A.ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種化合價(jià)，含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

（1）氧元素能形成繁多的氧化物，請(qǐng)寫(xiě)出一個(gè)與CO2等電子的化合物　　 ▲　　 。

（2）Se原子基態(tài)核外電子的排布式為　　　　　　 　▲　　 ； O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?u>　 ▲　 ；

（3）SO32-離子中硫原子的雜化方式　 ▲ ,該離子的立體構(gòu)型為　　　 ▲　　　　　 ；

（4）某金屬元素（以A表示）的氧化物用作玻璃、瓷器的顏料、脫硫劑。其立方晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示，則該氧化物的化學(xué)式為　　 ▲　 。

（1）CS2 或N2O      

（2） [Ar]3d104s24p4    O＞S＞Se   

（3） sp3；三角錐形   

（4）AO 

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：閱讀理解

ⅥA族的氧、硫、硒（Se）、碲（Te）等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài)，含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途．請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

（1）S單質(zhì)的常見(jiàn)形式是S8，其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如圖1所示，S原子采用的軌道雜化方式是
sp3
sp3
；
（2）原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
O＞S＞Se
O＞S＞Se
；
（3）Se的原子序數(shù)為
34
34
，其核外M層電子的排布式為
3s23p63d10
3s23p63d10
；
（4）H2Se的酸性比 H2S
強(qiáng)
強(qiáng)
（填“強(qiáng)”或“弱”）．氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為
平面三角形
平面三角形
，
SO
2-
3
離子的立體構(gòu)型為
三角錐形
三角錐形
；
（5）H2SeO3 的K1和K2分別是2.7×10-3和2.5×10-8，H2SeO4的第一步幾乎完全電離，K2是1.2×10-2，請(qǐng)根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋?zhuān)?br />①H2SeO3和H2SeO4的第一步電離程度大于第二步電離的原因：
第一步電離后生成的負(fù)離子較難再進(jìn)一步電離出帶正電荷的氫離子
第一步電離后生成的負(fù)離子較難再進(jìn)一步電離出帶正電荷的氫離子
；
②H2SeO4比H2SeO3酸性強(qiáng)的原因：
H2SeO3和H2SeO4可表示為（HO）SeO和（HO）SeO2．H2SeO3中Se為+4價(jià)，而H2SeO4中Se為+6價(jià)，正電性更高．導(dǎo)致Se-O-H中的O原子更向Se偏移，越易電離出H+
H2SeO3和H2SeO4可表示為（HO）SeO和（HO）SeO2．H2SeO3中Se為+4價(jià)，而H2SeO4中Se為+6價(jià)，正電性更高．導(dǎo)致Se-O-H中的O原子更向Se偏移，越易電離出H+
．
（6）ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛．立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如圖2所示，其晶胞邊長(zhǎng)為540.0pm，密度為
4×(65+32)g?mol-1
6.02×1023mol-1
(540.0×10-10cm)3
=4.1
4×(65+32)g?mol-1
6.02×1023mol-1
(540.0×10-10cm)3
=4.1
g?cm-3（列式并計(jì)算），a位置S2-離子與b位置Zn2+離子之間的距離為
270.0
1-cos109°28′
或
135.0×
2
sin
109°28′
2
或135
3
270.0
1-cos109°28′
或
135.0×
2
sin
109°28′
2
或135
3
pm（列式表示）

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來(lái)源：2013屆江蘇省揚(yáng)州中學(xué)高三12月質(zhì)量檢測(cè)化學(xué)試卷（帶解析） 題型：填空題

（12分）ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種化合價(jià)，含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
（1）氧元素能形成繁多的氧化物，請(qǐng)寫(xiě)出一個(gè)與CO2等電子的化合物         。
（2）把Na2O、 SiO2、P2O5三種氧化物按熔沸點(diǎn)由高到低順序排列         。
（3）原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?u>      ；
（4）Se原子基態(tài)核外電子的排布式為                         ；H2Se的沸點(diǎn)：－41.1℃，H2S的沸點(diǎn)：-60.4℃引起兩者沸點(diǎn)差異的主要原因是         ；
（5）SO32-離子中硫原子的雜化方式         ,該離子的立體構(gòu)型為                 ；
（6）某金屬元素A的氧化物用作玻璃、瓷器的顏料、脫硫劑。其立方晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示，則該氧化物的化學(xué)式為         。

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來(lái)源：2012-2013學(xué)年四川省樂(lè)山市高三“一調(diào)”考試?yán)砭C化學(xué)試卷（解析版） 題型：填空題

ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種化合價(jià)，含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

（1）氧元素能形成繁多的氧化物，請(qǐng)寫(xiě)出一個(gè)與CO2等電子的化合物          。

（2）把Na2O、SiO2、P2O5三種氧化物按熔沸點(diǎn)由高到低順序排列          。

（3）原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?u>       ；

（4）Se原子基態(tài)核外電子的排布式為                          ；H2Se的沸點(diǎn)：-41.1℃ ，H2S的沸點(diǎn)：-60.4℃，引起兩者沸點(diǎn)差異的主要原因是          ；

（5）SO32-離子中硫原子的雜化方式          ,該離子的立體構(gòu)型為                  ；

（6）某金屬元素A的氧化物用作玻璃、瓷器的顏料、脫硫劑。其立方晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示，

則該氧化物的化學(xué)式為          。

 

 

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來(lái)源：2012-2013學(xué)年江蘇省高三12月質(zhì)量檢測(cè)化學(xué)試卷（解析版） 題型：填空題

（12分）ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種化合價(jià)，含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

（1）氧元素能形成繁多的氧化物，請(qǐng)寫(xiě)出一個(gè)與CO2等電子的化合物         。

（2）把Na2O、 SiO2、P2O5三種氧化物按熔沸點(diǎn)由高到低順序排列         。

（3）原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?u>      ；

（4）Se原子基態(tài)核外電子的排布式為                         ；H2Se的沸點(diǎn)：－41.1℃，H2S的沸點(diǎn)：-60.4℃引起兩者沸點(diǎn)差異的主要原因是         ；

（5）SO32-離子中硫原子的雜化方式         ,該離子的立體構(gòu)型為                 ；

（6）某金屬元素A的氧化物用作玻璃、瓷器的顏料、脫硫劑。其立方晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示，則該氧化物的化學(xué)式為         。

 

查看答案和解析>>

同步練習(xí)冊(cè)答案