C、Si、Ge、Sn是同族元素，該族元素單質(zhì)及其化合物在材料、醫(yī)藥等方面有重要應(yīng)用．請(qǐng)回答下列問題：
（1）32號(hào)元素Ge的原子核外電子排布式為______．
（2）C、Si、Sn三種元素的單質(zhì)中，能夠形成金屬晶體的是______．
（3）已知SnO2是離子晶體，寫出其主要物理性質(zhì)______（寫出2條即可）．
（4）已知：
CH4 SiH4 NH3 PH3
沸點(diǎn)（K） 101.7 161.2 239.7 185.4
分解溫度（K） 873 773 1073 713.2
分析上表中四種物質(zhì)的相關(guān)數(shù)據(jù)，請(qǐng)回答：
①CH4和SiH4比較，NH3和PH3比較，沸點(diǎn)高低的原因是______．
②CH4和SiH4比較，NH3和PH3比較，分解溫度高低的原因是______．
結(jié)合上述數(shù)據(jù)和規(guī)律判斷，一定壓強(qiáng)下HF和HCl的混合氣體降溫時(shí)______先液化．
（1）Ge的原子序數(shù)為32，則電子排布式為[Ar]3d104s24p2，故答案為：[Ar]3d104s24p2；
（2）C、Si、Sn隨原子序數(shù)增大，非金屬性減弱，金屬性增強(qiáng)，只有Sn為金屬，則Sn為金屬晶體，故答案為：Sn；
（3）離子晶體熔沸點(diǎn)較高，硬度較大，熔融狀態(tài)能導(dǎo)電等性質(zhì)，故答案為：熔沸點(diǎn)較高，硬度較大；
（4）①CH4和SiH4比較，相對(duì)分子質(zhì)量大的沸點(diǎn)高，而NH3和PH3比較，氨氣中含有氫鍵沸點(diǎn)大，
故答案為：CH4和SiH4比較，相對(duì)分子質(zhì)量越大，范德華力越大，故沸點(diǎn)高，而NH3和PH3比較前者分子間存在氫鍵沸點(diǎn)高；
②由鍵長(zhǎng)越短，鍵能越大，越穩(wěn)定，分解溫度就越高可知，分解破壞的均為共價(jià)鍵，C-H的鍵能大于Si-H的鍵能，N-H鍵的鍵能大于P-H鍵的鍵能，
故答案為：分解破壞的均為共價(jià)鍵，C-H的鍵能大于Si-H的鍵能，N-H鍵的鍵能大于P-H鍵的鍵能；
一定壓強(qiáng)下，沸點(diǎn)高的氣體先液化，HF分子之間存在氫鍵，沸點(diǎn)高，則HF和HCl的混合氣體降溫時(shí)HF先液化，
故答案為：HF．
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

（2010?山東）碳族元素包括C、Si、Ge、Sn、Pb．
（1）碳納米管由單層或多層石墨層卷曲而成，其結(jié)構(gòu)類似于石墨晶體，每個(gè)碳原子通過
SP2
SP2
雜化與周圍碳原子成鍵，多層碳納米管的層與層之間靠
范德華力
范德華力
結(jié)合在一起．
（2）CH4中共用電子對(duì)偏向C，SiH4中共用電子對(duì)偏向H，則C、Si、H的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
C＞H＞Si
C＞H＞Si
．
（3）用價(jià)層電子對(duì)互斥理論推斷SnBr2分子中Sn-Br鍵的鍵角
＜
＜
120°（填“＞”“＜”或“=”）
（4）鉛、鋇、氧形成的某化合物的晶胞結(jié)構(gòu)是：Pb4+處于立方晶胞頂點(diǎn)，Ba2+處于晶胞中心，O2-處于晶胞棱邊中心．該化合物化學(xué)式為
PbBaO3
PbBaO3
，每個(gè)Ba2+與
12
12
個(gè)O2-配位．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

（2010?伊春模擬）【物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
C、Si、Ge、Sn是同族元素，該族元素單質(zhì)及其化合物在材料、醫(yī)藥等方面有重要應(yīng)用．請(qǐng)回答下列問題：
（1）Ge的原子核外電子排布式為
1s22s22p63s23p63d104s24p2
1s22s22p63s23p63d104s24p2
．
（2）C、Si、Sn三種元素的單質(zhì)中，能夠形成金屬晶體的是
Sn
Sn
．
（3）按要求指出下列氧化物的空間構(gòu)型、成鍵方式或性質(zhì)
①CO2分子的空間構(gòu)型
直線形
直線形
；碳氧之間的成鍵方式
共價(jià)鍵
共價(jià)鍵
．
②SiO2晶體的空間構(gòu)型
Si-O通過共價(jià)鍵形成四面體結(jié)構(gòu)，四面體之間通過共價(jià)鍵形成空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)
Si-O通過共價(jià)鍵形成四面體結(jié)構(gòu)，四面體之間通過共價(jià)鍵形成空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)
；硅氧之間的成鍵方式
共價(jià)鍵
共價(jià)鍵
．
③已知SnO2是離子晶體，寫出其主要物理性質(zhì)
熔融時(shí)能導(dǎo)電、較高的熔點(diǎn)
熔融時(shí)能導(dǎo)電、較高的熔點(diǎn)
（寫出1條即可）

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

C、Si、Ge、Sn是同族元素，該族元素單質(zhì)及其化合物在材料、醫(yī)藥等方面有重要應(yīng)用．請(qǐng)回答下列問題：
（1）32號(hào)元素Ge的原子核外電子排布式為
[Ar]3d104s24p2
[Ar]3d104s24p2
．
（2）C、Si、Sn三種元素的單質(zhì)中，能夠形成金屬晶體的是
Sn
Sn
．
（3）已知SnO2是離子晶體，寫出其主要物理性質(zhì)
熔沸點(diǎn)較高，硬度較大
熔沸點(diǎn)較高，硬度較大
（寫出2條即可）．
（4）已知：
CH4 SiH4 NH3 PH3
沸點(diǎn)（K） 101.7 161.2 239.7 185.4
分解溫度（K） 873 773 1073 713.2
分析上表中四種物質(zhì)的相關(guān)數(shù)據(jù)，請(qǐng)回答：
①CH4和SiH4比較，NH3和PH3比較，沸點(diǎn)高低的原因是
CH4和SiH4比較，相對(duì)分子質(zhì)量越大，范德華力越大，故沸點(diǎn)高，而NH3和PH3比較前者分子間存在氫鍵沸點(diǎn)高
CH4和SiH4比較，相對(duì)分子質(zhì)量越大，范德華力越大，故沸點(diǎn)高，而NH3和PH3比較前者分子間存在氫鍵沸點(diǎn)高
．
②CH4和SiH4比較，NH3和PH3比較，分解溫度高低的原因是
分解破壞的均為共價(jià)鍵，C-H的鍵能大于Si-H的鍵能，N-H鍵的鍵能大于P-H鍵的鍵能
分解破壞的均為共價(jià)鍵，C-H的鍵能大于Si-H的鍵能，N-H鍵的鍵能大于P-H鍵的鍵能
．
結(jié)合上述數(shù)據(jù)和規(guī)律判斷，一定壓強(qiáng)下HF和HCl的混合氣體降溫時(shí)
HF
HF
先液化．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

（2011?湖南模擬）某化學(xué)研究性學(xué)習(xí)小組為了探究四氯化錫的有關(guān)性質(zhì)，擬先利用下列裝置和藥品進(jìn)行四氯化錫的制備．已知四氯化錫具有強(qiáng)的吸水性，SnCl4和Sn的部分?jǐn)?shù)據(jù)如下
密度 熔點(diǎn) 沸點(diǎn)
四氯化錫 2.2g?cm-3 -33℃ 114℃
金屬錫 5.77g?cm-3 231℃
供選擇的藥品：Sn、濃HCl、稀HCl、濃H2SO4、MnO2、KMnO4、無水CaCl2、堿石灰儀器裝置：

請(qǐng)回答下列相關(guān)問題：
（1）實(shí)驗(yàn)時(shí)裝置的正確連接順序?yàn)锳→
D
D
→
C
C
→
B
B
→
G
G
→
E
E
→
F
F
；
（2）儀器G的名稱是
冷凝管
冷凝管
；實(shí)驗(yàn)時(shí)，G中冷卻水的流向是從
Q
Q
進(jìn)入（填符號(hào)）；
（3）A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式為
2MnO4-+16H++10Cl-=2Mn2++5Cl2↑+8H2O
2MnO4-+16H++10Cl-=2Mn2++5Cl2↑+8H2O
；
（4）F中盛裝的化學(xué)試劑是
堿石灰
堿石灰
；其作用是
防止空氣中的水分進(jìn)入裝置E中，吸收多余的Cl2防止污染
防止空氣中的水分進(jìn)入裝置E中，吸收多余的Cl2防止污染
；
（5）IVA族從上到下有C、Si、Ge、Sn、Pb等元素，請(qǐng)比較該族元素最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物堿性的強(qiáng)弱順序?yàn)椋ㄓ没瘜W(xué)式表示）
Pb（OH）4＞Sn（OH）4＞Ge（OH）4
Pb（OH）4＞Sn（OH）4＞Ge（OH）4
．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：單選題

下列各組物質(zhì)的比較中，不正確的是下列各組物質(zhì)的比較中，不正確的是


  1. A.
    熱穩(wěn)定性：SiH4＜PH3＜NH3＜H2O
  2. B.
    酸性：H2CO3＜H3PO4＜H2SO4＜HClO4
  3. C.
    粒子半徑：Pb2+＜Sn4+＜Ge4+＜Ge
  4. D.
    單質(zhì)熔點(diǎn)：C＞Si＞Ge＞Sn

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