下列說(shuō)法正確的是(   )
A.熔點(diǎn):金剛石>晶體硅>干冰>氯化鈉晶體
B.由于HCl的分子間作用力大于HI,故HCl比HI穩(wěn)定
C.等質(zhì)量的金剛石和石墨晶體所含碳碳鍵的數(shù)目相等
D.已知AB離子晶體結(jié)構(gòu)如圖所示,則每個(gè)A+周圍距離最近且等距的B-有8個(gè)

D
A 錯(cuò)誤,干冰是分子晶體,熔點(diǎn)比離子晶體的低。所以,熔點(diǎn):金剛石>晶體硅>氯化鈉晶體>干冰
B 錯(cuò)誤,分子間作用力是決定分子晶體熔沸點(diǎn)的高低,并不能決定穩(wěn)定性。
C 錯(cuò)誤,金剛石是空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),石墨是片層結(jié)構(gòu),成鍵方式不同,所含碳碳鍵的數(shù)目不相等
D 正確,根據(jù)晶體結(jié)構(gòu)可知,通過(guò)頂點(diǎn)能畫8個(gè)小正方體,所以,每個(gè)A+周圍距離最近且等距的B-有8個(gè)。
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相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:單選題

下列各組物質(zhì),均屬于分子晶體的是
A.碘、二硫化碳、C60B.二硫化碳、白磷、二氧化硅
C.SO2、金剛石、銅D.醋酸、甲烷、石墨

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:填空題

已知X、Y和Z三種元素的原子序數(shù)之和等于48。X的一種1:1型氫化物分子中既有σ鍵又有π鍵。Z是金屬元素,Z的單質(zhì)和化合物有廣泛的用途。已知Z的核電荷數(shù)小于28,且次外層有2個(gè)未成對(duì)電子。工業(yè)上利用ZO2和碳酸鋇在熔融狀態(tài)下制取化合物M(M可看做一種含氧酸鹽)。M有顯著的“壓電性能”,應(yīng)用于超聲波的發(fā)生裝置。經(jīng)X射線分析,M晶體的最小重復(fù)單位為正方體(如右圖),邊長(zhǎng)為4.03×10-10 m,頂點(diǎn)位置為Z4所占,體心位置為Ba2所占,所有棱心位置為O2所占。

⑴Y在周期表中位于______________;Z4的核外電子排布式為______________;
⑵X的該種氫化物分子構(gòu)型為___________,X在該氫化物中以_____________方式雜化。X和Y
形成的化合物的熔點(diǎn)應(yīng)該_____________(填“高于”或“低于”)X氫化物的熔點(diǎn)。
⑶①制備M的化學(xué)反應(yīng)方程式是________________________________________;
②在M晶體中,若將Z4置于立方體的體心,Ba2置于立方體的頂點(diǎn),則O2處于立方體的______;
③在M晶體中,Z4的氧配位數(shù)為________;
④已知O2半徑為1.40×10-10 m,則Z4半徑為___________m。

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:填空題

[選修物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)](15分)
A、B、C、D、E、F為六種短周期元素,它們核電荷數(shù)依次遞增。已知:B原子核外最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的兩倍,電子總數(shù)是E原子總數(shù)的1/2,F(xiàn)是同周期元素中原子半徑最小的元素;D2-與E2+的電子層結(jié)構(gòu)相同。B與D可以形成三原子化合物甲。A是非金屬元素,且A、C、F可形成離子化合物乙。請(qǐng)回答:
(1)C單質(zhì)的電子式      ,F(xiàn)元素原子的電子排布式     ,E元素的原子結(jié)構(gòu)示意圖是        
(2)化合物乙中含有的化學(xué)鍵是      。
(3)化合物甲為固體時(shí)屬于     晶體,E單質(zhì)在一定條件下與甲反應(yīng)的化學(xué)方程式為   。
(4)如圖立方體中心的“·”表示B單質(zhì)所形成的原子晶體中的一個(gè)原子,請(qǐng)?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“·”表示出與之緊鄰的B原子

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:填空題

(12分)高溫超導(dǎo)材料是科學(xué)家研究的重點(diǎn)物質(zhì)之一。
⑴科學(xué)家把C60和K摻雜在一起制造了一種富勒烯化合物,其晶胞如下左圖所示。該富勒烯化合物中的K原子和C60分子的個(gè)數(shù)比為  ▲ 。
         
⑵某同學(xué)畫出的C的核外電子排布(軌道表示式)如上右圖所示,該電子排布圖(軌道表示式)違背了  ▲ ,請(qǐng)你畫出正確的電子排布圖(軌道表示式)  ▲ 。
⑶金屬鉀采用的是下列  ▲ (填字母代號(hào))堆積方式。

⑷富勒烯(C60)的結(jié)構(gòu)如圖。

①1 mol C60分子中σ鍵的數(shù)目為   ▲  。
②已知:金剛石中的C-C的鍵長(zhǎng)為154.45 pm,C60中C-C鍵長(zhǎng)為145~140 pm。有同學(xué)據(jù)此推斷C60的熔點(diǎn)高于金剛石,你認(rèn)為是否正確并闡述理由:  ▲ 。

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:填空題

(5分)如圖所示為高溫超導(dǎo)領(lǐng)域里的一種化合物——鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)是具有代表性的最小重復(fù)單位。

(1)在該物質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu)中,每個(gè)鈦離子周圍與它最接近且距離相等的鈦離子、鈣離子各有      、         個(gè)。
(2)該晶體結(jié)構(gòu)中,元素氧、鈦、鈣的離子個(gè)數(shù)比是        。該物質(zhì)的化學(xué)式可表示為           。
(3)若鈣、鈦、氧三元素的相對(duì)質(zhì)量分別為a,b,c,晶體結(jié)構(gòu)圖中正方體邊長(zhǎng)(鈦原子之間的距離)為dnm(1nm=10-9m),則該晶體的密度為            g/cm3。

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:單選題

下列敘述正確的是
A.離子晶體中只存在離子鍵
B.原子晶體中只存在非極性共價(jià)鍵
C.冰是水分子間主要通過(guò)氫鍵作用有規(guī)則排列成的分子晶體
D.液態(tài)氯化鈉和銅導(dǎo)線的導(dǎo)電原理是相同的

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:單選題

硅酸鹽與二氧化硅一樣,都是以硅氧四面體作為基本結(jié)構(gòu)單元。硅氧四面體可以用投影圖表示成,其中O表示氧原子,中心黑點(diǎn)表示硅原子。硅氧四面體通過(guò)不同方式的連接可以組成各種不同的多聚硅酸根離子。下圖為某無(wú)限長(zhǎng)單鏈的多聚硅酸根離子:

試確定該陰離子中硅原子與氧原子的個(gè)數(shù)之比為
A.1︰2B.1︰3C.1︰4D.2︰5

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:單選題

有關(guān)晶體的下列說(shuō)法正確的是(   )
A.晶體中分子間作用力越大,分子越穩(wěn)定
B.分子中共價(jià)鍵越強(qiáng),該物質(zhì)熔點(diǎn)越高
C.鐵熔化時(shí)金屬鍵被破壞
D.氯化鈉溶于水時(shí)離子鍵未被破壞

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