【題目】已知—C4H9有4種同分異構體,不必寫出C4H10O的結構簡式,試說明其作為醇的同分異構體的數目( 。
A. 2種 B. 4種 C. 3種 D. 5種
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【題目】已知I-、Fe3+、SO2、Cl-和H2O2均有還原性,它們在酸性溶液中還原性的順序為:
SO2>I->Fe2+>H2O2>Cl-,則下列反應不可能發(fā)生的是( )
A.2Fe3++SO2+2H2O===2Fe2++SO+4H+
B.I2+SO2+2H2O===H2SO4+2HI
C.2Fe2++I2===2Fe3++2I-
D.H2O2+SO2===H2SO4
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【題目】納米級Cu2O由于具有優(yōu)良的催化性能而受到關注,下表為制取Cu2O的三種方法:
方法I | 用碳粉在高溫條件下還原CuO |
方法II | 用肼(N2H4)還原新制Cu(OH)2 |
方法III | 電解法,反應為2Cu+H2OCu2O+H2↑ |
(1)已知:2Cu(s)+O2(g)=Cu2O(s)△H=﹣akJmol﹣1
C(s)+O2(g)=CO(g)△H=﹣bkJmol﹣1
Cu(s)+O2(g)=CuO(s)△H=﹣ckJmol﹣1
則方法I發(fā)生的反應:2Cu O(s)+C(s)=Cu2O(s)+CO(g);△H= kJmol﹣1.
(2)工業(yè)上很少用方法I制取Cu2O,是由于方法I反應條件不易控制,若控溫不當,會降低Cu2O產率,請分析原因: .
(3)方法II為加熱條件下用液態(tài)肼(N2H4)還原新制Cu(OH)2來制備納米級Cu2O,同時放出N2.
該制法的化學方程式為 .
(4)方法III采用離子交換膜控制電解液中OH﹣的濃度而制備納米Cu2O,裝置如圖所示,寫出電極反應式
并說明該裝置制備Cu2O的原理 .
(5)在相同的密閉容器中,用以上兩種方法制得的Cu2O分別進行催化分解水的實驗:
2H2O(g)2H2(g)+O2(g)△H>0,水蒸氣的濃度(mol/L)隨時間t(min)
變化如下表所示.
序號 | Cu2O a克 | 溫度 | 0 | 10 | 20 | 30 | 40 | 50 |
① | 方法II | T1 | 0.050 | 0.0492 | 0.0486 | 0.0482 | 0.0480 | 0.0480 |
② | 方法III | T1 | 0.050 | 0.0488 | 0.0484 | 0.0480 | 0.0480 | 0.0480 |
③ | 方法III | T2 | 0.10 | 0.094 | 0.090 | 0.090 | 0.090 | 0.090 |
下列敘述正確的是 (填字母代號).
a.實驗的溫度:T2<T1
b.實驗①前20min的平均反應速率v(O2)=7×10﹣5molL﹣1min﹣1
c.實驗②比實驗①所用的Cu2O催化效率高
d. 實驗①、②、③的化學平衡常數的關系:K1=K2<K3.
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【題目】氮化硅(Si3N4)是一種新型陶瓷材料,它可由石英與焦炭在高溫的氮氣流中,通過以下反應制得:
3SiO2(s)+6C(s)+2N2(g)Si3N4(s)+6CO(g)達到平衡后,改變某一外界條件(不改變N2、CO的量),反應速率V與時間t的關系如下圖
(1)該反應的氧化劑是 ;
(2)若該反應已經達到平衡,體積不變時升高溫度平衡逆向移動,則混合氣體的密度 (填“變大”“變小”或“不變”),該反應熱△H________0(填“>”“<”“=”);
(3)圖中t4時引起平衡移動的條件可能是 ;圖中表示平衡混合物中CO的含量最高的一段時間是 。
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【題目】[物質結構與性質]K4[Fe(CN)6]強熱可發(fā)生反應:
3 K4[Fe(CN)6] 2 (CN)2↑+12 KCN +N2↑+ Fe3C + C
(1)K4[Fe(CN)6]中Fe2+的配位數為 (填數字);Fe2+基態(tài)外圍電子排布式為 。
(2)(CN)2分子中碳原子雜化軌道類型為 ;1molK4[Fe(CN)6]分子中含有鍵的數目為 。
(3)O與CN互為等電子體,則O的電子式為 。
(4)Fe3C的晶胞結構中碳原子的配位數為6,碳原子與緊鄰的鐵原子組成的空間構型為 。
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【題目】 100℃時,將0.1 mol N2O4置于1 L密閉的燒瓶中,然后將燒瓶放入100℃的恒溫槽中,燒瓶內的氣體逐漸變?yōu)榧t棕色:N2O4(g) 2NO2 (g)。下列結論不能說明上述反應在該條件下已經達到反應限度的是 ( )
A.N2O4的消耗速率與NO2的生成速率之比為1∶2
B.燒瓶內氣體的顏色不再加深
C.燒瓶內氣體的平均相對分子質量不再變化
D.燒瓶內氣體的壓強不再變化。
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【題目】化學已經滲透到人類生活的方方面面。下列說法正確的是
A. “青蒿一握,以水二升漬,絞取汁”,該過程屬于化學變化
B. 去皮蘋果放在空氣中久置變黃與紙張久置變黃原理相似
C. 高純硅廣泛用于制作光導纖維,光導纖維遇強堿會“斷路”
D. 酸雨以及光化學煙霧的形成通常都與氮的含氧化合物有關
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【題目】【化學——選修3:物質結構】砷化鎵(GaAs)是優(yōu)良的半導體材料,可用于制作微型激光器或太陽能電池的材料等;卮鹣铝袉栴}:
(1)寫出基態(tài)As原子的核外電子排布式 。
(2)根據元素周期律,原子半徑Ga As,第一電離能Ga As。(填“大于”或“小于”)
(3)AsCl3分子的立體構型為 ,其中As的雜化軌道類型為 。
(4)GaF3的熔點高于1000℃,GaCl3的熔點為77.9℃,其原因是 。
(5)GaAs的熔點為1238℃,密度為,其晶胞結構如圖所示。
該晶體的類型為 。Ga與As的摩爾質量分別為和,原子半徑分別為和,阿伏加德羅常數值為,則晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為 。(已知1m=1012pm)
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