵越強(qiáng),硬度越大。形成共價(jià)鍵的原子半徑越小,共價(jià)鍵越強(qiáng),碳原子比較小于硅原子半徑,所以B正確C中物質(zhì)形成的晶體是金屬晶體,金屬晶體中金屬鍵越強(qiáng),熔點(diǎn)越高。而金屬鍵強(qiáng)弱與金屬陽(yáng)離子半徑和所帶的電荷數(shù)有關(guān),陽(yáng)離子半徑越小,電荷數(shù)越多,金屬鍵越強(qiáng),所以熔點(diǎn)由高到低是Na<Mg<Al,C不正確。D中物質(zhì)全部是離子晶體,形成離子晶體的離子鍵越強(qiáng),晶格能越大。形成離子鍵的離子半徑越小,所帶電荷數(shù)越多,離子鍵越強(qiáng),所以D是正確的。答案選C。

 

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