(12分)用含少量鐵的氧化銅制取氯化銅晶體(CuCl2·xH2O)。有如下操作:

 

已知:在pH為4~5時,F(xiàn)e3+幾乎完全水解而沉淀,Cu2+卻不水解。

① 加熱酸溶過程中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式有:                        。

② 氧化劑A可選用          (填編號,下同)。

 A.KMnO4    B.  HNO3       C. Cl2    

③ 要得到較純的產(chǎn)品,試劑B可選用             。 

   A. NaOH      B. CuO        C.FeO

④ 試劑B的作用是               。       

A. 使Cu2+完全沉淀             B. 使Fe3+完全沉淀

C. 降低溶液的pH               D. 提高溶液的pH 

⑤ 從濾液經(jīng)過結(jié)晶得到氯化銅晶體的實驗條件是                      。

 

【答案】

(12分)① Fe + 2HCl = FeCl2 + H2↑    CuO + 2HCl =CuCl2 + H2O

②  C  ③ B    ④  BD    ⑤  將溶液在較低溫度下加熱蒸發(fā)析出晶體,同時通入氯化氫氣體防治水解。(各2分)

【解析】略

 

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

(12分)用含少量鐵的氧化銅制取氯化銅晶體(CuCl2·xH2O)。有如下操作:

 

已知:在pH為4~5時,F(xiàn)e3+幾乎完全水解而沉淀,Cu2+卻不水解。

① 加熱酸溶過程中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式有:                        。

② 氧化劑A可選用          (填編號,下同)。

 A.KMnO4    B.  HNO3       C. Cl2    

③ 要得到較純的產(chǎn)品,試劑B可選用            。 

   A. NaOH      B. CuO       C.FeO

④ 試劑B的作用是              。       

A. 使Cu2+完全沉淀            B. 使Fe3+完全沉淀

C. 降低溶液的pH              D. 提高溶液的pH 

⑤ 從濾液經(jīng)過結(jié)晶得到氯化銅晶體的實驗條件是                     。

 

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科目:高中化學(xué) 來源:2012屆內(nèi)蒙古呼倫貝爾市牙克石林業(yè)一中高三第二次模擬考試化學(xué)試卷 題型:填空題

(12分)用含少量鐵的氧化銅制取氯化銅晶體(CuCl2·xH2O)。有如下操作:
 
已知:在pH為4~5時,F(xiàn)e3+幾乎完全水解而沉淀,Cu2+卻不水解。
① 加熱酸溶過程中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式有:                        。
② 氧化劑A可選用         (填編號,下同)。
A.KMnO4   B.  HNO3      C. Cl2    
③ 要得到較純的產(chǎn)品,試劑B可選用            。 
A. NaOH     B. CuO       C.FeO
④ 試劑B的作用是              。       
A. 使Cu2+完全沉淀            B. 使Fe3+完全沉淀
C. 降低溶液的pH               D. 提高溶液的pH 
⑤ 從濾液經(jīng)過結(jié)晶得到氯化銅晶體的實驗條件是                     。

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科目:高中化學(xué) 來源:2013屆江蘇省泗陽致遠(yuǎn)中學(xué)高三實驗班第一次模擬考試化學(xué)試卷(帶解析) 題型:填空題

(12分) 氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高、不溶于酸(氫氟酸除外),是一種重要的結(jié)構(gòu)陶瓷材料。一種用工業(yè)硅(含少量鉀、鈉、鐵、銅的氧化物),已知硅的熔點(diǎn)是1420℃,高溫下氧氣及水蒸氣能明顯腐蝕氮化硅。一種合成氮化硅的工藝主要流程如下:

(1)凈化N2和H2時,銅屑的作用是:                      ;硅膠的作用是                 。
(2)在氮化爐中3SiO2(s)+2N2(g)=Si3N4(s) △H=-727.5kJ/mol,開始時為什么要嚴(yán)格控制氮?dú)獾牧魉僖钥刂茰囟龋?u>        ;體系中要通入適量的氫氣是為了       。
(3)X可能是            (選填:“鹽酸”、“硝酸”、“硫酸”、“氫氟酸”)。
(4)用硅粉作硅源、疊氮化鈉(NaN3)作氮源,直接燃燒生成氮化硅(發(fā)生置換反應(yīng)),該反應(yīng)的化學(xué)方程式為:           

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科目:高中化學(xué) 來源:2012-2013學(xué)年江蘇省高三實驗班第一次模擬考試化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題

(12分) 氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高、不溶于酸(氫氟酸除外),是一種重要的結(jié)構(gòu)陶瓷材料。一種用工業(yè)硅(含少量鉀、鈉、鐵、銅的氧化物),已知硅的熔點(diǎn)是1420℃,高溫下氧氣及水蒸氣能明顯腐蝕氮化硅。一種合成氮化硅的工藝主要流程如下:

(1)凈化N2和H2時,銅屑的作用是:                       ;硅膠的作用是                  。

(2)在氮化爐中3SiO2(s)+2N2(g)=Si3N4(s) △H=-727.5kJ/mol,開始時為什么要嚴(yán)格控制氮?dú)獾牧魉僖钥刂茰囟龋?u>         ;體系中要通入適量的氫氣是為了         。

(3)X可能是                  (選填:“鹽酸”、“硝酸”、“硫酸”、“氫氟酸”)。

(4)用硅粉作硅源、疊氮化鈉(NaN3)作氮源,直接燃燒生成氮化硅(發(fā)生置換反應(yīng)),該反應(yīng)的化學(xué)方程式為:                 

 

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