科目:高中化學 來源: 題型:
(2013?海淀區(qū)二模)有關下列四個常用電化學裝置的敘述中,正確的是( 。
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科目:高中化學 來源:2013-2014學年云南省部分名校高三第一次聯考(11月)理綜化學試卷(解析版) 題型:實驗題
高純度單晶硅是典型的無機非金屬材料,是制備半導體的重要材料,它的發(fā)現和使用曾引起計算機的一場“革命”。高純硅通常用以下方法制備:用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅(含Fe、Al、B、P等雜質),粗硅與氯氣反應生成四氯化硅(反應溫度為450~500℃),四氯化硅經提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實驗室制備四氯化硅的裝置圖。
相關信息:a.四氯化硅遇水極易水解;b.硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接化合生成相應的氯化物;c.有關物質的物理常數見下表:
物質 |
SiCl4 |
BCl3 |
AlCl3 |
FeCl3 |
PCl5 |
沸點/℃ |
57.7 |
12.8 |
— |
315 |
— |
熔點/℃ |
-70.0 |
-107.2 |
— |
— |
— |
升華溫度/℃ |
— |
— |
180 |
300 |
162 |
請回答下列問題:
(1)儀器e的名稱為 ,裝置A中f管的作用是 ,其中發(fā)生反應的離子方程式為 。
(2)裝置B中的試劑是 。
(3)某學習小組設計了以下兩種實驗方案:方案甲:g接裝置Ⅰ;方案乙:g接裝置Ⅱ。但是甲乙兩個方案中虛線內裝置均有不足之處,請你評價后填寫下表。
方案 |
不足之處 |
甲 |
|
乙 |
|
(4)在上述(3)的評價基礎上,請設計一個合理方案: 。
(5)通過上述合理的裝置制取并收集到的粗產物可通過精餾(類似多次蒸餾)得到高純度四氯化硅,精餾后的殘留物中,除鐵元素外可能還含有的雜質元素是 (填寫元素符號)。
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科目:高中化學 來源:2012-2013學年安徽省“皖南八!备呷谝淮温摽蓟瘜W試卷(解析版) 題型:選擇題
有關下列①~④四個裝置的描述正確的是
A.裝置①工作時溶液中OH—向陽極移動,因此陽極附近溶液先變紅色
B.裝置②中Zn作正極,Cu作負極
C.根據裝置③可實現對鐵制品表面鍍銅
D.根據裝置④可實現對鐵閘門保護
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科目:高中化學 來源:2012-2013學年北京市海淀區(qū)高三下學期期末練習理綜化學試卷(解析版) 題型:選擇題
有關下列四個常用電化學裝置的敘述中,正確的是
圖Ⅰ 堿性鋅錳電池 |
圖Ⅱ 鉛-硫酸蓄電池 |
圖Ⅲ 電解精煉銅 |
圖Ⅳ 銀鋅紐扣電池 |
A.圖Ⅰ所示電池中,MnO2的作用是催化劑
B.圖II所示電池放電過程中,硫酸濃度不斷增大
C.圖III所示裝置工作過程中,電解質溶液中Cu2+濃度始終不變
D.圖IV所示電池中,Ag2O是氧化劑,電池工作過程中還原為Ag
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