科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:閱讀理解
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(化學(xué)-物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì))
C和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位。
(1)寫出Si的基態(tài)原子核外電子排布式 。
從電負(fù)性角度分析,C、Si和O元素的非金屬活潑性由強至弱的順序為 。
(2)SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似,其中C原子的雜化方式為 ,微粒間存在的作用力是 。
(3)氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等,則M為 (填元素符號)。MO是優(yōu)良的耐高溫材料,其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似。MO的熔點比CaO的高,其原因是 。
(4)C、Si為同一主族的元素,CO2和SiO2化學(xué)式相似,但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大不同。CO2中C與O原子間形成鍵和鍵,SiO2中Si與O原子間不形成上述健。從原子半徑大小的角度分析,為何C、O原子間能形成,而Si、O原子間不能形成上述鍵 。
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科目:高中化學(xué) 來源:2009年普通高等學(xué)校招生統(tǒng)一考試?yán)砭C試題化學(xué)部分(山東卷) 題型:選擇題
(化學(xué)-物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì))www.7caiedu.cn
C和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位。
(1)寫出Si的基態(tài)原子核外電子排布式 。
從電負(fù)性角度分析,C、Si和O元素的非金屬活潑性由強至弱的順序為 。
(2)SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似,其中C原子的雜化方式為 ,微粒間存在的作用力是 。
(3)氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等,則M為 (填元素符號)。MO是優(yōu)良的耐高溫材料,其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似。MO的熔點比CaO的高,其原因是 。
(4)C、Si為同一主族的元素,CO2和SiO2化學(xué)式相似,但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大不同。CO2中C與O原子間形成鍵和鍵,SiO2中Si與O原子間不形成上述健。從原子半徑大小的角度分析,為何C、O原子間能形成,而Si、O原子間不能形成上述鍵 。
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