下列關(guān)于晶體的敘述中,錯(cuò)誤的是(  )
A、每1molSi晶體中,含有2molSi-Si共價(jià)鍵B、在CO2晶體中,與每個(gè)CO2分子周圍緊鄰的有12個(gè)CO2分子C、在CsCl晶體中,與每個(gè)Cs+周圍緊鄰的有8個(gè)Cl-,而與每個(gè)Cs+等距離緊鄰的也有8個(gè)Cs+D、在簡(jiǎn)單立方堆積的金屬晶體中,每個(gè)金屬原子周圍緊鄰的有6個(gè)金屬原子
分析:A、Si晶體中每2個(gè)Si原子形成一個(gè)共價(jià)鍵,每個(gè)Si能形成4個(gè)共價(jià)鍵;
B.采用沿X、Y、Z三軸切割的方法判斷二氧化碳分子的個(gè)數(shù);
C.根據(jù)晶胞圖片確定離子配位數(shù);
D.簡(jiǎn)單立方堆積的金屬晶體中,每個(gè)頂點(diǎn)有一個(gè)金屬原子.
解答:解:A、Si晶體中每2個(gè)Si原子形成一個(gè)共價(jià)鍵,每個(gè)Si能形成4個(gè)共價(jià)鍵,所以平均1molSi晶體中,含有2molSi-Si共價(jià)鍵,故A正確;
B.采用沿X、Y、Z三軸切割的方法判斷二氧化碳分子的個(gè)數(shù)為12,所以在CO2晶體中,與每個(gè)CO2分子周圍緊鄰的有12個(gè)CO2分子;故B正確;
C.根據(jù)晶胞圖片知,在CsCl晶體中每個(gè)Cs+周圍都緊鄰8個(gè)Cl-,每個(gè)Cs+等距離緊鄰的有6個(gè)Cs+,故C錯(cuò)誤;
D.簡(jiǎn)單立方堆積的金屬晶體中,每個(gè)頂點(diǎn)有一個(gè)金屬原子,從三維坐標(biāo)分析,每個(gè)坐標(biāo)軸上2個(gè)金屬原子,共6個(gè)原子,故D正確;
故選:C.
點(diǎn)評(píng):本題考查晶體結(jié)構(gòu),明確晶胞結(jié)構(gòu)是解本題關(guān)鍵,難點(diǎn)是配位數(shù)的計(jì)算,難度中等.
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(2013?浦東新區(qū)三模)下列關(guān)于晶體的敘述中,正確的是( 。

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下列關(guān)于晶體的敘述中正確的是( 。
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A、石墨的層狀結(jié)構(gòu)中由共價(jià)鍵形成的最小的碳原子環(huán)上有6個(gè)碳原子B、氯化鈉晶體中每個(gè)Na+周圍緊鄰的有6個(gè)Cl-C、在CsCl晶體中,每個(gè)Cs+周圍緊鄰的有8個(gè)Cs+D、金屬晶體中,金屬鍵既沒(méi)有方向性,又沒(méi)有飽和性

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