C和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位.
(1)寫出Si原子核外最外層電子排布式______. C、Si和O元素的原子半徑由小到大的順序為______.
(2)SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似,微粒間存在的作用力是______.SiC晶體熔點______ 晶體硅(填<、>、=).
(3)氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等,則MCl2水溶液顯______性,相關(guān)的離子方程式______.
(4)C、Si為同一主族的元素,證明兩者非金屬性強弱的事實有______.(舉一例說明)
(1)硅原子核外有14個電子,根據(jù)核外電子排布規(guī)律知,每個電子層上最多排2n2個電子,但最外層不大于8個電子,s能級上最多排2個電子,p能級上最多排6個電子,所以硅原子的最外層電子排布式為3s23p2;在元素周期律中,同一周期,元素的原子半徑隨著原子序數(shù)的增大而減小,同一周期,元素的原子半徑隨著原子序數(shù)的增大而增大,所以C、Si和O元素的原子半徑由小到大的順序為 O<C<Si.
 故答案為:3s23p2; O<C<Si.
 (2)非金屬元素之間易形成共價鍵(銨鹽除外),所以SiC的晶體結(jié)構(gòu)中微粒間存在的作用力是共價鍵;碳化硅和硅相似,都是原子晶體,原子晶體的熔點與組成元素的原子半徑有關(guān),原子半徑越小,熔點越高,SiC晶體中碳原子的原子半徑小于硅原子的原子半徑,所以碳化硅晶體的熔點大于晶體硅的熔點.
故答案為:共價鍵;>.
(3)氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等,所以M是鎂元素,氯化鎂是強酸弱堿鹽,所以其水溶液呈酸性;弱離子鎂離子能發(fā)生水解生成氫氧化鎂和氫離子Mg2++2H2O?Mg(OH)2+2H+,導(dǎo)致溶液中氫離子的濃度大于氫氧根離子的濃度,所以溶液呈酸性.
故答案為:酸性;Mg2++2H2O?Mg(OH)2+2H+
(4)將二氧化碳通入硅酸鈉溶液中,有硅酸鈉沉淀析出,根據(jù)強酸制取弱酸知,碳酸的酸性大于硅酸的酸性,所以碳的非金屬性大于硅的非金屬性.
故答案為:將二氧化碳通入硅酸鈉溶液中,有硅酸鈉沉淀析出,根據(jù)強酸制取弱酸知,碳酸的酸性大于硅酸的酸性,所以碳的非金屬性大于硅的非金屬性.
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相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

(2011?松江區(qū)模擬)C和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位.
(1)寫出Si原子核外最外層電子排布式
3s23p2
3s23p2
. C、Si和O元素的原子半徑由小到大的順序為
O<C<Si
O<C<Si

(2)SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似,微粒間存在的作用力是
共價鍵
共價鍵
.SiC晶體熔點
 晶體硅(填<、>、=).
(3)氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等,則MCl2水溶液顯
酸性
酸性
性,相關(guān)的離子方程式
Mg2++2H2O?Mg(OH)2+2H+
Mg2++2H2O?Mg(OH)2+2H+

(4)C、Si為同一主族的元素,證明兩者非金屬性強弱的事實有
將二氧化碳通入硅酸鈉溶液中,有硅酸鈉沉淀析出,根據(jù)強酸制取弱酸知,碳酸的酸性大于硅酸的酸性,所以碳的非金屬性大于硅的非金屬性.
將二氧化碳通入硅酸鈉溶液中,有硅酸鈉沉淀析出,根據(jù)強酸制取弱酸知,碳酸的酸性大于硅酸的酸性,所以碳的非金屬性大于硅的非金屬性.
.(舉一例說明)

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

(2009?山東)(化學(xué)-物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì))C和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位.
(1)寫出Si的基態(tài)原子核外電子排布式
1s22s22p63s23p2
1s22s22p63s23p2

從電負(fù)性角度分析,C、Si和O元素的非金屬活潑性由強至弱的順序為
O>C>Si
O>C>Si

(2)SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似,其中C原子的雜化方式為
sp3
sp3
,微粒間存在的作用力是
共價鍵
共價鍵

(3)氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等,則M為
Mg
Mg
(填元素符號).MO是優(yōu)良的耐高溫材料,其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似.MO的熔點比CaO的高,其原因是
Mg2+半徑比Ca2+小,MgO晶格能大
Mg2+半徑比Ca2+小,MgO晶格能大

(4)C、Si為同一主族的元素,CO2和SiO2化學(xué)式相似,但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大不同.CO2中C與O原子間形成σ鍵和π鍵,SiO2中Si與O原子間不形成上述π。畯脑影霃酱笮〉慕嵌确治觯瑸楹蜟、O原子間能形成,而Si、O原子間不能形成上述π鍵
Si的原子半徑較大,Si、O原子間距離較大,p-p軌道肩并肩重疊程度較小,不能形成上述穩(wěn)定的π鍵
Si的原子半徑較大,Si、O原子間距離較大,p-p軌道肩并肩重疊程度較小,不能形成上述穩(wěn)定的π鍵

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:閱讀理解

C和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位.
(1)寫出Si的基態(tài)原子核外電子排布式
1s22s22p63s23p2
1s22s22p63s23p2
.從電負(fù)性角度分析,C、Si和O元素的非金屬活潑性由強至弱的順序為
O>C>Si
O>C>Si

(2)SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似,其中C原子的雜化方式為
sp3
sp3
,微粒間存在的作用力是
共價鍵
共價鍵

(3)氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等,則M為
Mg
Mg
(填元素符號),MO是優(yōu)良的耐高溫材料,其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似,MO的熔點比CaO的高,其原因是
Ca2+的離子半徑大于Mg2+,MgO的晶格能大
Ca2+的離子半徑大于Mg2+,MgO的晶格能大

(4)C、Si為同一主族的元素,CO2和SiO2化學(xué)式相似,但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大不同.CO2中C與O原子間形成σ鍵和π鍵,SiO2中Si與O原子間不形成上述π健.從原子半徑大小的角度分析,為何C、O原子間能形成,而Si、O原子間不能形成上述π健
Si、O原子間距離較大,p-p軌道肩并肩重疊程度較小,不能形成上述穩(wěn)定的π鍵
Si、O原子間距離較大,p-p軌道肩并肩重疊程度較小,不能形成上述穩(wěn)定的π鍵

(5)有A、B、C三種物質(zhì),每個分子中都各有14個電子,其中A的分子屬于非極性分子,且只有非極性鍵;B的分子也屬于非極性分子,但既有非極性鍵,又有極性鍵;C的分子屬于極性分子.則可推出:A的電子式是
,B的結(jié)構(gòu)式是
H-C≡C-H
H-C≡C-H

(6)已知Si-Si鍵能為176kJ/mol,Si-O鍵能為460kJ/mol,O=O鍵能為497.3kJ/mol.則可計算出1mol硅與足量氧氣反應(yīng)時將放出
=-990.7
=-990.7
kJ的熱量.

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

(化學(xué)-物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì))

C和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位。

(1)寫出Si的基態(tài)原子核外電子排布式    。

從電負(fù)性角度分析,C、Si和O元素的非金屬活潑性由強至弱的順序為    。

(2)SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似,其中C原子的雜化方式為    ,微粒間存在的作用力是    。

(3)氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等,則M為    (填元素符號)。MO是優(yōu)良的耐高溫材料,其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似。MO的熔點比CaO的高,其原因是    

(4)C、Si為同一主族的元素,CO2和SiO2化學(xué)式相似,但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大不同。CO2中C與O原子間形成鍵和鍵,SiO2中Si與O原子間不形成上述健。從原子半徑大小的角度分析,為何C、O原子間能形成,而Si、O原子間不能形成上述    。

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科目:高中化學(xué) 來源:2009年普通高等學(xué)校招生統(tǒng)一考試?yán)砭C試題化學(xué)部分(山東卷) 題型:選擇題

(化學(xué)-物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì))www.7caiedu.cn

C和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位。

(1)寫出Si的基態(tài)原子核外電子排布式    

從電負(fù)性角度分析,C、Si和O元素的非金屬活潑性由強至弱的順序為    。

(2)SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似,其中C原子的雜化方式為    ,微粒間存在的作用力是    。

(3)氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等,則M為    (填元素符號)。MO是優(yōu)良的耐高溫材料,其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似。MO的熔點比CaO的高,其原因是    

(4)C、Si為同一主族的元素,CO2和SiO2化學(xué)式相似,但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大不同。CO2中C與O原子間形成鍵和鍵,SiO2中Si與O原子間不形成上述健。從原子半徑大小的角度分析,為何C、O原子間能形成,而Si、O原子間不能形成上述    。

 

 

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