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【題目】砷的一些化合物常用作半導體、除草劑、殺鼠藥等。回答下列問題:

(1)基態(tài)As原子的核外電子排布式為[Ar]__________,有 ______個未成對電子。

(2)鎵氮砷合金材料的太陽能電池效率達40%。Ga、N、As電負性由大至小的順序是 ___________。

(3)As4O6的分子結構如圖所示,其中As原子的雜化方式為 _____mol。AS4O6含有鍵的物質的量為_________mol。

(4)As與N是同主族兀素,AsH3的沸點(-62.5 ℃)比NH3的沸點(-33.5℃)低,原因是______。

(5)H3AsO4和H3AsO3是砷的兩種含氧酸,根據結構與性質的關系,H3AsO4的酸性比

H3ASO3強的原因是_________。

(6)晶胞有兩個基本要素:

①原子坐標參數,表示晶胞內部各原子的相對位置,LiZnAs基稀磁半導體的晶胞如圖所示,其中原子坐標參數A處Li為(0,0,);B處As為(,,);C處Li的坐標參數為__________。

②晶胞參數,描述晶胞的大小和形狀,已知LiZnAs單晶的晶胞參數a = 594 pm,NA表示阿伏加德羅常數的數值,其密度為 ____g cm3 (列出計算式即可)

【答案】 3d104s24p3 3 N>As>Ga sp3 12 As的原子半徑比N的大,電負性比N的小,AsH3分子間不能形成氫鍵,而NH3分子間能形成氫鍵 H3AsO4H3AsO3可分別表示為(HO)3AsO(HO)3As,H3AsO3As為+3價,而H3AsO4As為+5價,正電性更高,導致AsOHO的電子向As便偏移,更易電離出H (1/2,1/2)1/2) 4×147/1/2) 4×147/[(5.94×108)3×NA]

【解析】(1)As的原子序數為33,則根據核外電子排布規(guī)律可知基態(tài)As原子的核外電子排布式為[Ar]3d104s24p3,有3個未成對電子;

(2)非金屬性越強電負性越大,則Ga、N、As電負性由大至小的順序是N>As>Ga;

(3)根據As4O6的分子結構示意圖可知As原子的價層電子對數為4,則As的雜化方式為sp3,單鍵都是鍵,則1molAS4O6含有鍵的物質的量為12mol;

(4)由于As原子半徑比N的大,電負性比N小,AsH3分子間不能形成氫鍵,而NH3分子間能形成氫鍵,所以AsH3的沸點比NH3的沸點低;

(5)H3AsO4H3AsO3可分別表示為(HO)3AsO(HO)3As,H3AsO3As+3價,而H3AsO4As+5價,正電性更高,導致As—O—HO的電子向As偏移,更易電離出H+離子,因此H3AsO4溶液的酸性比H3AsO3溶液強;

(6)①根據晶胞結構可知CLi的坐標參數為、、

②該晶胞中Li原子個數=12×+1=4,所以根據化學式可知該晶胞的密度==g cm3。

練習冊系列答案
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常溫下碳與濃硫酸不反應;②________________________

2)寫出加熱時A中碳與濃硫酸發(fā)生反應的化學方程____________________________。

3B中的現象是:_______________________C的作用是:___________________。

4)待A中不再逸出氣體時,停止加熱,拆下E并稱重,E增重bg.則鐵碳合金中鐵的質量分數為________________(寫表達式)。

5)甲同學認為利用此裝置測得鐵的質量分數偏大,請你寫出可能的原因:_____________________

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(2)反應①的離子方程武是_________________________________。

(3)反應①之前要洗滌濾渣B,對濾渣B進行洗滌的實驗操作方法是__________________

(4)反應②的化學反應方程式是____________________________。

(5)用滴定法測定制得的Ce(OH)4產品純度。

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