Question

下列物質(zhì)的熔點(diǎn)或液化溫度由高到低順序的是（　�。�

	A．	金剛石＞晶體硅＞碳化硅	B．	CF4＞CCl4＞CBr4
	C．	NH3＞N2＞H2	D．	純鎂＞鎂鋁合金＞純鋁

　

Answer 1

考點(diǎn)：

晶體的類型與物質(zhì)熔點(diǎn)、硬度、導(dǎo)電性等的關(guān)系．

專題：

化學(xué)鍵與晶體結(jié)構(gòu)．

分析：

A．原子晶體中，鍵長(zhǎng)越小，鍵能越大，熔點(diǎn)越高；

B．分子晶體中，相對(duì)分子質(zhì)量越大，熔點(diǎn)越大；

C．分子晶體中，相對(duì)分子質(zhì)量越大，熔點(diǎn)越大，但含有氫鍵的物質(zhì)熔點(diǎn)更高；

D．金屬晶體中，電荷越高，離子半徑越小，熔點(diǎn)高，且合金比其各成分的熔點(diǎn)都低．

解答：

解：A．原子晶體中，鍵長(zhǎng)越小，鍵能越大，熔點(diǎn)越高，則熔點(diǎn)為金剛石＞碳化硅＞晶體硅，故A錯(cuò)誤；

B．分子晶體中，相對(duì)分子質(zhì)量越大，熔點(diǎn)越大，則熔點(diǎn)為CBr₄＞CCl₄＞CF₄，故B錯(cuò)誤；

C．分子晶體中，相對(duì)分子質(zhì)量越大，熔點(diǎn)越大，但氨氣分子中含有氫鍵的物質(zhì)熔點(diǎn)更高，所以熔點(diǎn)為NH₃＞N₂＞H₂，故C正確；

D．金屬晶體中，電荷越高，離子半徑越小，熔點(diǎn)高，且合金比其各成分的熔點(diǎn)都低，則熔點(diǎn)為純鋁＞純鎂＞鎂鋁合金，故D錯(cuò)誤；

故選C．

點(diǎn)評(píng)：

本題考查晶體中熔點(diǎn)的比較，明確不同晶體的類型及比較熔點(diǎn)的方法不同，注意選項(xiàng)C中氫鍵對(duì)熔點(diǎn)的影響為解答的易錯(cuò)點(diǎn)，題目難度中等．