A. | 原子半徑由大到小的順序:W>Z>Y>X,簡(jiǎn)單離子半徑由大到小的順序:X>Y>Z | |
B. | 原子最外層電子數(shù)由多到少的順序:Y>X>W(wǎng)>Z,最高正價(jià)由高到低順序:W>Z | |
C. | 元素非金屬性由強(qiáng)到弱的順序:Z>W(wǎng)>X,W的單質(zhì)常溫下可與氫氧化鈉溶液反應(yīng) | |
D. | 簡(jiǎn)單氣態(tài)氫化物的穩(wěn)定性由強(qiáng)到弱的順序:X>Y>W(wǎng) |
分析 X、Y、Z、W為原子序數(shù)依次增大的短周期主族元素,X原子最外層有6個(gè)電子,結(jié)合原子序數(shù)可知,X為O元素;Y是至今發(fā)現(xiàn)的非金屬性最強(qiáng)的元素,則Y為F元素;Z處于第三周期,在周期表中處于周期序數(shù)等于族序數(shù)的位置,則Z為Al;W的單質(zhì)廣泛用作太陽(yáng)能電池材料和電腦芯片,則W為Si.
解答 解:X、Y、Z、W為原子序數(shù)依次增大的短周期主族元素,X原子最外層有6個(gè)電子,結(jié)合原子序數(shù)可知,X為O元素;Y是至今發(fā)現(xiàn)的非金屬性最強(qiáng)的元素,則Y為F元素;Z處于第三周期,在周期表中處于周期序數(shù)等于族序數(shù)的位置,則Z為Al;W的單質(zhì)廣泛用作太陽(yáng)能電池材料和電腦芯片,則W為Si.
A.同周期自左而右原子半徑減小,同主族自上而下原子半徑增大,故原子半徑Si>S>O>F;電子層結(jié)構(gòu)相同的離子,核電荷數(shù)越大離子半徑越小,離子電子層越多,離子半徑越大,故離子半徑S2->O2->F-,故A錯(cuò)誤;
B.X、Y、Z、W最外層電子數(shù)分別為6、7、3和4,即最外層電子數(shù)Y>X>W(wǎng)>Z,W、Z的最高正化合價(jià)分別為+4、+3,最高正價(jià)由高到低順序:W>Z,故B正確;
C.元素非金屬性由強(qiáng)到弱的順序:Z(Al)<W(Si)<X(O),W(Si)的單質(zhì)常溫下可與氫氧化鈉溶液反應(yīng)生成硅酸鈉與氫氣,故C錯(cuò)誤;
D.非金屬性Y(F)>X(O)>W(wǎng)(Si),則最簡(jiǎn)單氫化物的穩(wěn)定性:Y>X>W(wǎng),故D錯(cuò)誤,
故選:B.
點(diǎn)評(píng) 本題考查結(jié)構(gòu)性質(zhì)位置關(guān)系應(yīng)用,推斷元素是解題關(guān)鍵,側(cè)重對(duì)元素周期律的考查,難度不大.
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | NA個(gè)氧分子與NA個(gè)氫分子的質(zhì)量之比為8:1 | |
B. | 100mL 1.0mol•L-1FeCl3溶液與足量Cu反應(yīng),轉(zhuǎn)移的電子數(shù)為0.2NA | |
C. | 標(biāo)準(zhǔn)狀況下,11.2LCCl4中含有C-Cl鍵的數(shù)目為2NA | |
D. | NA個(gè)D2O分子中,含有10NA個(gè)電子 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
選項(xiàng) | ①中物質(zhì) | ②中物質(zhì) | 預(yù)測(cè)中的現(xiàn)象 |
A | 稀鹽酸 | 碳酸鈉、氫氧化鈉混合溶液 | 立即產(chǎn)生氣泡 |
B | 濃硝酸 | 用砂紙打磨過(guò)的鋁條 | 產(chǎn)生紅棕色氣體 |
C | 氯化鋁溶液 | 濃氫氧化鈉溶液 | 產(chǎn)生大量白色沉淀 |
D | 草酸溶液 | 高錳酸鉀酸性溶液 | 溶液逐漸褪色 |
A. | A | B. | B | C. | C | D. | D |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 正極反應(yīng)中有Ag生成 | |
B. | OH-通過(guò)隔膜從正極區(qū)移向負(fù)極區(qū) | |
C. | 消耗5.4g Al時(shí),電路中轉(zhuǎn)移0.6mol e- | |
D. | 電池總反應(yīng)為:2Al+3AgO=Al2O3+3Ag |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:填空題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:填空題
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