實(shí)驗(yàn)序號(hào) | 實(shí)驗(yàn)方法 | 實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象 | 結(jié)論 |
① | 將氯水滴加到AgNO3溶液中 | 生成白色沉淀 | |
② | 將氯水滴加到含有酚酞的NaOH溶液中 | ||
③ | 淀粉-KI試紙變藍(lán)色 | 氯水中含有Cl2 | |
④ | 將足量的氯水滴加到Na2CO3溶液中 | 氯水中含有H+ |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2013-2014學(xué)年云南省部分名校高三第一次聯(lián)考(11月)理綜化學(xué)試卷(解析版) 題型:實(shí)驗(yàn)題
高純度單晶硅是典型的無(wú)機(jī)非金屬材料,是制備半導(dǎo)體的重要材料,它的發(fā)現(xiàn)和使用曾引起計(jì)算機(jī)的一場(chǎng)“革命”。高純硅通常用以下方法制備:用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅(含F(xiàn)e、Al、B、P等雜質(zhì)),粗硅與氯氣反應(yīng)生成四氯化硅(反應(yīng)溫度為450~500℃),四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實(shí)驗(yàn)室制備四氯化硅的裝置圖。
相關(guān)信息:a.四氯化硅遇水極易水解;b.硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接化合生成相應(yīng)的氯化物;c.有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見(jiàn)下表:
物質(zhì) |
SiCl4 |
BCl3 |
AlCl3 |
FeCl3 |
PCl5 |
沸點(diǎn)/℃ |
57.7 |
12.8 |
— |
315 |
— |
熔點(diǎn)/℃ |
-70.0 |
-107.2 |
— |
— |
— |
升華溫度/℃ |
— |
— |
180 |
300 |
162 |
請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)儀器e的名稱(chēng)為 ,裝置A中f管的作用是 ,其中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式為 。
(2)裝置B中的試劑是 。
(3)某學(xué)習(xí)小組設(shè)計(jì)了以下兩種實(shí)驗(yàn)方案:方案甲:g接裝置Ⅰ;方案乙:g接裝置Ⅱ。但是甲乙兩個(gè)方案中虛線內(nèi)裝置均有不足之處,請(qǐng)你評(píng)價(jià)后填寫(xiě)下表。
方案 |
不足之處 |
甲 |
|
乙 |
|
(4)在上述(3)的評(píng)價(jià)基礎(chǔ)上,請(qǐng)?jiān)O(shè)計(jì)一個(gè)合理方案: 。
(5)通過(guò)上述合理的裝置制取并收集到的粗產(chǎn)物可通過(guò)精餾(類(lèi)似多次蒸餾)得到高純度四氯化硅,精餾后的殘留物中,除鐵元素外可能還含有的雜質(zhì)元素是 (填寫(xiě)元素符號(hào))。
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2014屆甘肅省高三上學(xué)期期中考試?yán)砭C化學(xué)試(解析版) 題型:實(shí)驗(yàn)題
高純度單晶硅是典型的無(wú)機(jī)非金屬材料,是制備半導(dǎo)體的重要材料,它的發(fā)現(xiàn)和使用曾引起計(jì)算機(jī)的一場(chǎng)“革命”。高純硅通常用以下方法制備:用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅(含F(xiàn)e、Al、B、P等雜質(zhì)),粗硅與氯氣反應(yīng)生成四氯化硅(反應(yīng)溫度為450~500℃),四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實(shí)驗(yàn)室制備四氯化硅的裝置圖。
相關(guān)信息:a.四氯化硅遇水極易水解;b.硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接化合生成相應(yīng)的氯化物;c.有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見(jiàn)下表:
物質(zhì) |
SiCl4 |
BCl3 |
AlCl3 |
FeCl3 |
PCl5 |
沸點(diǎn)/℃ |
57.7 |
12.8 |
— |
315 |
— |
熔點(diǎn)/℃ |
-70.0 |
-107.2 |
— |
— |
— |
升華溫度/℃ |
— |
— |
180 |
300 |
162 |
請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)儀器e的名稱(chēng)為_(kāi)___________,裝置A中f管的作用是_______________________________________,其中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式為_(kāi)____ ____________________________________ _______。
(2)裝置B中的試劑是____________。
(3)某學(xué)習(xí)小組設(shè)計(jì)了以下兩種實(shí)驗(yàn)方案:方案甲:g接裝置Ⅰ;方案乙:g接裝置Ⅱ。但是甲乙兩個(gè)方案中虛線內(nèi)裝置均有不足之處,請(qǐng)你評(píng)價(jià)后填寫(xiě)下表。
方案 |
不足之處 |
甲 |
|
乙 |
|
(4)在上述(3)的評(píng)價(jià)基礎(chǔ)上,請(qǐng)?jiān)O(shè)計(jì)一個(gè)合理方案:___________ ________ 。
(5)通過(guò)上述合理的裝置制取并收集到的粗產(chǎn)物可通過(guò)精餾(類(lèi)似多次蒸餾)得到高純度四氯化硅,精餾后的殘留物中,除鐵元素外可能還含有的雜質(zhì)元素是 (填寫(xiě)元素符號(hào))。
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