下表是某些原子晶體的熔點(diǎn)和硬度( )
原子晶體 | 金剛石 | 氮化硼 | 碳化硅 | 石英 | 硅 | 鍺 |
熔點(diǎn)/℃ | 3900 | 3000 | 2700 | 1710 | 1410 | 1211 |
硬度 | 10 | 9.5 | 9.5 | 7 | 6.5 | 6.0 |
分析表中的數(shù)據(jù),判斷下列敘述正確的是( )
①構(gòu)成原子晶體的原子種類越多,晶體的熔點(diǎn)越高
②構(gòu)成原子晶體的原子間的共價(jià)鍵鍵能越大,晶體的熔點(diǎn)越高
③構(gòu)成原子晶體的原子的半徑越大,晶體的硬度越大
④構(gòu)成原子晶體的原子的半徑越小,晶體的硬度越大
A.①②B.③④
C.①③D.②④
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
X+中所有電子正好充滿K、L、M三個(gè)電子層,它與N3-形成的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示。X的元素符號(hào)是____________,與同一個(gè)N3-相連的X+有______個(gè)。
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
下列各物質(zhì)中均能導(dǎo)電且導(dǎo)電本質(zhì)相同的是( )
A.石墨和稀硫酸 B.鎂和熔化的KNO3
C.金剛石和晶體硅 D.鎂和鋁
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
氮化硅是一種新合成的超硬、耐磨、耐高溫的材料。下列對(duì)氮化硅的敘述中,正確的是( )
A.氮化硅是分子晶體
B.氮化硅是原子晶體
C.氮化硅是離子晶體
D.氮化硅化學(xué)式為Si4N3
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
金屬晶體堆積密度大,原子配位數(shù)高,能充分利用空間的原因是( )
A.金屬原子的價(jià)電子數(shù)少
B.金屬晶體中有自由電子
C.金屬原子的原子半徑大
D.金屬鍵沒(méi)有飽和性和方向性
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
關(guān)于金屬晶體的體心立方密堆積的結(jié)構(gòu)型式的敘述中,正確的是( )
A.晶胞是六棱柱
B.屬于A2型密堆積
C.每個(gè)晶胞中含有4個(gè)原子
D.每個(gè)晶胞中含有5個(gè)原子
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
離子晶體不可能具有的性質(zhì)是( )
A.較高的熔、沸點(diǎn) B.良好的導(dǎo)電性
C.溶于極性溶劑 D.堅(jiān)硬而易粉碎
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
下列性質(zhì)中體現(xiàn)了金屬通性的是( )
A.鐵能夠被磁鐵磁化
B.鋁常溫下不溶于濃硝酸
C.銅有良好的延展性、導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性
D.鈉與水劇烈反應(yīng)放出氫氣
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