現(xiàn)有A.二氧化硅B.三氧化二鐵C.二氧化硫D.三氧化二鋁。請你根據(jù)已有的知識，選擇合適的物質(zhì)，用字母代號填空：

（1）能形成酸雨的是________；（2）光纖制品的基本原料________；
（3）屬于兩性氧化物的是________；（4）紅棕色固體是________。

C；    A；    D；    B。
酸雨的主要物質(zhì)為二氧化硫，光纖制品的基本原料為二氧化硅，屬于兩性氧化物的是氧化鋁，紅棕色固體為三氧化二鐵。
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

（1）用適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)用語填寫下列空格：
甲基的化學(xué)式
-CH3
-CH3
；氫氧化鉀的電子式
．
N2的結(jié)構(gòu)式
N≡N
N≡N
；乙炔的結(jié)構(gòu)簡式
CH≡CH
CH≡CH

（2）現(xiàn)有a．MgCl2；b．金剛石；c．NH4NO3；d．Na2O；e．干冰；f．碘；g．二氧化硅晶體；h．聚氯乙烯塑料；i．石墨九種物質(zhì)，請用相應(yīng)字母填空：
①屬于原子晶體的化合物是
g
g

②固態(tài)時屬于分子晶體的化合物是
e
e

③熔化時只需要破壞共價鍵的單質(zhì)是
b
b

④既含有離子鍵又含有共價鍵的是
c
c

⑤屬于合成有機(jī)高分子的是
h
h

⑥能導(dǎo)電的是
i
i

⑦e與g的沸點(diǎn)相比，較高的是
g
g
．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

（多選錯選不得分）現(xiàn)有下列物質(zhì)，用編號填空回答下列問題：
A．干冰   B．金剛石   C．氦   D．過氧化鈉   E．二氧化硅  F．溴化銨
（1）通過非極性鍵形成的原子晶體是：
 
．
（2）可由原子直接構(gòu)成的晶體是：
 
．
（3）含有離子鍵、共價鍵、配位鍵的化合物是：
 
．
（4）含有非極性鍵的離子化合物是：
 
．
（5）已知微粒間的作用力包括離子鍵、共價鍵、金屬鍵、范德華力、氫鍵．氯化鈉熔化，粒子間克服的作用力為
 
；二氧化硅熔化，粒子間克服的作用力為
 
；干冰氣化，粒子間克服的作用力為
 
．A、B、C、D四種物質(zhì)的熔點(diǎn)從低到高的順序為
 
（填序號）．

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科目：高中化學(xué) 來源：2013-2014學(xué)年河北省高三3月摸底考試?yán)砭C化學(xué)試卷（解析版） 題型：填空題

現(xiàn)有A、B、C、D、E、F原子序數(shù)依次增大的六種元素，它們位于元素周期表的前四周期。B元素含有3個能級，且每個能級所含的電子數(shù)相同；D的原子核外有8個運(yùn)動狀態(tài)不同的電子；E元素與F元素處于同一周期相鄰的族，它們的原子序數(shù)相差3，且E元素的基態(tài)原子有4個未成對電子。請回答下列問題：

（1）用元素符號表示B、C、D三種元素的第一電離能由低到高的順序?????? 。

（2）下列說法錯誤的是??????? 。

A．二氧化硅的相對分子質(zhì)量比二氧化碳大，所以沸點(diǎn)：SiO2＞CO2

B．電負(fù)性順序：C＜N＜O＜F

C．N2與CO為等電子體，化學(xué)性質(zhì)相似

D．由于水分子間存在氫鍵，所以穩(wěn)定性：H2O＞H2S

（3）E元素的+2價氧化物的熔點(diǎn)比+3價氧化物???????? （高或低），

原因是?????????? 。

（4）B單質(zhì)的一種同素異形體的晶胞如圖所示，若晶體的密度為ρg/cm3，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，則晶體中最近的兩個原子之間的距離為??????? cm。

（5）F離子是人體內(nèi)多種酶的輔因子，人工模擬酶是當(dāng)前研究的熱點(diǎn)。

①F原子的外圍電子排布式為________ __。向F的硫酸鹽溶液中通入過量C與A形成的氣體N，可生成[F(N)4]2+，該離子的結(jié)構(gòu)式為??????? (用元素符號表示)。

②某化合物與F(Ⅰ)(Ⅰ表示化合價為＋1)結(jié)合形成圖1所示的離子：該離子中碳原子的雜化方式有?????? 。

 

 

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科目：高中化學(xué) 來源：2013-2014學(xué)年山西省四校高三第四次聯(lián)考理綜化學(xué)試卷（解析版） 題型：填空題

現(xiàn)有A、B、C、D、E、F原子序數(shù)依次增大的六種元素，它們位于元素周期表的前四周期。B元素含有3個能級，且每個能級所含的電子數(shù)相同；D的原子核外有8個運(yùn)動狀態(tài)不同的電子；E元素與F元素處于同一周期相鄰的族，它們的原子序數(shù)相差3，且E元素的基態(tài)原子有4個未成對電子。請回答下列問題：

（1）用元素符號表示B、C、D三種元素的第一電離能由低到高的順序?????? 。

（2）下列說法錯誤的是??????? 。

A．二氧化硅的相對分子質(zhì)量比二氧化碳大，所以沸點(diǎn)：SiO2＞CO2

B．電負(fù)性順序：C＜N＜O＜F

C．N2與CO為等電子體，化學(xué)性質(zhì)相似

D．由于水分子間存在氫鍵，所以穩(wěn)定性：H2O＞H2S

（3）E元素的+2價氧化物的熔點(diǎn)比+3價氧化物???????? （高或低），原因是?????????? 。

（4）B單質(zhì)的一種同素異形體的晶胞如圖所示，若晶體的密度為ρg/cm3，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，則晶體中最近的兩個原子之間的距離為??????? cm。

（5）F離子是人體內(nèi)多種酶的輔因子，人工模擬酶是當(dāng)前研究的熱點(diǎn)。

①F原子的外圍電子排布式為____ 。向F的硫酸鹽溶液中通入過量C與A形成的氣體N，可生成【F（N）4】2+，該離子的結(jié)構(gòu)式為??????? （用元素符號表示）。

②某化合物與F（Ⅰ）（Ⅰ表示化合價為＋1）結(jié)合形成圖1所示的離子：該離子中碳原子的雜化方式有?????? 。

 

 

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